메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
IS61WV25616EDBLL-8TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ns 접근 시간: 8ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음7,200
IS61WV25616EDBLL-8TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ns 접근 시간: 8ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음3,276
IS61WV25632BLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 8M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 8Mb (256K x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음2,034
IS61WV25632BLL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 8M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 8Mb (256K x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음7,380
IS61WV2568EDBLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 36MBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 36-TFBGA 공급자 장치 패키지: 36-TFBGA (6x8)	재고 있음3,168
IS61WV2568EDBLL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 36MBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 36-TFBGA 공급자 장치 패키지: 36-TFBGA (6x8)	재고 있음7,020
IS61WV2568EDBLL-10KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 36SOJ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 36-SOJ	재고 있음3,420
IS61WV2568EDBLL-10KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 36SOJ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 36-SOJ	재고 있음4,014
IS61WV2568EDBLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP2 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음3,708
IS61WV2568EDBLL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP2 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음6,264
IS61WV3216BLL-12TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 512K PARALLEL 44TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 512Kb (32K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음873
IS61WV3216BLL-12TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 512K PARALLEL 44TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 512Kb (32K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음5,904
IS61WV3216DBLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 512K PARALLEL 44TSOP2 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 512Kb (32K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음4,608
IS61WV3216DBLL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 512K PARALLEL 44TSOP2 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 512Kb (32K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음5,238
IS61WV51216BLL-10MLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 8M PARALLEL 48MINIBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (9x11)	재고 있음588
IS61WV51216BLL-10MLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 8M PARALLEL 48MINIBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (9x11)	재고 있음6,768
IS61WV51216BLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음29,659
IS61WV51216BLL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음6,264
IS61WV51216EDALL-20BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 8M PARALLEL 48MGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.65V ~ 2.2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (6x8)	재고 있음3,526
IS61WV51216EDALL-20BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 8M PARALLEL 48MGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.65V ~ 2.2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (6x8)	재고 있음6,408
IS61WV51216EDALL-20TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.65V ~ 2.2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음8,478
IS61WV51216EDALL-20TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.65V ~ 2.2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음6,714
IS61WV51216EDBLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (6x8)	재고 있음10,308
IS61WV51216EDBLL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (6x8)	재고 있음5,130
IS61WV51216EDBLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP2 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음12,245
IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP2 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음8,748
IS61WV51216EDBLL-8BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ns 접근 시간: 8ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (6x8)	재고 있음3,618
IS61WV51216EDBLL-8BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ns 접근 시간: 8ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (6x8)	재고 있음6,138
IS61WV51216EDBLL-8TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP2 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ns 접근 시간: 8ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음636
IS61WV51216EDBLL-8TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP2 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ns 접근 시간: 8ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음2,610

IS61WV25616EDBLL-8TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ns
접근 시간: 8ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음7,200

IS61WV25616EDBLL-8TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ns
접근 시간: 8ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음3,276

IS61WV25632BLL-10BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 8M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 8Mb (256K x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

재고 있음2,034

IS61WV25632BLL-10BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 8M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 8Mb (256K x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

재고 있음7,380

IS61WV2568EDBLL-10BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 36MBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 36-TFBGA
공급자 장치 패키지: 36-TFBGA (6x8)

재고 있음3,168

IS61WV2568EDBLL-10BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 36MBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 36-TFBGA
공급자 장치 패키지: 36-TFBGA (6x8)

재고 있음7,020

IS61WV2568EDBLL-10KLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 36SOJ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
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전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 36-SOJ

재고 있음3,420

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 36SOJ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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메모리 포맷: SRAM
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패키지 / 케이스: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 36-SOJ

재고 있음4,014

IS61WV2568EDBLL-10TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP2

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
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재고 있음3,708

IS61WV2568EDBLL-10TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP2

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 512K PARALLEL 44TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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기술: SRAM - Asynchronous
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재고 있음873

IS61WV3216BLL-12TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 512K PARALLEL 44TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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재고 있음5,904

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IC SRAM 512K PARALLEL 44TSOP2

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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재고 있음4,608

IS61WV3216DBLL-10TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 512K PARALLEL 44TSOP2

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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재고 있음5,238

IS61WV51216BLL-10MLI

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IC SRAM 8M PARALLEL 48MINIBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
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재고 있음588

IS61WV51216BLL-10MLI-TR

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IC SRAM 8M PARALLEL 48MINIBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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메모리 유형: Volatile
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재고 있음6,768

IS61WV51216BLL-10TLI

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IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
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재고 있음29,659

IS61WV51216BLL-10TLI-TR

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IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
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IS61WV51216EDALL-20BLI

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IC SRAM 8M PARALLEL 48MGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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메모리 포맷: SRAM
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재고 있음3,526

IS61WV51216EDALL-20BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 8M PARALLEL 48MGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 8Mb (512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
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IS61WV51216EDALL-20TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
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IS61WV51216EDALL-20TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 8Mb (512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
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IS61WV51216EDBLL-10BLI

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IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
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메모리 크기: 8Mb (512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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IS61WV51216EDBLL-10BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 8Mb (512K x 16)
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재고 있음5,130

IS61WV51216EDBLL-10TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP2

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 8Mb (512K x 16)
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시계 주파수: -
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공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음12,245

IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP2

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 8Mb (512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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접근 시간: 10ns
전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

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IS61WV51216EDBLL-8BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 8Mb (512K x 16)
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전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
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IS61WV51216EDBLL-8BLI-TR

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IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 8Mb (512K x 16)
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시계 주파수: -
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공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (6x8)

재고 있음6,138

IS61WV51216EDBLL-8TLI

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IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP2

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 8Mb (512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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접근 시간: 8ns
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작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
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재고 있음636

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IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP2

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 8Mb (512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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접근 시간: 8ns
전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

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