메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
S29GL512S10TFI023 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음4,302
S29GL512S11DHA010 Cypress Semiconductor	기억 IC 512 MB FLASH MEMORY 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)	재고 있음4,410
S29GL512S11DHA013 Cypress Semiconductor	기억 IC 512M FLASH MEMORY 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)	재고 있음5,526
S29GL512S11DHA020 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)	재고 있음4,338
S29GL512S11DHA023 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)	재고 있음75,954
S29GL512S11DHAV10 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)	재고 있음2,070
S29GL512S11DHAV23 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)	재고 있음5,760
S29GL512S11DHB010 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)	재고 있음7,560
S29GL512S11DHB013 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)	재고 있음5,904
S29GL512S11DHB020 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)	재고 있음31,362
S29GL512S11DHB023 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)	재고 있음3,222
S29GL512S11DHI010 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)	재고 있음6,024
S29GL512S11DHI020 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)	재고 있음138
S29GL512S11DHI023 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)	재고 있음5,544
S29GL512S11DHIV10 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)	재고 있음18,180
S29GL512S11DHIV13 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)	재고 있음6,156
S29GL512S11DHIV20 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)	재고 있음21,348
S29GL512S11DHIV23 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)	재고 있음35,316
S29GL512S11DHSS10 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)	재고 있음6,480
S29GL512S11DHSS20 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)	재고 있음2,178
S29GL512S11DHV010 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)	재고 있음7,794
S29GL512S11DHV013 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)	재고 있음5,724
S29GL512S11DHV020 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)	재고 있음8,262
S29GL512S11DHV023 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)	재고 있음4,122
S29GL512S11FAIV10 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)	재고 있음3,276
S29GL512S11FAIV13 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)	재고 있음6,552
S29GL512S11FAIV20 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)	재고 있음4,842
S29GL512S11FAIV23 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)	재고 있음7,200
S29GL512S11FHB020 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)	재고 있음5,040
S29GL512S11FHB023 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-S 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)	재고 있음2,538

S29GL512S10TFI023

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음4,302

S29GL512S11DHA010

Cypress Semiconductor

기억

IC 512 MB FLASH MEMORY

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)

재고 있음4,410

S29GL512S11DHA013

Cypress Semiconductor

기억

IC 512M FLASH MEMORY

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)

재고 있음5,526

S29GL512S11DHA020

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)

재고 있음4,338

S29GL512S11DHA023

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)

재고 있음75,954

S29GL512S11DHAV10

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)

재고 있음2,070

S29GL512S11DHAV23

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)

재고 있음5,760

S29GL512S11DHB010

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IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)

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IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)

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S29GL512S11DHB020

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IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)

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제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
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패키지 / 케이스: 64-LBGA
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제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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접근 시간: 110ns
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작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
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패키지 / 케이스: 64-LBGA
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제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
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시계 주파수: -
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접근 시간: 110ns
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패키지 / 케이스: 64-LBGA
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시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
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패키지 / 케이스: 64-LBGA
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시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
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메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
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메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
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메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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접근 시간: 110ns
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
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장착 유형: Surface Mount
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공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)

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시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
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메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)

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메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)

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시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)

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시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)

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시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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접근 시간: 110ns
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패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)

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제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
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제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
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패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)

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제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)

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IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)

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제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)

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시리즈: GL-S
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)

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기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
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작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)

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