메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
IS65WV1288BLL-55HLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32STSOP I 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-LFSOP (0.465", 11.80mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-sTSOP I	재고 있음2,862
IS65WV1288DBLL-45HLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-LFSOP (0.465", 11.80mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-sTSOP I	재고 있음4,554
IS65WV1288DBLL-45TLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP I	재고 있음6,336
IS65WV1288DBLL-45TLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP I	재고 있음2,394
IS65WV1288FBLL-45HLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.2V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-LFSOP (0.465", 11.80mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-sTSOP I	재고 있음4,194
IS65WV1288FBLL-45TLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.2V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP I	재고 있음4,590
IS65WV1288FBLL-45TLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.2V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP I	재고 있음2,610
IS65WV25616BLL-70TLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음7,128
IS65WV25616BLL-70TLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음7,560
IS65WV25616DBLL-45CTLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음7,866
IS65WV25616DBLL-45CTLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음6,786
IS65WV25616DBLL-55CTLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음2,898
IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음4,014
IS66WV1M16DBLL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC PSRAM 16M PARALLEL 48BGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 16Mb (1M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (6x8)	재고 있음3,436
IS66WV1M16DBLL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC PSRAM 16M PARALLEL 48BGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 16Mb (1M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (6x8)	재고 있음3,798
IS66WV1M16DBLL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC PSRAM 16M PARALLEL 48TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 16Mb (1M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (6x8)	재고 있음7,614
IS66WV1M16DBLL-70BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC PSRAM 16M PARALLEL 48TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 16Mb (1M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (6x8)	재고 있음5,418
IS66WV1M16EBLL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC PSRAM 16M PARALLEL 48TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 16Mb (1M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (6x8)	재고 있음6,840
IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC PSRAM 16M PARALLEL 48TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 16Mb (1M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (6x8)	재고 있음5,814
IS66WV1M16EBLL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC PSRAM 16M PARALLEL 48TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 16Mb (1M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (6x8)	재고 있음2,772
IS66WV1M16EBLL-70BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC PSRAM 16M PARALLEL 48TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 16Mb (1M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (6x8)	재고 있음3,924
IS66WV25616BLL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC PSRAM 4M PARALLEL 48MINIBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (6x8)	재고 있음5,850
IS66WV25616BLL-55TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC PSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음8,010
IS66WV25616BLL-55TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC PSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음6,732
IS66WV51216BLL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC PSRAM 8M PARALLEL 48MINIBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (6x8)	재고 있음7,560
IS66WV51216BLL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC PSRAM 8M PARALLEL 48MINIBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (6x8)	재고 있음2,916
IS66WV51216BLL-55TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC PSRAM 8M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음4,374
IS66WV51216BLL-55TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC PSRAM 8M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음6,804
IS66WV51216DBLL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC PSRAM 8M PARALLEL 48BGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (6x8)	재고 있음3,906
IS66WV51216DBLL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC PSRAM 8M PARALLEL 48BGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (6x8)	재고 있음5,148

IS65WV1288BLL-55HLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32STSOP I

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-LFSOP (0.465", 11.80mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-sTSOP I

재고 있음2,862

IS65WV1288DBLL-45HLA3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-LFSOP (0.465", 11.80mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-sTSOP I

재고 있음4,554

IS65WV1288DBLL-45TLA3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-TSOP I

재고 있음6,336

IS65WV1288DBLL-45TLA3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-TSOP I

재고 있음2,394

IS65WV1288FBLL-45HLA3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.2V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-LFSOP (0.465", 11.80mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-sTSOP I

재고 있음4,194

IS65WV1288FBLL-45TLA3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.2V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-TSOP I

재고 있음4,590

IS65WV1288FBLL-45TLA3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.2V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-TSOP I

재고 있음2,610

IS65WV25616BLL-70TLA3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음7,128

IS65WV25616BLL-70TLA3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음7,560

IS65WV25616DBLL-45CTLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
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재고 있음7,866

IS65WV25616DBLL-45CTLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
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재고 있음6,786

IS65WV25616DBLL-55CTLA3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
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전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
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공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음2,898

IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음4,014

IS66WV1M16DBLL-55BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC PSRAM 16M PARALLEL 48BGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (6x8)

재고 있음3,436

IS66WV1M16DBLL-55BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC PSRAM 16M PARALLEL 48BGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (6x8)

재고 있음3,798

IS66WV1M16DBLL-70BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC PSRAM 16M PARALLEL 48TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
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재고 있음7,614

IS66WV1M16DBLL-70BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC PSRAM 16M PARALLEL 48TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (6x8)

재고 있음5,418

IS66WV1M16EBLL-55BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC PSRAM 16M PARALLEL 48TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (6x8)

재고 있음6,840

IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC PSRAM 16M PARALLEL 48TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (6x8)

재고 있음5,814

IS66WV1M16EBLL-70BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC PSRAM 16M PARALLEL 48TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (6x8)

재고 있음2,772

IS66WV1M16EBLL-70BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC PSRAM 16M PARALLEL 48TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (6x8)

재고 있음3,924

IS66WV25616BLL-55BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC PSRAM 4M PARALLEL 48MINIBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (6x8)

재고 있음5,850

IS66WV25616BLL-55TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC PSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음8,010

IS66WV25616BLL-55TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC PSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음6,732

IS66WV51216BLL-55BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC PSRAM 8M PARALLEL 48MINIBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 8Mb (512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (6x8)

재고 있음7,560

IS66WV51216BLL-55BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC PSRAM 8M PARALLEL 48MINIBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 8Mb (512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (6x8)

재고 있음2,916

IS66WV51216BLL-55TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC PSRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 8Mb (512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음4,374

IS66WV51216BLL-55TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC PSRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 8Mb (512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음6,804

IS66WV51216DBLL-55BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC PSRAM 8M PARALLEL 48BGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 8Mb (512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (6x8)

재고 있음3,906

IS66WV51216DBLL-55BLI-TR

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IC PSRAM 8M PARALLEL 48BGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 8Mb (512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (6x8)

재고 있음5,148

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