메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
W971GG6KB-18 TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 350ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-WBGA (8x12.5)	재고 있음2,034
W971GG6KB-25 Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-WBGA (8x12.5)	재고 있음15,445
W971GG6KB25I Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-WBGA (8x12.5)	재고 있음48,008
W971GG6KB25I TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-WBGA (8x12.5)	재고 있음3,348
W971GG6KB-25 TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-WBGA (8x12.5)	재고 있음3,672
W971GG6SB-18 Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 350ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-WBGA (8x12.5)	재고 있음7,992
W971GG6SB-18 TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 350ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-WBGA (8x12.5)	재고 있음2,718
W971GG6SB-25 Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-WBGA (8x12.5)	재고 있음12,846
W971GG6SB25I Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-WBGA (8x12.5)	재고 있음2,281
W971GG6SB25I TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-WBGA (8x12.5)	재고 있음7,182
W971GG6SB-25 TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-WBGA (8x12.5)	재고 있음4,284
W971GG8JB-25 Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-WBGA (8x12.5)	재고 있음3,276
W971GG8JB25I Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-WBGA (8x12.5)	재고 있음5,256
W971GG8KB-25 Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-WBGA (8x12.5)	재고 있음30,388
W971GG8KB25I Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-WBGA (8x12.5)	재고 있음7,074
W971GG8KB25I TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-WBGA (8x12.5)	재고 있음2,952
W971GG8KB-25 TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-WBGA (8x12.5)	재고 있음2,430
W971GG8SB-25 Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-WBGA (8x12.5)	재고 있음6,432
W971GG8SB25I Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-WBGA (8x12.5)	재고 있음5,976
W971GG8SB25I TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-WBGA (8x12.5)	재고 있음5,328
W971GG8SB-25 TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-WBGA (8x12.5)	재고 있음4,680
W9725G6IB-25 Winbond Electronics	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-WBGA (8x12.5)	재고 있음2,394
W9725G6JB25I Winbond Electronics	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-WBGA (8x12.5)	재고 있음7,560
W9725G6KB-18 Winbond Electronics	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 350ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-WBGA (8x12.5)	재고 있음8,748
W9725G6KB-18 TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 350ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-WBGA (8x12.5)	재고 있음6,138
W9725G6KB-25 Winbond Electronics	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-WBGA (8x12.5)	재고 있음157,951
W9725G6KB25I Winbond Electronics	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-WBGA (8x12.5)	재고 있음2,574
W9725G6KB25I TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-WBGA (8x12.5)	재고 있음7,992
W9725G6KB-25 TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-WBGA (8x12.5)	재고 있음19,530
W9725G8KB-18 Winbond Electronics	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 60WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 256Mb (32M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 350ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-WBGA (8x12.5)	재고 있음8,892

W971GG6KB-18 TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 350ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-WBGA (8x12.5)

재고 있음2,034

W971GG6KB-25

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-WBGA (8x12.5)

재고 있음15,445

W971GG6KB25I

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-WBGA (8x12.5)

재고 있음48,008

W971GG6KB25I TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-WBGA (8x12.5)

재고 있음3,348

W971GG6KB-25 TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-WBGA (8x12.5)

재고 있음3,672

W971GG6SB-18

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 350ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-WBGA (8x12.5)

재고 있음7,992

W971GG6SB-18 TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 350ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-WBGA (8x12.5)

재고 있음2,718

W971GG6SB-25

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-WBGA (8x12.5)

재고 있음12,846

W971GG6SB25I

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-WBGA (8x12.5)

재고 있음2,281

W971GG6SB25I TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-WBGA (8x12.5)

재고 있음7,182

W971GG6SB-25 TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-WBGA (8x12.5)

재고 있음4,284

W971GG8JB-25

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-WBGA (8x12.5)

재고 있음3,276

W971GG8JB25I

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-WBGA (8x12.5)

재고 있음5,256

W971GG8KB-25

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-WBGA (8x12.5)

재고 있음30,388

W971GG8KB25I

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-WBGA (8x12.5)

재고 있음7,074

W971GG8KB25I TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-WBGA (8x12.5)

재고 있음2,952

W971GG8KB-25 TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-WBGA (8x12.5)

재고 있음2,430

W971GG8SB-25

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-WBGA (8x12.5)

재고 있음6,432

W971GG8SB25I

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-WBGA (8x12.5)

재고 있음5,976

W971GG8SB25I TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-WBGA (8x12.5)

재고 있음5,328

W971GG8SB-25 TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-WBGA (8x12.5)

재고 있음4,680

W9725G6IB-25

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-WBGA (8x12.5)

재고 있음2,394

W9725G6JB25I

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-WBGA (8x12.5)

재고 있음7,560

W9725G6KB-18

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 350ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-WBGA (8x12.5)

재고 있음8,748

W9725G6KB-18 TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 350ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-WBGA (8x12.5)

재고 있음6,138

W9725G6KB-25

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-WBGA (8x12.5)

재고 있음157,951

W9725G6KB25I

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-WBGA (8x12.5)

재고 있음2,574

W9725G6KB25I TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-WBGA (8x12.5)

재고 있음7,992

W9725G6KB-25 TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-WBGA (8x12.5)

재고 있음19,530

W9725G8KB-18

Winbond Electronics

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IC DRAM 256M PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 350ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-WBGA (8x12.5)

재고 있음8,892

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