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파워 드라이버 모듈 (809)

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부품 번호	설명	재고 있음
DGD2106S8-13 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.6V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 290mA, 600mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 100ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음7,362
DGD21084S14-13 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.6V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 200mA, 600mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 100ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 14-SO	재고 있음4,554
DGD2108S8-13 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.6V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 290mA, 600mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 100ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음3,816
DGD2110S16-13 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 6V, 9.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2.5A, 2.5A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 500V 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 13ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음6,174
DGD2113S16-13 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 6V, 9.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2.5A, 2.5A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 13ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO	재고 있음4,374
DGD2117S8-13 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: High-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 6V, 9.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 290mA, 600mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 75ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음8,226
DGD2118S8-13 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: High-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 6V, 9.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 290mA, 600mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 75ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음8,334
DGD2136MS28-13 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 HV GATE DRIVER SO-28 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 200mA, 350mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 90ns, 35ns 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SO	재고 있음4,122
DGD2136S28-13 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 200mA, 350mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 90ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SO	재고 있음5,886
DGD21814MS14-13 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 HV GATE DRIVER SO-14 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.9A, 2.3A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 40ns, 20ns 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 14-SO	재고 있음3,888
DGD21814S14-13 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.9A, 2.3A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 40ns, 20ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 14-SO	재고 있음5,706
DGD2181MS8-13 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 HV GATE DRIVER SO-8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.9A, 2.3A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 40ns, 20ns 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음8,460
DGD2181S8-13 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.9A, 2.3A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 40ns, 20ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음2,880
DGD21844MS14-13 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 HV GATE DRIVER SO-14 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.4A, 1.8A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 40ns, 20ns 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 14-SO	재고 있음5,634
DGD21844S14-13 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.4A, 1.8A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 40ns, 20ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 14-SO	재고 있음4,500
DGD2184MS8-13 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 HV GATE DRIVER SO-8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.4A, 1.8A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 40ns, 20ns 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음3,348
DGD2184S8-13 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.9A, 2.3A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 40ns, 20ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음7,848
DGD21904MS14-13 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRV HALF-BRIDG 14SO 2.5K 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4.5A, 4.5A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 25ns, 20ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 14-SO	재고 있음2,124
DGD21904S14-13 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4.5A, 4.5A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 25ns, 20ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 14-SO	재고 있음8,154
DGD2190MS8-13 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8SO 2.5K 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4.5A, 4.5A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 25ns, 20ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음6,408
DGD2190S8-13 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4.5A, 4.5A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 25ns, 20ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음3,636
DGD2304S8-13 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.7V, 2.3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 290mA, 600mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 70ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음8,928
DGD23892S28-13 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALF-BRDG 28SO 1.5K 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 15V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 350mA, 650mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 40ns, 25ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SO	재고 있음5,130
DGD36030S28-13 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 HV GATE DRIVER SO-28 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: - 채널 유형: - 드라이버 수: - 게이트 유형: - 전압-공급: - 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: - 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,456
DRV110APWR Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC CTRLR PWM CURRENT 14TSSOP 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 6V ~ 15V 논리 전압-VIL, VIH: 1.3V, 1.65V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): - 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 14-TSSOP	재고 있음735
DRV110PWR Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC CTRLR PWM CURRENT 8TSSOP 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 6V ~ 15V 논리 전압-VIL, VIH: 1.3V, 1.65V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): - 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음6,318
DRV8304HRHAR Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 38V 3-PHASE SMART GATE DRIVER 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: High-Side or Low-Side 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 3 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 6V ~ 38V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 1.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 150mA, 300mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 300ns, 150ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 40-VFQFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 40-VQFN (6x6)	재고 있음3,582
DRV8304HRHAT Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 38V THREE-PHASE SMART GATE DRIVE 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: High-Side or Low-Side 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 3 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 6V ~ 38V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 1.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 150mA, 300mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 300ns, 150ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 40-VFQFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 40-VQFN (6x6)	재고 있음8,838
EB01-6MBI225U4-120 Power Integrations	PMIC-게이트 드라이버 MODULE GATE DVR P&P SCALE 1 제조업체: Power Integrations 시리즈: SCALE™-1 구동 구성: - 채널 유형: - 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT 전압-공급: - 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: - 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 800V 상승 / 하강 시간 (일반): - 작동 온도: -40°C ~ 85°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음2,610
EB01-6MBI450U4-170 Power Integrations	PMIC-게이트 드라이버 MODULE GATE DVR P&P SCALE 1 제조업체: Power Integrations 시리즈: SCALE™-1 구동 구성: - 채널 유형: - 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT 전압-공급: - 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: - 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 1200V 상승 / 하강 시간 (일반): - 작동 온도: -40°C ~ 85°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음2,988

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