메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
IS61WV51216EEBLL-10B2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (6x8)	재고 있음5,796
IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (6x8)	재고 있음2,178
IS61WV51216EEBLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (6x8)	재고 있음3,544
IS61WV51216EEBLL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (6x8)	재고 있음2,016
IS61WV51216EEBLL-10T2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 8M PARALLEL 48TSOP I 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음3,544
IS61WV51216EEBLL-10T2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 8M PARALLEL 48TSOP I 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음5,058
IS61WV51216EEBLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음7,776
IS61WV51232BLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 16M PARALLEL 90FBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Mb (512K x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음8,046
IS61WV51232BLL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 16M PARALLEL 90FBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Mb (512K x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음7,812
IS61WV5128BLL-10BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 36-TFBGA 공급자 장치 패키지: 36-TFBGA (6x8)	재고 있음5,022
IS61WV5128BLL-10BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 36-TFBGA 공급자 장치 패키지: 36-TFBGA (6x8)	재고 있음2,178
IS61WV5128BLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 36MINIBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 36-TFBGA 공급자 장치 패키지: 36-TFBGA (6x8)	재고 있음1,059
IS61WV5128BLL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 36MINIBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 36-TFBGA 공급자 장치 패키지: 36-TFBGA (6x8)	재고 있음2,376
IS61WV5128BLL-10KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 36-SOJ	재고 있음4,568
IS61WV5128BLL-10KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 36-SOJ	재고 있음8,118
IS61WV5128BLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음11,194
IS61WV5128BLL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음5,472
IS61WV5128BLS-25TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: 25ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음2,628
IS61WV5128BLS-25TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: 25ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음7,128
IS61WV5128EDBLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 36-TFBGA 공급자 장치 패키지: 36-TFBGA (6x8)	재고 있음10,008
IS61WV5128EDBLL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 36-TFBGA 공급자 장치 패키지: 36-TFBGA (6x8)	재고 있음6,372
IS61WV5128EDBLL-10KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 36-SOJ	재고 있음4,770
IS61WV5128EDBLL-10KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 36-SOJ	재고 있음3,780
IS61WV5128EDBLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음19,020
IS61WV5128EDBLL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음7,614
IS61WV6416BLL-12BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 48MINIBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (64K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (6x8)	재고 있음8,010
IS61WV6416BLL-12BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 48MINIBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (64K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (6x8)	재고 있음8,784
IS61WV6416BLL-12KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (64K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-SOJ	재고 있음2,484
IS61WV6416BLL-12KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (64K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-SOJ	재고 있음3,528
IS61WV6416BLL-12TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (64K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음16,386

IS61WV51216EEBLL-10B2LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 8Mb (512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (6x8)

재고 있음5,796

IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 8Mb (512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (6x8)

재고 있음2,178

IS61WV51216EEBLL-10BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 8Mb (512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (6x8)

재고 있음3,544

IS61WV51216EEBLL-10BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 8Mb (512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (6x8)

재고 있음2,016

IS61WV51216EEBLL-10T2LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 8M PARALLEL 48TSOP I

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 8Mb (512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음3,544

IS61WV51216EEBLL-10T2LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 8M PARALLEL 48TSOP I

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 8Mb (512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음5,058

IS61WV51216EEBLL-10TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 8Mb (512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음7,776

IS61WV51232BLL-10BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 16M PARALLEL 90FBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Mb (512K x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

재고 있음8,046

IS61WV51232BLL-10BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 16M PARALLEL 90FBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Mb (512K x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

재고 있음7,812

IS61WV5128BLL-10BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 36-TFBGA
공급자 장치 패키지: 36-TFBGA (6x8)

재고 있음5,022

IS61WV5128BLL-10BI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 36-TFBGA
공급자 장치 패키지: 36-TFBGA (6x8)

재고 있음2,178

IS61WV5128BLL-10BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 36MINIBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 36-TFBGA
공급자 장치 패키지: 36-TFBGA (6x8)

재고 있음1,059

IS61WV5128BLL-10BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 36MINIBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 36-TFBGA
공급자 장치 패키지: 36-TFBGA (6x8)

재고 있음2,376

IS61WV5128BLL-10KLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 36-SOJ

재고 있음4,568

IS61WV5128BLL-10KLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 36-SOJ

재고 있음8,118

IS61WV5128BLL-10TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음11,194

IS61WV5128BLL-10TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음5,472

IS61WV5128BLS-25TLI

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IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: 25ns
전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음2,628

IS61WV5128BLS-25TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: 25ns
전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음7,128

IS61WV5128EDBLL-10BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 36-TFBGA
공급자 장치 패키지: 36-TFBGA (6x8)

재고 있음10,008

IS61WV5128EDBLL-10BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 36-TFBGA
공급자 장치 패키지: 36-TFBGA (6x8)

재고 있음6,372

IS61WV5128EDBLL-10KLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 36-SOJ

재고 있음4,770

IS61WV5128EDBLL-10KLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 36-SOJ

재고 있음3,780

IS61WV5128EDBLL-10TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음19,020

IS61WV5128EDBLL-10TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음7,614

IS61WV6416BLL-12BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 48MINIBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (6x8)

재고 있음8,010

IS61WV6416BLL-12BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 48MINIBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (6x8)

재고 있음8,784

IS61WV6416BLL-12KLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-SOJ

재고 있음2,484

IS61WV6416BLL-12KLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-SOJ

재고 있음3,528

IS61WV6416BLL-12TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음16,386

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