메모리 IC

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S29GL512S10DHSS50 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)	재고 있음6,300
S29GL512S10DHSS60 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)	재고 있음8,262
S29GL512S10DHSS63 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)	재고 있음2,106
S29GL512S10FAI013 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)	재고 있음3,204
S29GL512S10FAI020 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)	재고 있음8,010
S29GL512S10FAI023 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)	재고 있음7,506
S29GL512S10FHI010 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)	재고 있음16,008
S29GL512S10FHI013 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)	재고 있음4,122
S29GL512S10FHI020 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)	재고 있음4,536
S29GL512S10FHI023 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)	재고 있음2,610
S29GL512S10FHSS10 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)	재고 있음7,002
S29GL512S10FHSS13 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)	재고 있음2,610
S29GL512S10FHSS20 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)	재고 있음3,400
S29GL512S10FHSS23 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)	재고 있음3,060
S29GL512S10FHSS30 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)	재고 있음5,490
S29GL512S10FHSS33 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)	재고 있음6,786
S29GL512S10FHSS40 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)	재고 있음7,884
S29GL512S10FHSS43 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)	재고 있음7,272
S29GL512S10FHSS50 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)	재고 있음3,726
S29GL512S10FHSS53 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)	재고 있음4,140
S29GL512S10FHSS60 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)	재고 있음5,058
S29GL512S10FHSS63 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)	재고 있음3,654
S29GL512S10GHI010 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 56BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-VFBGA 공급자 장치 패키지: 56-FBGA (9x7)	재고 있음2,322
S29GL512S10GHI020 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 56BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-VFBGA 공급자 장치 패키지: 56-FBGA (9x7)	재고 있음6,516
S29GL512S10SFI020 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)	재고 있음5,292
S29GL512S10TFA010 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음3,906
S29GL512S10TFA020 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음3,240
S29GL512S10TFI010 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음27,813
S29GL512S10TFI013 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음8,550
S29GL512S10TFI020 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음14,514

S29GL512S10DHSS50

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)

재고 있음6,300

S29GL512S10DHSS60

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)

재고 있음8,262

S29GL512S10DHSS63

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)

재고 있음2,106

S29GL512S10FAI013

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)

재고 있음3,204

S29GL512S10FAI020

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)

재고 있음8,010

S29GL512S10FAI023

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)

재고 있음7,506

S29GL512S10FHI010

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)

재고 있음16,008

S29GL512S10FHI013

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IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)

재고 있음4,122

S29GL512S10FHI020

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IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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접근 시간: 100ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)

재고 있음4,536

S29GL512S10FHI023

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IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)

재고 있음2,610

S29GL512S10FHSS10

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IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
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패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)

재고 있음7,002

S29GL512S10FHSS13

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IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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접근 시간: 100ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
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패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)

재고 있음2,610

S29GL512S10FHSS20

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IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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접근 시간: 100ns
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패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)

재고 있음3,400

S29GL512S10FHSS23

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제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
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시계 주파수: -
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패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)

재고 있음3,060

S29GL512S10FHSS30

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제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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접근 시간: 100ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)

재고 있음5,490

S29GL512S10FHSS33

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시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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접근 시간: 100ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)

재고 있음6,786

S29GL512S10FHSS40

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시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)

재고 있음7,884

S29GL512S10FHSS43

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시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)

재고 있음7,272

S29GL512S10FHSS50

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시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)

재고 있음3,726

S29GL512S10FHSS53

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IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)

재고 있음4,140

S29GL512S10FHSS60

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IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)

재고 있음5,058

S29GL512S10FHSS63

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IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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접근 시간: 100ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)

재고 있음3,654

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IC FLASH 512M PARALLEL 56BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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접근 시간: 100ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-VFBGA
공급자 장치 패키지: 56-FBGA (9x7)

재고 있음2,322

S29GL512S10GHI020

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IC FLASH 512M PARALLEL 56BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-VFBGA
공급자 장치 패키지: 56-FBGA (9x7)

재고 있음6,516

S29GL512S10SFI020

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IC FLASH 512M PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)

재고 있음5,292

S29GL512S10TFA010

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IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음3,906

S29GL512S10TFA020

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IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음3,240

S29GL512S10TFI010

Cypress Semiconductor

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IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음27,813

S29GL512S10TFI013

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IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음8,550

S29GL512S10TFI020

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IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

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