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부품 번호	설명	재고 있음
AUIR08152STR Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC BUFFER GATE DRVR 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q100 구동 구성: High-Side or Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT 전압-공급: 13V ~ 25V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 10A, 10A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 50ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음2,952
AUIR2085S Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DVR HALF-BRDG SELF OSC 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q100 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 15V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1A, 1A 입력 유형: RC Input Circuit 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 100V 상승 / 하강 시간 (일반): 40ns, 20ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음4,446
AUIR2085STR Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DVR HALF-BRDG SELF OSC 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q100 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 15V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1A, 1A 입력 유형: RC Input Circuit 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 100V 상승 / 하강 시간 (일반): 40ns, 20ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음14,093
AUIR3200S Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC MFET DRVR HIGH SIDE 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: High-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 6V ~ 36V 논리 전압-VIL, VIH: 0.9V, 2.7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 1µs, 1µs 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,636
AUIR3200STR Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC MFET DRVR HIGH SIDE 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: High-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 6V ~ 36V 논리 전압-VIL, VIH: 0.9V, 2.7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 1µs, 1µs 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음24,900
AUIR3240S Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC MFET DRVR HIGH SIDE 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q100 구동 구성: High-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4V ~ 36V 논리 전압-VIL, VIH: 0.9V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음3,348
AUIR3240STR Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC MFET DRVR HIGH SIDE 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q100 구동 구성: High-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4V ~ 36V 논리 전압-VIL, VIH: 0.9V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음26,982
AUIR3241STR Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IR_HSS-LSS-GATEDRIVER 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q100 구동 구성: High-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 3V ~ 36V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 350mA, 350mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 6µs, 6µs 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음8,388
AUIR3242STRXUMA1 Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRIVER HIGH SIDE 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q100 구동 구성: High-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 3V ~ 36V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 350mA, 350mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 6µs, 6µs 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: PG-DSO-8-907	재고 있음7,956
AUIRB24427S Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRIVER 24V 6A 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 5V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 6A, 6A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 33ns, 33ns (Max) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,886
AUIRB24427STR Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRIVER 24V 6A 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 5V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 6A, 6A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 33ns, 33ns (Max) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음6,300
AUIRS2003S Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRVIER HALF-BRIDGE 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q100 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 290mA, 600mA 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 200V 상승 / 하강 시간 (일반): 70ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음2,016
AUIRS2004S Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRVIER HALF-BRIDGE 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q100 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 290mA, 600mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 200V 상승 / 하강 시간 (일반): 160ns, 70ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,580
AUIRS2012STR Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q100 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.7V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 200V 상승 / 하강 시간 (일반): 22ns, 15ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음6,120
AUIRS20161S Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRVR IGBT/MOSFET 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q100 구동 구성: High-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.4V ~ 6.5V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 500mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 150V 상승 / 하강 시간 (일반): 200ns, 200ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,634
AUIRS20162STR Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HIGH SIDE 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q100 구동 구성: High-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.4V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 250mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 150V 상승 / 하강 시간 (일반): 200ns, 200ns 작동 온도: -55°C ~ 155°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음8,550
AUIRS20302S Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRIVE AUTOMOTIVE 28SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q100 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 24V ~ 150V 논리 전압-VIL, VIH: 0.7V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 200mA, 350mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 200V 상승 / 하강 시간 (일반): 100ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOIC	재고 있음6,948
AUIRS20302STR Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRIVE AUTOMOTIVE 28SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q100 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 24V ~ 150V 논리 전압-VIL, VIH: 0.7V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 200mA, 350mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 200V 상승 / 하강 시간 (일반): 100ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOIC	재고 있음24,092
AUIRS2110S Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q100 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 3V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 6V, 9.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2.5A, 2.5A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 500V 상승 / 하강 시간 (일반): 25ns, 15ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음8,874
AUIRS2112S Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q100 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 3V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 6V, 9.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 290mA, 600mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 60ns, 30ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음6,084
AUIRS2113S Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q100 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 3V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 6V, 9.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2.5A, 2.5A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 25ns, 15ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음6,048
AUIRS2113STR Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q100 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 6V, 9.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2.5A, 2.5A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 25ns, 15ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음8,262
AUIRS2117S Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HIGH SIDE SGL 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q100 구동 구성: High-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 6V, 9.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 290mA, 600mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 75ns, 25ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음7,578
AUIRS2117STR Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HIGH SIDE SGL 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q100 구동 구성: High-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 6V, 9.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 290mA, 600mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 75ns, 25ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,922
AUIRS2118S Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HIGH SIDE SGL 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q100 구동 구성: High-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 6V, 9.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 290mA, 600mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 75ns, 25ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음8,856
AUIRS2118STR Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HIGH SIDE SGL 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q100 구동 구성: High-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 6V, 9.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 290mA, 600mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 75ns, 25ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,058
AUIRS2123S Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HIGH SIDE 600V 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q100 구동 구성: High-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 500mA, 500mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 80ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음6,966
AUIRS2123STR Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HIGH SIDE 600V 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q100 구동 구성: High-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 500mA, 500mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 80ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음6,426
AUIRS2124S Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HIGH SIDE 600V 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q100 구동 구성: High-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 500mA, 500mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 80ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음7,290
AUIRS2124STR Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HIGH SIDE 600V 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q100 구동 구성: High-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 500mA, 500mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 80ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음2,070

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