트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
AOW296 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 100V 70A TO262 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: AlphaSGT™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 52nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2785pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 104W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-262 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음4,932
AOW298 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 9A TO262 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 58A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1670pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 100W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-262 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음2,358
AOW29S50 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 29A TO262 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: aMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 29A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26.6nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1312pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 357W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-262 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음3,454
AOW410 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V TO262 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-262 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음8,532
AOW418 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 9.5A TO262 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: SDMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A (Ta), 105A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 83nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5200pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 333W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-262 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음4,158
AOW480 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 15A TO262 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: SDMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 180A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7820pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.9W (Ta), 333W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-262 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음3,510
AOW482 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 11A TO262 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: SDMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 105A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 81nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4870pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 333W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-262 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음3,474
AOW4S60 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 4A TO262 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: aMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 263pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 83W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-262 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음2,232
AOW66616 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 60V N-CHANNEL ALPHASGT TM 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: AlphaSGT™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Ta), 140A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2870pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 6.2W (Ta), 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-262 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음17,748
AOW7S60 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 7A TO262 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: aMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.2nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 372pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 104W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-262 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음8,694
AOW7S65 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 7A TO262F 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: aMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.2nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 434pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 104W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-262 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음8,262
AOWF10N60 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 10A TO262F 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-262F 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	재고 있음8,010
AOWF10N65 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 10A TO262F 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1645pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	재고 있음5,382
AOWF10T60 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 10A TO262F 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1346pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 28W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-262F 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	재고 있음3,942
AOWF10T60P Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 10A TO-262 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1595pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 28W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-262F 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	재고 있음7,974
AOWF11C60 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 11A TO-262F 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 28W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-262F 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	재고 있음8,442
AOWF11N60 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 11A TO262F 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1990pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 27.8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-262F 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	재고 있음2,502
AOWF11N70 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 700V 11A TO262F 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 870mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2150pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 28W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	재고 있음8,280
AOWF11S60 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 11A TO262F 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: aMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 545pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 28W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	재고 있음3,024
AOWF11S65 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 11A TO262F 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: aMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.2nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 646pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 28W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	재고 있음4,896
AOWF12N50 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 12A TO262F 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1633pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 28W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	재고 있음7,956
AOWF12N60 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 12A TO262F 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2100pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 28W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	재고 있음2,826
AOWF12N65 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 12A TO262F 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2150pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 28W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	재고 있음6,876
AOWF12T60 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 12A TO262F 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1954pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 28W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-262F 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	재고 있음2,484
AOWF12T60P Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 12A TO262F 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2028pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 28W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-262F 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	재고 있음22,860
AOWF14N50 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 14A TO262F 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2297pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 28W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	재고 있음5,562
AOWF15S60 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 15A TO262F 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: aMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.6nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 717pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 27.8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	재고 있음3,240
AOWF15S65 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 15A TO262F 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: aMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.2nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 841pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 28W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	재고 있음5,868
AOWF20S60 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 20A TO262F 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: aMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.8nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1038pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 28W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	재고 있음7,722
AOWF240 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 21A TO262F 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 83A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 72nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3510pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 33.3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	재고 있음6,156

AOW296

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 100V 70A TO262

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: AlphaSGT™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 52nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2785pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 104W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-262
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음4,932

AOW298

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 9A TO262

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 58A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1670pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 100W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-262
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음2,358

AOW29S50

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 29A TO262

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: aMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 29A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1312pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 357W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-262
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음3,454

AOW410

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V TO262

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-262
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음8,532

AOW418

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 9.5A TO262

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: SDMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A (Ta), 105A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 83nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5200pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 333W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-262
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음4,158

AOW480

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 15A TO262

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: SDMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 180A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7820pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.9W (Ta), 333W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-262
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음3,510

AOW482

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 11A TO262

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: SDMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 105A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 81nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4870pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 333W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-262
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음3,474

AOW4S60

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 4A TO262

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: aMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 263pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 83W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-262
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음2,232

AOW66616

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

60V N-CHANNEL ALPHASGT TM

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: AlphaSGT™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Ta), 140A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2870pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 6.2W (Ta), 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-262
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음17,748

AOW7S60

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 7A TO262

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: aMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 372pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 104W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-262
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음8,694

AOW7S65

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 7A TO262F

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: aMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 434pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 104W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-262
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음8,262

AOWF10N60

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 10A TO262F

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-262F
패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

재고 있음8,010

AOWF10N65

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 10A TO262F

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1645pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

재고 있음5,382

AOWF10T60

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 10A TO262F

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1346pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 28W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-262F
패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

재고 있음3,942

AOWF10T60P

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 10A TO-262

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1595pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 28W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-262F
패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

재고 있음7,974

AOWF11C60

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 11A TO-262F

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 28W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-262F
패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

재고 있음8,442

AOWF11N60

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 11A TO262F

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1990pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 27.8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-262F
패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

재고 있음2,502

AOWF11N70

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 700V 11A TO262F

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 870mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2150pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 28W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

재고 있음8,280

AOWF11S60

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 11A TO262F

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: aMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 545pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 28W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

재고 있음3,024

AOWF11S65

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 11A TO262F

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: aMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 646pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 28W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

재고 있음4,896

AOWF12N50

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 12A TO262F

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1633pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 28W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

재고 있음7,956

AOWF12N60

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 12A TO262F

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2100pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 28W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

재고 있음2,826

AOWF12N65

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 12A TO262F

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2150pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 28W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

재고 있음6,876

AOWF12T60

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 12A TO262F

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1954pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 28W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-262F
패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

재고 있음2,484

AOWF12T60P

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 12A TO262F

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2028pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 28W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-262F
패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

재고 있음22,860

AOWF14N50

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 14A TO262F

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2297pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 28W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

재고 있음5,562

AOWF15S60

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 15A TO262F

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: aMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 717pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 27.8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

재고 있음3,240

AOWF15S65

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 15A TO262F

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: aMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 841pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 28W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

재고 있음5,868

AOWF20S60

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 20A TO262F

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: aMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1038pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 28W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

재고 있음7,722

AOWF240

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 21A TO262F

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 83A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 72nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3510pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 33.3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

재고 있음6,156

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