메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
IS61NLP51236-250B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 2.6ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음7,326
IS61NLP51236-250B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 2.6ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음4,986
IS61NLP51236-250TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 2.6ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음964
IS61NLP51236-250TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 2.6ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음5,328
IS61NLP51236B-200B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음6,516
IS61NLP51236B-200B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음2,484
IS61NLP51236B-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-LQFP (14x20)	재고 있음6,840
IS61NLP51236B-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-LQFP (14x20)	재고 있음4,914
IS61NLP6432A-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 2Mb (64K x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.1ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음3,798
IS61NLP6432A-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 2Mb (64K x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.1ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음2,628
IS61NVF102418-6.5B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6.5ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음6,498
IS61NVF102418-6.5B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6.5ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음3,562
IS61NVF102418-6.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6.5ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음3,834
IS61NVF102418-6.5B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6.5ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음8,694
IS61NVF102418-7.5B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 117MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음7,416
IS61NVF102418-7.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 117MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음6,912
IS61NVF25672-6.5B1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (256K x 72) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6.5ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 209-BGA 공급자 장치 패키지: 209-LFBGA (14x22)	재고 있음6,210
IS61NVF25672-6.5B1I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (256K x 72) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6.5ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 209-BGA 공급자 장치 패키지: 209-LFBGA (14x22)	재고 있음5,904
IS61NVF25672-6.5B1I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (256K x 72) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6.5ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 209-BGA 공급자 장치 패키지: 209-LFBGA (14x22)	재고 있음3,384
IS61NVF25672-6.5B1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (256K x 72) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6.5ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 209-BGA 공급자 장치 패키지: 209-LFBGA (14x22)	재고 있음7,164
IS61NVF25672-7.5B1I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (256K x 72) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 117MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 209-BGA 공급자 장치 패키지: 209-LFBGA (14x22)	재고 있음8,838
IS61NVF25672-7.5B1I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (256K x 72) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 117MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 209-BGA 공급자 장치 패키지: 209-LFBGA (14x22)	재고 있음2,538
IS61NVF51236-6.5B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6.5ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음2,412
IS61NVF51236-6.5B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6.5ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음8,136
IS61NVF51236-6.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6.5ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음6,084
IS61NVF51236-6.5B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6.5ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음6,444
IS61NVF51236-6.5TQL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6.5ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음3,508
IS61NVF51236-6.5TQL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6.5ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음2,448
IS61NVF51236-7.5B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 117MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음4,788
IS61NVF51236-7.5B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 117MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 2.375V ~ 2.625V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음4,302

IS61NLP51236-250B3I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 2.6ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)

재고 있음7,326

IS61NLP51236-250B3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 2.6ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)

재고 있음4,986

IS61NLP51236-250TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 2.6ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)

재고 있음964

IS61NLP51236-250TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 2.6ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)

재고 있음5,328

IS61NLP51236B-200B3LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)

재고 있음6,516

IS61NLP51236B-200B3LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
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IS61NLP51236B-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS61NLP51236B-200TQLI-TR

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IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS61NLP6432A-200TQLI

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IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

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IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

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IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

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IS61NVF102418-7.5B3I-TR

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IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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메모리 포맷: SRAM
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IS61NVF25672-6.5B1

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IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS61NVF25672-6.5B1I

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IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS61NVF25672-6.5B1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS61NVF25672-7.5B1I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS61NVF25672-7.5B1I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
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IS61NVF51236-6.5B3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
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재고 있음2,412

IS61NVF51236-6.5B3I

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IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
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재고 있음8,136

IS61NVF51236-6.5B3I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
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패키지 / 케이스: 165-TBGA
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IS61NVF51236-6.5B3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
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IS61NVF51236-6.5TQL

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IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
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재고 있음3,508

IS61NVF51236-6.5TQL-TR

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IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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메모리 유형: Volatile
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기술: SRAM - Synchronous, SDR
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패키지 / 케이스: 100-LQFP
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재고 있음2,448

IS61NVF51236-7.5B3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)

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IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
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메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
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시계 주파수: 117MHz
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)

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