트랜지스터

AOWF25S65

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 25A TO262F

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: aMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 12.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26.4nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1278pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 28W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: -
• 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

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AOWF2606

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 13A TO262F

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta), 51A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4050pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 33.3W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-262F
• 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

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AOWF296

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 37A TO262F

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: AlphaSGT™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 37A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 52nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2785pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 26W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-262F
• 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

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AOWF412

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 7.8A TO262F

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: SDMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.8A (Ta), 30A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 54nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3220pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 33W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: -
• 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

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AOWF4N60

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 4A TO262F

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 640pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 25W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: -
• 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

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AOWF4S60

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 4A TO262F

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: aMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 263pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 25W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: -
• 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

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AOWF7S60

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 7A TO262F

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: aMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.2nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 372pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 25W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: -
• 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

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AOWF7S65

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 7A TO262F

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: aMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 434pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 25W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: -
• 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

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AOWF8N50

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 8A TO262F

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1042pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 27.8W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-262F
• 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

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AOWF9N70

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 700V 9A TO262F

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1630pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 28W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: -
• 패키지 / 케이스: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

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AOY2610E

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 60V 19A TO251B

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: AlphaSGT™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 59.5W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-251B
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Stub Leads, IPak

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AOY2N60

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 295pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 57W (Tc)
• 작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-251
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Stub Leads, IPak

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AOY4158P

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 공급자 장치 패키지: -
• 패키지 / 케이스: -

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AOY423

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 70A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V, 20V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 20V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 65nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2760pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 90W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-251B
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Stub Leads, IPak

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AOY514

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta), 46A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1187pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-251B
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Stub Leads, IPak

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

AOY516

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH TO251B

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: AlphaMOS
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 46A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1333pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-251B
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

AOY526

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta), 50A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1550pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-251B
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Stub Leads, IPak

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

AOY528

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta), 50A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-251B
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Stub Leads, IPak

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AOY66923

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

100V N-CHANNEL ALPHASGT TM

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: AlphaSGT™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.5A (Ta), 58A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1725pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 6.2W (Ta), 73W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-251B
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Stub Leads, IPak

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APL1001J

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 18A SOT-227

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7200pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 520W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 공급자 장치 패키지: ISOTOP®
• 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

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APL502B2G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 58A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 15V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 29A, 12V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9000pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 730W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: T-MAX™ [B2]
• 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant

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APL502J

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 52A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 15V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 26A, 12V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9000pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 568W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 공급자 장치 패키지: ISOTOP®
• 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

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APL502LG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 58A TO-264

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 58A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 15V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 29A, 12V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9000pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 730W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-264 [L]
• 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA

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APL602B2G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 49A T-MAX

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 49A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 12V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 24.5A, 12V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9000pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 730W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: T-MAX™ [B2]
• 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant

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APL602J

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 43A SOT-227

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 43A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 12V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 21.5A, 12V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9000pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 565W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 공급자 장치 패키지: ISOTOP®
• 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

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APL602LG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 49A TO-264

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 49A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 12V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 24.5A, 12V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9000pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 730W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-264 [L]
• 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA

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APT1001R1BN

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 10.5A TO247AD

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: POWER MOS IV®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5.25A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2950pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 310W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247AD
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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APT1001RBN

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: POWER MOS IV®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2950pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 310W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247AD
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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APT10021JFLL

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: POWER MOS 7®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 37A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 18.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 395nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9750pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 694W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 공급자 장치 패키지: ISOTOP®
• 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

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APT10021JLL

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: POWER MOS 7®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 37A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 18.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 395nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9750pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 694W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 공급자 장치 패키지: ISOTOP®
• 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

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