메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
W948D6KBHX5I Winbond Electronics	기억 IC SDRAM 256MBIT 46NM 60BGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)	재고 있음8,910
W948D6KBHX5I TR Winbond Electronics	기억 IC SDRAM 256MBIT 46NM 60BGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)	재고 있음4,464
W949D2DBJX5E Winbond Electronics	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 512Mb (16M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음6,606
W949D2DBJX5E TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 512Mb (16M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음4,212
W949D2DBJX5I Winbond Electronics	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 512Mb (16M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음17,634
W949D2DBJX5I TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 512Mb (16M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음8,730
W949D6DBHX5E Winbond Electronics	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)	재고 있음9,250
W949D6DBHX5E TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)	재고 있음7,308
W949D6DBHX5I Winbond Electronics	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)	재고 있음21,096
W949D6DBHX5I TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)	재고 있음3,402
W94AD2KBJX5E Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음3,582
W94AD2KBJX5E TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음7,758
W94AD2KBJX5I Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음8,688
W94AD2KBJX5I TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음5,544
W94AD6KBHX5E Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)	재고 있음8,154
W94AD6KBHX5E TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)	재고 있음4,572
W94AD6KBHX5I Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)	재고 있음13,140
W94AD6KBHX5I TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)	재고 있음4,284
W956D6HBCX7I TR Winbond Electronics	기억 IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 70ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (6x8)	재고 있음8,532
W957D6HBCX7I TR Winbond Electronics	기억 IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 70ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (6x8)	재고 있음4,032
W958D6DBCX7I TR Winbond Electronics	기억 IC PSRAM 256M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 70ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (6x8)	재고 있음8,280
W966D6HBGX7I Winbond Electronics	기억 IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 70ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (6x8)	재고 있음2,736
W966D6HBGX7I TR Winbond Electronics	기억 IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 70ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (6x8)	재고 있음2,700
W967D6HBGX7I TR Winbond Electronics	기억 IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 70ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (6x8)	재고 있음7,398
W968D6DAGX7I TR Winbond Electronics	기억 IC PSRAM 256M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 70ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (6x8)	재고 있음6,066
W9712G6KB-25 Winbond Electronics	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 84TFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TFBGA (8x12.5)	재고 있음6,288
W9712G6KB25I Winbond Electronics	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 84TFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TFBGA (8x12.5)	재고 있음5,832
W9712G6KB25I TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 84TFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TFBGA (8x12.5)	재고 있음4,842
W9712G6KB-25 TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 84TFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TFBGA (8x12.5)	재고 있음6,876
W971GG6KB-18 Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 350ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-WBGA (8x12.5)	재고 있음3,546

W948D6KBHX5I

Winbond Electronics

기억

IC SDRAM 256MBIT 46NM 60BGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)

재고 있음8,910

W948D6KBHX5I TR

Winbond Electronics

기억

IC SDRAM 256MBIT 46NM 60BGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)

재고 있음4,464

W949D2DBJX5E

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 512Mb (16M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음6,606

W949D2DBJX5E TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 512Mb (16M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음4,212

W949D2DBJX5I

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 512Mb (16M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음17,634

W949D2DBJX5I TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 512Mb (16M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음8,730

W949D6DBHX5E

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)

재고 있음9,250

W949D6DBHX5E TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)

재고 있음7,308

W949D6DBHX5I

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)

재고 있음21,096

W949D6DBHX5I TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)

재고 있음3,402

W94AD2KBJX5E

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음3,582

W94AD2KBJX5E TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음7,758

W94AD2KBJX5I

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음8,688

W94AD2KBJX5I TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음5,544

W94AD6KBHX5E

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)

재고 있음8,154

W94AD6KBHX5E TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)

재고 있음4,572

W94AD6KBHX5I

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)

재고 있음13,140

W94AD6KBHX5I TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)

재고 있음4,284

W956D6HBCX7I TR

Winbond Electronics

기억

IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 70ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (6x8)

재고 있음8,532

W957D6HBCX7I TR

Winbond Electronics

기억

IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 70ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (6x8)

재고 있음4,032

W958D6DBCX7I TR

Winbond Electronics

기억

IC PSRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 70ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (6x8)

재고 있음8,280

W966D6HBGX7I

Winbond Electronics

기억

IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 70ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (6x8)

재고 있음2,736

W966D6HBGX7I TR

Winbond Electronics

기억

IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 70ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (6x8)

재고 있음2,700

W967D6HBGX7I TR

Winbond Electronics

기억

IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 70ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (6x8)

재고 있음7,398

W968D6DAGX7I TR

Winbond Electronics

기억

IC PSRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 70ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (6x8)

재고 있음6,066

W9712G6KB-25

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 84TFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-TFBGA (8x12.5)

재고 있음6,288

W9712G6KB25I

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 84TFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-TFBGA (8x12.5)

재고 있음5,832

W9712G6KB25I TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 84TFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-TFBGA (8x12.5)

재고 있음4,842

W9712G6KB-25 TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 84TFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-TFBGA (8x12.5)

재고 있음6,876

W971GG6KB-18

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 350ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-WBGA (8x12.5)

재고 있음3,546

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