트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
2N5770_D26Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz 이득: 15dB 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 8mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,074
2N5770_D27Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz 이득: 15dB 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 8mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,028
2N5770_D74Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz 이득: 15dB 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 8mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,174
2N5770_D75Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz 이득: 15dB 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 8mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,118
2N918 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 600MHZ TO72 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 600MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 6dB @ 60kHz 이득: - 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-72	재고 있음15,438
2SA1748GRL Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS PNP 50V 250MHZ SMINI3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 주파수-전환: 250MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-85 공급자 장치 패키지: SMini3-F2	재고 있음2,988
2SA1790GCL Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS PNP 20V 300MHZ SSMINI3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 300MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2.8dB ~ 4dB @ 5MHz 이득: - 전력-최대: 125mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 1mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490 공급자 장치 패키지: SSMini3-F3	재고 있음29,868
2SA1977-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS PNP 12V 8.5GHZ SOT23 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB @ 1GHz 이득: 12dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,014
2SA1977-T1B-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS PNP 12V 8.5GHZ SOT23 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB @ 1GHz 이득: 12dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음4,626
2SA1978-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS PNP 12V 5.5GHZ SOT23 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 5.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB @ 1GHz 이득: 10dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 15mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,370
2SA1978-T1B-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS PNP 12V 5.5GHZ SOT23 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 5.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB @ 1GHz 이득: 10dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 15mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음6,714
2SC22950BL Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 250MHZ MINI3-G1 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 250MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2.8dB ~ 4dB @ 5MHz 이득: - 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: Mini3-G1	재고 있음7,344
2SC24040CL Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 650MHZ MINI3-G1 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 650MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz 이득: 24dB 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 15mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: Mini3-G1	재고 있음7,794
2SC24040DL Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 650MHZ MINI3-G1 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 650MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz 이득: 24dB 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 15mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: Mini3-G1	재고 있음5,346
2SC2714-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 30V 550MHZ SMINI 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V 주파수-전환: 550MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz 이득: 23dB 전력-최대: 100mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: S-Mini	재고 있음29,964
2SC2714-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 30V 550MHZ SMINI 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V 주파수-전환: 550MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz 이득: 23dB 전력-최대: 100mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: S-Mini	재고 있음21,630
2SC27780CL Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 230MHZ MINI3-G1 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 230MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 1mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: Mini3-G1	재고 있음22,956
2SC3356-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz 이득: 11.5dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,950
2SC3356-T1B-R24-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz 이득: 11.5dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음7,056
2SC3356-T1B-R25-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23-3 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz 이득: 11.5dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음7,560
2SC3357-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 6.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz 이득: 9dB 전력-최대: 1.2W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89	재고 있음6,192
2SC3357-T1-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 6.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz 이득: 10dB 전력-최대: 1.2W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89	재고 있음6,876
2SC3357-T1-RF-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 6.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz 이득: 10dB 전력-최대: 1.2W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89	재고 있음8,910
2SC3583-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23-3 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz 이득: 15dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음2,106
2SC3583-T1B-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz 이득: 13dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음4,932
2SC3585-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT23 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 10GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz 이득: 10dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,380
2SC3585-T1B-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT23 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 10GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz 이득: 9dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음8,190
2SC39300CL Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 250MHZ SMINI3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 250MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2.8dB ~ 4dB @ 5MHz 이득: - 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 1mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SMini3-G1	재고 있음3,150
2SC39310CL Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 650MHZ SMINI3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 650MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz 이득: 24dB 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 15mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SMini3-G1	재고 있음2,502
2SC3931GCL Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 650MHZ SMINI3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 650MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz 이득: 24dB 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 15mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-85 공급자 장치 패키지: SMini3-F2	재고 있음3,582

2N5770_D26Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz
이득: 15dB
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 8mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,074

2N5770_D27Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz
이득: 15dB
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 8mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,028

2N5770_D74Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz
이득: 15dB
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 8mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,174

2N5770_D75Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz
이득: 15dB
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 8mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,118

2N918

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 600MHZ TO72

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 600MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 6dB @ 60kHz
이득: -
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-72

재고 있음15,438

2SA1748GRL

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS PNP 50V 250MHZ SMINI3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
주파수-전환: 250MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-85
공급자 장치 패키지: SMini3-F2

재고 있음2,988

2SA1790GCL

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS PNP 20V 300MHZ SSMINI3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 300MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2.8dB ~ 4dB @ 5MHz
이득: -
전력-최대: 125mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 1mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
공급자 장치 패키지: SSMini3-F3

재고 있음29,868

2SA1977-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS PNP 12V 8.5GHZ SOT23

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB @ 1GHz
이득: 12dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,014

2SA1977-T1B-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS PNP 12V 8.5GHZ SOT23

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB @ 1GHz
이득: 12dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음4,626

2SA1978-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS PNP 12V 5.5GHZ SOT23

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 5.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB @ 1GHz
이득: 10dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 15mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,370

2SA1978-T1B-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS PNP 12V 5.5GHZ SOT23

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 5.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB @ 1GHz
이득: 10dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 15mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음6,714

2SC22950BL

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 250MHZ MINI3-G1

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 250MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2.8dB ~ 4dB @ 5MHz
이득: -
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: Mini3-G1

재고 있음7,344

2SC24040CL

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 650MHZ MINI3-G1

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 650MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz
이득: 24dB
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 15mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: Mini3-G1

재고 있음7,794

2SC24040DL

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 650MHZ MINI3-G1

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 650MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz
이득: 24dB
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 15mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: Mini3-G1

재고 있음5,346

2SC2714-O(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 30V 550MHZ SMINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
주파수-전환: 550MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz
이득: 23dB
전력-최대: 100mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: S-Mini

재고 있음29,964

2SC2714-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 30V 550MHZ SMINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
주파수-전환: 550MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz
이득: 23dB
전력-최대: 100mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: S-Mini

재고 있음21,630

2SC27780CL

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 230MHZ MINI3-G1

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 230MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 1mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: Mini3-G1

재고 있음22,956

2SC3356-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
이득: 11.5dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,950

2SC3356-T1B-R24-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
이득: 11.5dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음7,056

2SC3356-T1B-R25-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23-3

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
이득: 11.5dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음7,560

2SC3357-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 6.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
이득: 9dB
전력-최대: 1.2W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89

재고 있음6,192

2SC3357-T1-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 6.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
이득: 10dB
전력-최대: 1.2W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89

재고 있음6,876

2SC3357-T1-RF-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 6.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
이득: 10dB
전력-최대: 1.2W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89

재고 있음8,910

2SC3583-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23-3

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
이득: 15dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음2,106

2SC3583-T1B-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
이득: 13dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음4,932

2SC3585-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT23

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 10GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
이득: 10dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,380

2SC3585-T1B-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT23

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 10GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
이득: 9dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음8,190

2SC39300CL

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 250MHZ SMINI3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 250MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2.8dB ~ 4dB @ 5MHz
이득: -
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 1mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SMini3-G1

재고 있음3,150

2SC39310CL

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 650MHZ SMINI3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 650MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz
이득: 24dB
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 15mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SMini3-G1

재고 있음2,502

2SC3931GCL

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 650MHZ SMINI3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 650MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz
이득: 24dB
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 15mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-85
공급자 장치 패키지: SMini3-F2

재고 있음3,582

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message