메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
IS61NVP25672-250B1I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (256K x 72) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 2.6ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 209-BGA 공급자 장치 패키지: 209-LFBGA (14x22)	재고 있음7,308
IS61NVP25672-250B1I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (256K x 72) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 2.6ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 209-BGA 공급자 장치 패키지: 209-LFBGA (14x22)	재고 있음5,238
IS61NVP409618B-250B3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 72M PARALLEL 250MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 72Mb (4M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 2.8ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음7,218
IS61NVP409618B-250B3L-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 72M PARALLEL 250MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 72Mb (4M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 2.8ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음5,472
IS61NVP51236-200B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.1ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음5,076
IS61NVP51236-200B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.1ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LFBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음7,110
IS61NVP51236-200B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.1ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LFBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음7,848
IS61NVP51236-200B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.1ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음6,030
IS61NVP51236-200B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.1ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음3,420
IS61NVP51236-200B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.1ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음4,518
IS61NVP51236-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.1ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음7,920
IS61NVP51236-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.1ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음6,102
IS61NVP51236-250B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 2.6ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음5,130
IS61NVP51236-250B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 2.6ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음3,942
IS61NVP51236-250B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 2.6ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음8,586
IS61NVP51236-250B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 2.6ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음4,446
IS61NVP51236B-200B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음2,898
IS61NVP51236B-200B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음4,212
IS61NVP51236B-200B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음3,582
IS61NVP51236B-200B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음5,400
IS61NVP51236B-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-LQFP (14x20)	재고 있음2,430
IS61NVP51236B-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-LQFP (14x20)	재고 있음5,886
IS61QDB21M18A-250B4LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, QUAD 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (13x15)	재고 있음6,282
IS61QDB21M18A-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, QUAD 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음4,266
IS61QDB21M36-250M3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, QUAD 메모리 크기: 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음3,580
IS61QDB21M36-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, QUAD 메모리 크기: 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음5,832
IS61QDB21M36A-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, QUAD 메모리 크기: 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8.4ns 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음6,804
IS61QDB21M36C-250M3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, QUAD 메모리 크기: 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8.4ns 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음7,740
IS61QDB21M36C-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, QUAD 메모리 크기: 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8.4ns 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음3,024
IS61QDB22M18-250M3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, QUAD 메모리 크기: 36Mb (2M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음72

IS61NVP25672-250B1I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 18Mb (256K x 72)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 2.6ns
전압-공급: 2.375V ~ 2.625V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 209-BGA
공급자 장치 패키지: 209-LFBGA (14x22)

재고 있음7,308

IS61NVP25672-250B1I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 18Mb (256K x 72)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 2.6ns
전압-공급: 2.375V ~ 2.625V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 209-BGA
공급자 장치 패키지: 209-LFBGA (14x22)

재고 있음5,238

IS61NVP409618B-250B3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 250MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 72Mb (4M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 2.8ns
전압-공급: 2.375V ~ 2.625V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)

재고 있음7,218

IS61NVP409618B-250B3L-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 250MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 72Mb (4M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 2.8ns
전압-공급: 2.375V ~ 2.625V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)

재고 있음5,472

IS61NVP51236-200B3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.1ns
전압-공급: 2.375V ~ 2.625V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)

재고 있음5,076

IS61NVP51236-200B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
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전압-공급: 2.375V ~ 2.625V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LFBGA
공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)

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IS61NVP51236-200B3I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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패키지 / 케이스: 165-LFBGA
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IS61NVP51236-200B3LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS61NVP51236-200B3LI-TR

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IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS61NVP51236-200B3-TR

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IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS61NVP51236-200TQLI

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IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)

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IS61NVP51236-200TQLI-TR

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IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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메모리 유형: Volatile
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접근 시간: 3.1ns
전압-공급: 2.375V ~ 2.625V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)

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IS61NVP51236-250B3

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IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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메모리 유형: Volatile
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공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)

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IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
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재고 있음2,898

IS61NVP51236B-200B3I-TR

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IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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기술: SRAM - Synchronous, SDR
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IS61NVP51236B-200B3LI

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IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS61NVP51236B-200B3LI-TR

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IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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재고 있음5,400

IS61NVP51236B-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
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재고 있음2,430

IS61NVP51236B-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
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공급자 장치 패키지: 100-LQFP (14x20)

재고 있음5,886

IS61QDB21M18A-250B4LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, QUAD
메모리 크기: 18Mb (1M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
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장착 유형: Surface Mount
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공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (13x15)

재고 있음6,282

IS61QDB21M18A-250M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, QUAD
메모리 크기: 18Mb (1M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
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작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)

재고 있음4,266

IS61QDB21M36-250M3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, QUAD
메모리 크기: 36Mb (1M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
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전압-공급: 1.71V ~ 1.89V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)

재고 있음3,580

IS61QDB21M36-250M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, QUAD
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시계 주파수: 250MHz
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접근 시간: 7.5ns
전압-공급: 1.71V ~ 1.89V
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패키지 / 케이스: 165-LBGA
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재고 있음5,832

IS61QDB21M36A-250M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
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시계 주파수: 250MHz
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재고 있음6,804

IS61QDB21M36C-250M3

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기억

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, QUAD
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메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
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전압-공급: 1.71V ~ 1.89V
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재고 있음7,740

IS61QDB21M36C-250M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, QUAD
메모리 크기: 36Mb (1M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8.4ns
전압-공급: 1.71V ~ 1.89V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)

재고 있음3,024

IS61QDB22M18-250M3

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IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, QUAD
메모리 크기: 36Mb (2M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 7.5ns
전압-공급: 1.71V ~ 1.89V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)

재고 있음72

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