트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
XP0431300L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 150MHz, 80MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SMINI6-G1	재고 있음7,236
XP0431400L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 150MHz, 80MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SMINI6-G1	재고 있음6,714
XP0431500L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 150MHz, 80MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SMINI6-G1	재고 있음7,344
XP0431600L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 150MHz, 80MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SMINI6-G1	재고 있음5,580
XP0431N00L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 150MHz, 80MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SMINI6-G1	재고 있음7,110
XP0438700L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms, 1kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms, 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 150MHz, 80MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SMINI6-G1	재고 있음8,676
XP0611100L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS DUAL PNP SMINI6 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 80MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SMINI6-G1	재고 있음8,082
XP0611300L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS DUAL PNP SMINI6 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 80MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SMINI6-G1	재고 있음6,012
XP0611500L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS DUAL PNP SMINI6 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 80MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SMINI6-G1	재고 있음3,222
XP0621000L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SMINI6-G1	재고 있음6,444
XP0621100L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SMINI6-G1	재고 있음6,498
XP0621200L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SMINI6-G1	재고 있음8,118
XP0621300L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SMINI6-G1	재고 있음25,266
XP0621400L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SMINI6-G1	재고 있음4,176
XP0621500L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SMINI6-G1	재고 있음5,022
XP0621600L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SMINI6-G1	재고 있음2,376
0105-50 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 500MHZ 55JT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 100MHz ~ 500MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8.5dB ~ 10dB 전력-최대: 140W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 7A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55JT 공급자 장치 패키지: 55JT	재고 있음3,420
0204-125 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 60V 400MHZ 55JT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V 주파수-전환: 225MHz ~ 400MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7dB ~ 8.5dB 전력-최대: 270W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 16A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55JT 공급자 장치 패키지: 55JT	재고 있음189
0510-50A Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 27V 1GHZ 55AV 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 27V 주파수-전환: 500MHz ~ 1GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7dB 전력-최대: 50W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 3.7A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55AV 공급자 장치 패키지: 55AV	재고 있음8,082
0910-150M Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 1GHZ 55KT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 890MHz ~ 1GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8.1dB ~ 8.5dB 전력-최대: 400W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): 12A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55KT 공급자 장치 패키지: 55KT	재고 있음3,186
0910-60M Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 1GHZ 55AW 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 890MHz ~ 1GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8dB ~ 8.5dB 전력-최대: 180W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55AW 공급자 장치 패키지: 55AW	재고 있음4,986
0912-25 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55CT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V 주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8.5dB ~ 10dB 전력-최대: 125W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 300mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55CT 공급자 장치 패키지: 55CT	재고 있음5,850
0912-45 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 60V 1.215GHZ 55CT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V 주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8dB ~ 9dB 전력-최대: 225W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 300mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 4.5A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55CT 공급자 장치 패키지: 55CT	재고 있음5,634
0912-7 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 60V 1.215GHZ 55CX 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V 주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8.5dB 전력-최대: 50W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55CX 공급자 장치 패키지: 55CX	재고 있음7,560
1000MA Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,364
1000MP Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 1.15GHZ 55FW 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: 1.15GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 10.8dB 전력-최대: 5.3W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 100mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55FW 공급자 장치 패키지: 55FW	재고 있음8,208
1002MP Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 50V 1.215GHZ 55FW-1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8.24dB ~ 11dB 전력-최대: 7W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 250mA 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55FW-1 공급자 장치 패키지: 55FW-1	재고 있음7,848
1004MA Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,402
1004MP Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 50V 1.215GHZ 55FW-1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7dB ~ 9dB 전력-최대: 7W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55FW-1 공급자 장치 패키지: 55FW-1	재고 있음5,994
1014-12 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55LT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 주파수-전환: 1GHz ~ 1.4GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 6.8dB 전력-최대: 39W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 200mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55LT 공급자 장치 패키지: 55LT	재고 있음7,578

XP0431300L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 150MHz, 80MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SMINI6-G1

재고 있음7,236

XP0431400L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 150MHz, 80MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SMINI6-G1

재고 있음6,714

XP0431500L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 150MHz, 80MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SMINI6-G1

재고 있음7,344

XP0431600L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 150MHz, 80MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SMINI6-G1

재고 있음5,580

XP0431N00L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 150MHz, 80MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SMINI6-G1

재고 있음7,110

XP0438700L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms, 1kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms, 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 150MHz, 80MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SMINI6-G1

재고 있음8,676

XP0611100L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMINI6

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 80MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SMINI6-G1

재고 있음8,082

XP0611300L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMINI6

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 80MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SMINI6-G1

재고 있음6,012

XP0611500L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMINI6

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 80MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SMINI6-G1

재고 있음3,222

XP0621000L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SMINI6-G1

재고 있음6,444

XP0621100L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SMINI6-G1

재고 있음6,498

XP0621200L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SMINI6-G1

재고 있음8,118

XP0621300L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SMINI6-G1

재고 있음25,266

XP0621400L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SMINI6-G1

재고 있음4,176

XP0621500L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SMINI6-G1

재고 있음5,022

XP0621600L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SMINI6-G1

재고 있음2,376

0105-50

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 500MHZ 55JT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 100MHz ~ 500MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8.5dB ~ 10dB
전력-최대: 140W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 7A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55JT
공급자 장치 패키지: 55JT

재고 있음3,420

0204-125

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 60V 400MHZ 55JT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
주파수-전환: 225MHz ~ 400MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7dB ~ 8.5dB
전력-최대: 270W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 16A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55JT
공급자 장치 패키지: 55JT

재고 있음189

0510-50A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 27V 1GHZ 55AV

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 27V
주파수-전환: 500MHz ~ 1GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7dB
전력-최대: 50W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 3.7A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55AV
공급자 장치 패키지: 55AV

재고 있음8,082

0910-150M

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1GHZ 55KT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 890MHz ~ 1GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8.1dB ~ 8.5dB
전력-최대: 400W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): 12A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55KT
공급자 장치 패키지: 55KT

재고 있음3,186

0910-60M

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1GHZ 55AW

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 890MHz ~ 1GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8dB ~ 8.5dB
전력-최대: 180W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55AW
공급자 장치 패키지: 55AW

재고 있음4,986

0912-25

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55CT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V
주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8.5dB ~ 10dB
전력-최대: 125W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 300mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55CT
공급자 장치 패키지: 55CT

재고 있음5,850

0912-45

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 60V 1.215GHZ 55CT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8dB ~ 9dB
전력-최대: 225W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 300mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 4.5A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55CT
공급자 장치 패키지: 55CT

재고 있음5,634

0912-7

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 60V 1.215GHZ 55CX

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8.5dB
전력-최대: 50W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55CX
공급자 장치 패키지: 55CX

재고 있음7,560

1000MA

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,364

1000MP

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 1.15GHZ 55FW

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: 1.15GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 10.8dB
전력-최대: 5.3W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 100mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55FW
공급자 장치 패키지: 55FW

재고 있음8,208

1002MP

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 50V 1.215GHZ 55FW-1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8.24dB ~ 11dB
전력-최대: 7W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 250mA
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55FW-1
공급자 장치 패키지: 55FW-1

재고 있음7,848

1004MA

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,402

1004MP

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 50V 1.215GHZ 55FW-1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7dB ~ 9dB
전력-최대: 7W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55FW-1
공급자 장치 패키지: 55FW-1

재고 있음5,994

1014-12

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55LT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
주파수-전환: 1GHz ~ 1.4GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 6.8dB
전력-최대: 39W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 200mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55LT
공급자 장치 패키지: 55LT

재고 있음7,578

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