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부품 번호	설명	재고 있음
DGD0506FN-7 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALFBRDG DFN3030-10 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 8V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 1V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.5A, 2.5A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 50V 상승 / 하강 시간 (일반): 17ns, 12ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-WFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: W-DFN3030-10 (Type TH)	재고 있음8,802
DGD0507AFN-7 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALFBRDG DFN3030-10 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 8V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.5A, 2A 입력 유형: CMOS/TTL 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 50V 상승 / 하강 시간 (일반): 16ns, 18ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-WFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: W-DFN3030-10	재고 있음6,012
DGD0507FN-7 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALFBRDG DFN3030-10 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 8V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 1V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.5A, 2.5A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 50V 상승 / 하강 시간 (일반): 17ns, 13ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-WFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: W-DFN3030-10 (Type TH)	재고 있음2,844
DGD05463FN-7 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALFBRDG DFN3030-10 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.5A, 2.5A 입력 유형: CMOS/TTL 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 50V 상승 / 하강 시간 (일반): 17ns, 12ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-WFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: W-DFN3030-10	재고 있음7,056
DGD05463M10-13 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRV HALFBRDG 10MSOP 2.5K 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.5A, 2.5A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 50V 상승 / 하강 시간 (일반): 17ns, 12ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 공급자 장치 패키지: 10-MSOP	재고 있음8,100
DGD05473FN-7 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALFBRDG DFN3030-10 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 0.3V ~ 60V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.5A, 2.5A 입력 유형: CMOS/TTL 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 50V 상승 / 하강 시간 (일반): 16ns, 12ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-WFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: W-DFN3030-10	재고 있음4,014
DGD05473FNQ-7 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 HV GATE DRIVER U-DFN3030-10 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q100 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.7V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.5A, 2.5A 입력 유형: CMOS/TTL 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 50V 상승 / 하강 시간 (일반): 16ns, 12ns 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-UFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: U-DFN3030-10	재고 있음4,698
DGD0547FN-7 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALFBRDG DFN3030-10 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 0.3V ~ 60V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.5A, 2A 입력 유형: CMOS/TTL 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 50V 상승 / 하강 시간 (일반): 16ns, 12ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-WFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: W-DFN3030-10	재고 있음5,544
DGD0590AFU-7 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 HV GATE DRIVER V-QFN3030-8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1A, 3A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 50V 상승 / 하강 시간 (일반): 27ns, 29ns 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VQFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: V-QFN3030-8 (Type TH)	재고 있음6,570
DGD0590FU-7 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRV HALFBRD QFN3030-8 3K 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 논리 전압-VIL, VIH: 1V, 3.3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1A, 3A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 50V 상승 / 하강 시간 (일반): 27ns, 29ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VQFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: V-QFN3030-8	재고 있음6,120
DGD0636MS28-13 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 HV GATE DRIVER SO-28 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 200mA, 350mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 100V 상승 / 하강 시간 (일반): 90ns, 35ns 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SO	재고 있음3,168
DGD0636S28-13 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALF-BRDG 28SO 1.5K 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 200mA, 350mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 100V 상승 / 하강 시간 (일반): 90ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SO	재고 있음8,658
DGD1503S8-13 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 290mA, 600mA 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 250V 상승 / 하강 시간 (일반): 70ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음19,164
DGD1504S8-13 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 290mA, 600mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 250V 상승 / 하강 시간 (일반): 70ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음7,110
DGD2003S8-13 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE HV DRVR SO-8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 290mA, 600mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 200V 상승 / 하강 시간 (일반): 70ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO Type TH	재고 있음25,278
DGD2005S8-13 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8SO 2.5K 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.6V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 290mA, 600mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 200V 상승 / 하강 시간 (일반): 100ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음7,794
DGD2012S8-13 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8SO 2.5K 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.9A, 2.3A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 200V 상승 / 하강 시간 (일반): 40ns, 20ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음6,804
DGD2101MS8-13 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8SO 2.5K 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: High-Side or Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 290mA, 600mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 70ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음2,268
DGD2101S8-13 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 290mA, 600mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 70ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음4,734
DGD21032S8-13 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 290mA, 600mA 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 70ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음2,646
DGD2103AS8-13 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 290mA, 600mA 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 100ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음3,132
DGD2103MS8-13 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 290mA, 600mA 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 70ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음5,544
DGD2103S8-13 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 290mA, 600mA 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 100ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음6,804
DGD21042S8-13 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 290mA, 600mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 70ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음4,914
DGD2104AS8-13 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 210mA, 360mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 100ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음8,766
DGD2104MS8-13 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 290mA, 600mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 70ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음20,574
DGD2104S8-13 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 290mA, 600mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 70ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음6,246
DGD21064MS14-13 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALF-BRDG 14SO 2.5K 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.6V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 290mA, 600mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 100ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 14-SO	재고 있음8,748
DGD21064S14-13 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.6V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 290mA, 600mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 100ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 14-SO	재고 있음8,280
DGD2106MS8-13 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8SO 2.5K 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.6V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 290mA, 600mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 100ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음3,168

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