메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
IS66WVE4M16EBLL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC PSRAM 64M PARALLEL 48TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (6x8)	재고 있음2,898
IS66WVE4M16EBLL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC PSRAM 64M PARALLEL 48TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (6x8)	재고 있음7,398
IS66WVE4M16EBLL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC PSRAM 64M PARALLEL 48TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (6x8)	재고 있음9,035
IS66WVE4M16EBLL-70BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC PSRAM 64M PARALLEL 48TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (6x8)	재고 있음3,526
IS66WVE4M16ECLL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC PSRAM 64M PARALLEL 48TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (6x8)	재고 있음8,652
IS66WVE4M16ECLL-70BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC PSRAM 64M PARALLEL 48TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (6x8)	재고 있음4,176
IS66WVE4M16TBLL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC PSRAM 64M PARALLEL 48BGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (6x8)	재고 있음3,562
IS66WVE4M16TBLL-70BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC PSRAM 64M PARALLEL 48BGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (6x8)	재고 있음6,984
IS66WVH16M8ALL-166B1LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC PSRAM 128M PARALLEL 24TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 36ns 접근 시간: 36ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-TBGA 공급자 장치 패키지: 24-TFBGA (6x8)	재고 있음13,344
IS66WVH16M8ALL-166B1LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC PSRAM 128M PARALLEL 24TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 36ns 접근 시간: 36ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-TBGA 공급자 장치 패키지: 24-TFBGA (6x8)	재고 있음6,462
IS66WVH16M8BLL-100B1LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC PSRAM 128M PARALLEL 24TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 40ns 접근 시간: 40ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-TBGA 공급자 장치 패키지: 24-TFBGA (6x8)	재고 있음17,520
IS66WVH16M8BLL-100B1LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC PSRAM 128M PARALLEL 24TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 40ns 접근 시간: 40ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-TBGA 공급자 장치 패키지: 24-TFBGA (6x8)	재고 있음5,814
IS66WVH8M8ALL-166B1LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC PSRAM 64M PARALLEL 24TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 64Mb (8M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 36ns 접근 시간: 36ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-TBGA 공급자 장치 패키지: 24-TFBGA (6x8)	재고 있음8,016
IS66WVH8M8ALL-166B1LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC PSRAM 64M PARALLEL 24TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 64Mb (8M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 36ns 접근 시간: 36ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-TBGA 공급자 장치 패키지: 24-TFBGA (6x8)	재고 있음6,318
IS66WVH8M8BLL-100B1LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC PSRAM 64M PARALLEL 24TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 64Mb (8M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 40ns 접근 시간: 40ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-TBGA 공급자 장치 패키지: 24-TFBGA (6x8)	재고 있음8,160
IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC PSRAM 64M PARALLEL 24TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 64Mb (8M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 40ns 접근 시간: 40ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-TBGA 공급자 장치 패키지: 24-TFBGA (6x8)	재고 있음6,444
IS67WVC4M16ALL-7010BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (6x8)	재고 있음2,466
IS67WVC4M16ALL-7010BLA-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (6x8)	재고 있음7,740
IS71LD32160WP128-25BPLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC FLASH RAM 128M PARAL 168BGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NOR, DRAM - LPDDR2 메모리 크기: 128Mb Flash, 512Mb DRAM 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V, 1.8V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 168-BGA	재고 있음8,640
IS71LD32160WP128-3BPLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC FLASH RAM 128M PARAL 168BGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NOR, DRAM - LPDDR2 메모리 크기: 128Mb Flash, 512Mb DRAM 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V, 1.8V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 168-BGA	재고 있음8,964
IS93C66A-2GRLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC EEPROM 4K SPI 3MHZ 8SOIC 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 4Kb (512 x 8, 256 x 16) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 3MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음2,520
J005-S2532-001 Cypress Semiconductor	기억 IC MPD NOR 8SOIC 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,348
JR28F032M29EWBA Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP	재고 있음5,310
JR28F032M29EWBB TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP	재고 있음4,464
JR28F032M29EWHA Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP	재고 있음6,840
JR28F032M29EWLA Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP	재고 있음8,928
JR28F032M29EWTA Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP	재고 있음5,958
JR28F032M29EWTB TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP	재고 있음3,852
JR28F064M29EWBA Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP	재고 있음7,710
JR28F064M29EWHA Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP	재고 있음7,416

IS66WVE4M16EBLL-55BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC PSRAM 64M PARALLEL 48TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (6x8)

재고 있음2,898

IS66WVE4M16EBLL-55BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC PSRAM 64M PARALLEL 48TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (6x8)

재고 있음7,398

IS66WVE4M16EBLL-70BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC PSRAM 64M PARALLEL 48TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (6x8)

재고 있음9,035

IS66WVE4M16EBLL-70BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC PSRAM 64M PARALLEL 48TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (6x8)

재고 있음3,526

IS66WVE4M16ECLL-70BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC PSRAM 64M PARALLEL 48TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (6x8)

재고 있음8,652

IS66WVE4M16ECLL-70BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC PSRAM 64M PARALLEL 48TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (6x8)

재고 있음4,176

IS66WVE4M16TBLL-70BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC PSRAM 64M PARALLEL 48BGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (6x8)

재고 있음3,562

IS66WVE4M16TBLL-70BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC PSRAM 64M PARALLEL 48BGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (6x8)

재고 있음6,984

IS66WVH16M8ALL-166B1LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC PSRAM 128M PARALLEL 24TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 36ns
접근 시간: 36ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-TBGA
공급자 장치 패키지: 24-TFBGA (6x8)

재고 있음13,344

IS66WVH16M8ALL-166B1LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC PSRAM 128M PARALLEL 24TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 36ns
접근 시간: 36ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-TBGA
공급자 장치 패키지: 24-TFBGA (6x8)

재고 있음6,462

IS66WVH16M8BLL-100B1LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC PSRAM 128M PARALLEL 24TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 40ns
접근 시간: 40ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-TBGA
공급자 장치 패키지: 24-TFBGA (6x8)

재고 있음17,520

IS66WVH16M8BLL-100B1LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC PSRAM 128M PARALLEL 24TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 40ns
접근 시간: 40ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-TBGA
공급자 장치 패키지: 24-TFBGA (6x8)

재고 있음5,814

IS66WVH8M8ALL-166B1LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC PSRAM 64M PARALLEL 24TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 36ns
접근 시간: 36ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-TBGA
공급자 장치 패키지: 24-TFBGA (6x8)

재고 있음8,016

IS66WVH8M8ALL-166B1LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC PSRAM 64M PARALLEL 24TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 36ns
접근 시간: 36ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-TBGA
공급자 장치 패키지: 24-TFBGA (6x8)

재고 있음6,318

IS66WVH8M8BLL-100B1LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC PSRAM 64M PARALLEL 24TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 40ns
접근 시간: 40ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-TBGA
공급자 장치 패키지: 24-TFBGA (6x8)

재고 있음8,160

IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC PSRAM 64M PARALLEL 24TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 40ns
접근 시간: 40ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-TBGA
공급자 장치 패키지: 24-TFBGA (6x8)

재고 있음6,444

IS67WVC4M16ALL-7010BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (6x8)

재고 있음2,466

IS67WVC4M16ALL-7010BLA-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (6x8)

재고 있음7,740

IS71LD32160WP128-25BPLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC FLASH RAM 128M PARAL 168BGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NOR, DRAM - LPDDR2
메모리 크기: 128Mb Flash, 512Mb DRAM
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V, 1.8V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 168-BGA

재고 있음8,640

IS71LD32160WP128-3BPLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC FLASH RAM 128M PARAL 168BGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NOR, DRAM - LPDDR2
메모리 크기: 128Mb Flash, 512Mb DRAM
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V, 1.8V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 168-BGA

재고 있음8,964

IS93C66A-2GRLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC EEPROM 4K SPI 3MHZ 8SOIC

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 4Kb (512 x 8, 256 x 16)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 3MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음2,520

J005-S2532-001

Cypress Semiconductor

기억

IC MPD NOR 8SOIC

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,348

JR28F032M29EWBA

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP

재고 있음5,310

JR28F032M29EWBB TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP

재고 있음4,464

JR28F032M29EWHA

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP

재고 있음6,840

JR28F032M29EWLA

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP

재고 있음8,928

JR28F032M29EWTA

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP

재고 있음5,958

JR28F032M29EWTB TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP

재고 있음3,852

JR28F064M29EWBA

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP

재고 있음7,710

JR28F064M29EWHA

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP

재고 있음7,416

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