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메모리 IC

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설명
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70T3519S166DRI
70T3519S166DRI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.6ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 208-BFQFP
  • 공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)
재고 있음4,356
70T3519S200BC
70T3519S200BC

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.4ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 256-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)
재고 있음4,842
70T3519S200BC8
70T3519S200BC8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.4ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 256-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)
재고 있음6,858
70T3519S200BCG
70T3519S200BCG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.4ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 256-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)
재고 있음3,150
70T3539MS133BC
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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 4.2ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 256-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)
재고 있음5,994
70T3539MS133BC8
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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 4.2ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 256-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)
재고 있음5,382
70T3539MS133BCG
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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 4.2ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 256-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)
재고 있음101
70T3539MS133BCGI
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IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 4.2ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 256-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)
재고 있음65
70T3539MS133BCI
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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 4.2ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 256-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)
재고 있음6,030
70T3539MS133BCI8
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IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 4.2ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 256-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)
재고 있음5,094
70T3539MS166BC
70T3539MS166BC

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.6ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 256-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)
재고 있음7,020
70T3539MS166BC8
70T3539MS166BC8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.6ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 256-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)
재고 있음3,384
70T3539MS166BCG
70T3539MS166BCG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.6ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 256-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)
재고 있음8,478
70T3589S133BC
70T3589S133BC

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 2Mb (64K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 4.2ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 256-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)
재고 있음6,984
70T3589S133BC8
70T3589S133BC8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 2Mb (64K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 4.2ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 256-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)
재고 있음229
70T3589S133BCI
70T3589S133BCI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 2Mb (64K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 4.2ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 256-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)
재고 있음7,326
70T3589S133BCI8
70T3589S133BCI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 2Mb (64K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 4.2ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 256-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)
재고 있음2,106
70T3589S133BFI
70T3589S133BFI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 2Mb (64K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 4.2ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 208-LFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)
재고 있음8,154
70T3589S133BFI8
70T3589S133BFI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 2Mb (64K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 4.2ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 208-LFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)
재고 있음3,114
70T3589S133DR
70T3589S133DR

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 2Mb (64K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 4.2ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 208-BFQFP
  • 공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)
재고 있음4,446
70T3589S133DR8
70T3589S133DR8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 2Mb (64K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 4.2ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 208-BFQFP
  • 공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)
재고 있음7,038
70T3589S133DRI
70T3589S133DRI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 2Mb (64K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 4.2ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 208-BFQFP
  • 공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)
재고 있음7,740
70T3589S133DRI8
70T3589S133DRI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 2Mb (64K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 4.2ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 208-BFQFP
  • 공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)
재고 있음2,178
70T3589S166BC
70T3589S166BC

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 2Mb (64K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.6ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 256-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)
재고 있음3,436
70T3589S166BC8
70T3589S166BC8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 2Mb (64K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.6ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 256-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)
재고 있음7,398
70T3589S166BF
70T3589S166BF

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 2Mb (64K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.6ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 208-LFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)
재고 있음5,130
70T3589S166BF8
70T3589S166BF8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 2Mb (64K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.6ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 208-LFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)
재고 있음8,226
70T3589S166DR
70T3589S166DR

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 2Mb (64K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.6ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 208-BFQFP
  • 공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)
재고 있음3,654
70T3589S166DR8
70T3589S166DR8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 2Mb (64K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.6ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 208-BFQFP
  • 공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)
재고 있음4,248
70T3589S200BC
70T3589S200BC

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 2Mb (64K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.4ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 256-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)
재고 있음3,168