트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
APTM20UM05SG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 317A J3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 317A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 158.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 448nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 27400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1136W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: Module 패키지 / 케이스: J3 Module	재고 있음4,050
APTM20UM09SG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 195A J3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 195A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 74.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 217nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12300pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 780W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: Module 패키지 / 케이스: J3 Module	재고 있음5,850
APTM50DAM17G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 180A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 560nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1250W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP6 패키지 / 케이스: SP6	재고 있음4,752
APTM50DAM19G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 163A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 163A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 81.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 492nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 22400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1136W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP6 패키지 / 케이스: SP6	재고 있음5,760
APTM50DAM35TG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 99A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 99A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 49.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 280nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 781W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP4 패키지 / 케이스: SP4	재고 있음7,416
APTM50DAM38CTG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 90A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 246nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 694W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP4 패키지 / 케이스: SP4	재고 있음3,384
APTM50DAM38TG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 90A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 246nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 694W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP4 패키지 / 케이스: SP4	재고 있음7,254
APTM50SKM17G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 180A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 560nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1250W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP6 패키지 / 케이스: SP6	재고 있음4,626
APTM50SKM19G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 163A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 163A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 81.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 492nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 22400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1136W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP6 패키지 / 케이스: SP6	재고 있음5,976
APTM50SKM35TG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 99A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 99A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 49.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 280nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 781W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP4 패키지 / 케이스: SP4	재고 있음8,028
APTM50SKM38TG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 90A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 246nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 694W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP4 패키지 / 케이스: SP4	재고 있음6,606
APTM50UM09FAG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 497A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 497A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 248.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 30mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1200nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 63300pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 5000W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP6 패키지 / 케이스: SP6	재고 있음4,302
APTM50UM13SAG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 335A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 335A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 167.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 20mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 800nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 42200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3290W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP6 패키지 / 케이스: SP6	재고 있음4,122
APTM50UM19SG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 163A J3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 163A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 81.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 492nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 22400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1136W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: Module 패키지 / 케이스: J3 Module	재고 있음5,976
APTM50UM25SG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 149A J3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 149A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 74.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 364nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 17500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1250W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: Module 패키지 / 케이스: J3 Module	재고 있음7,146
APTML100U60R020T1AG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 20A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 520W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP1 패키지 / 케이스: SP1	재고 있음3,942
APTML10UM09R004T1AG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 154A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 154A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9875pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 480W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP1 패키지 / 케이스: SP1	재고 있음6,462
APTML20UM18R010T1AG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 109A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 109A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9880pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 480W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP1 패키지 / 케이스: SP1	재고 있음4,950
APTML50UM90R020T1AG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 52A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 52A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 108mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 568W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP1 패키지 / 케이스: SP1	재고 있음6,714
APTML60U12R020T1AG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 45A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 22.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 568W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP1 패키지 / 케이스: SP1	재고 있음6,156
ATP101-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 25A ATPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 875pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 30W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: ATPAK 패키지 / 케이스: ATPAK (2 leads+tab)	재고 있음5,976
ATP101-TL-HX ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 875pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 30W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: ATPAK 패키지 / 케이스: ATPAK (2 leads+tab)	재고 있음5,202
ATP101-V-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 25A ATPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: ATPAK 패키지 / 케이스: ATPAK (2 leads+tab)	재고 있음2,412
ATP102-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 40A ATPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1490pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 40W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: ATPAK 패키지 / 케이스: ATPAK (2 leads+tab)	재고 있음7,128
ATP103-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 55A ATPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 55A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2430pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 50W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: ATPAK 패키지 / 케이스: ATPAK (2 leads+tab)	재고 있음6,714
ATP104-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 75A ATPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 76nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3950pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 60W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: ATPAK 패키지 / 케이스: ATPAK (2 leads+tab)	재고 있음5,292
ATP104-TL-HX ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 75A ATPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 76nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3950pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 60W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: ATPAK 패키지 / 케이스: ATPAK (2 leads+tab)	재고 있음2,628
ATP106-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 40V 30A ATPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1380pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 40W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: ATPAK 패키지 / 케이스: ATPAK (2 leads+tab)	재고 있음7,704
ATP107-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 40V 50A ATPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 50W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: ATPAK 패키지 / 케이스: ATPAK (2 leads+tab)	재고 있음6,804
ATP108-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 40V 70A ATPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 79.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3850pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 60W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: ATPAK 패키지 / 케이스: ATPAK (2 leads+tab)	재고 있음51,816

APTM20UM05SG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 317A J3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 317A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 158.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 448nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 27400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1136W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: Module
패키지 / 케이스: J3 Module

재고 있음4,050

APTM20UM09SG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 195A J3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 195A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 74.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 217nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12300pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 780W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: Module
패키지 / 케이스: J3 Module

재고 있음5,850

APTM50DAM17G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 180A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 560nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1250W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP6
패키지 / 케이스: SP6

재고 있음4,752

APTM50DAM19G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 163A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 163A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 81.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 492nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 22400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1136W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP6
패키지 / 케이스: SP6

재고 있음5,760

APTM50DAM35TG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 99A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 99A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 49.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 280nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 781W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP4
패키지 / 케이스: SP4

재고 있음7,416

APTM50DAM38CTG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 90A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 246nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 694W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP4
패키지 / 케이스: SP4

재고 있음3,384

APTM50DAM38TG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 90A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 246nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 694W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP4
패키지 / 케이스: SP4

재고 있음7,254

APTM50SKM17G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 180A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 560nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1250W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP6
패키지 / 케이스: SP6

재고 있음4,626

APTM50SKM19G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 163A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 163A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 81.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 492nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 22400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1136W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP6
패키지 / 케이스: SP6

재고 있음5,976

APTM50SKM35TG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 99A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 99A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 49.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 280nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 781W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP4
패키지 / 케이스: SP4

재고 있음8,028

APTM50SKM38TG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 90A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 246nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 694W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP4
패키지 / 케이스: SP4

재고 있음6,606

APTM50UM09FAG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 497A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 497A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 248.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 30mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1200nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 63300pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 5000W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP6
패키지 / 케이스: SP6

재고 있음4,302

APTM50UM13SAG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 335A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 335A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 167.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 20mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 800nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 42200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3290W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP6
패키지 / 케이스: SP6

재고 있음4,122

APTM50UM19SG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 163A J3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 163A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 81.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 492nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 22400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1136W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: Module
패키지 / 케이스: J3 Module

재고 있음5,976

APTM50UM25SG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 149A J3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 149A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 74.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 364nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 17500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1250W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: Module
패키지 / 케이스: J3 Module

재고 있음7,146

APTML100U60R020T1AG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 20A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 520W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP1
패키지 / 케이스: SP1

재고 있음3,942

APTML10UM09R004T1AG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 154A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 154A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9875pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 480W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP1
패키지 / 케이스: SP1

재고 있음6,462

APTML20UM18R010T1AG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 109A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 109A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9880pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 480W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP1
패키지 / 케이스: SP1

재고 있음4,950

APTML50UM90R020T1AG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 52A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 52A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 108mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 568W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP1
패키지 / 케이스: SP1

재고 있음6,714

APTML60U12R020T1AG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 45A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 568W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP1
패키지 / 케이스: SP1

재고 있음6,156

ATP101-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 25A ATPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 875pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 30W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: ATPAK
패키지 / 케이스: ATPAK (2 leads+tab)

재고 있음5,976

ATP101-TL-HX

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 875pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 30W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: ATPAK
패키지 / 케이스: ATPAK (2 leads+tab)

재고 있음5,202

ATP101-V-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 25A ATPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: ATPAK
패키지 / 케이스: ATPAK (2 leads+tab)

재고 있음2,412

ATP102-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 40A ATPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1490pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 40W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: ATPAK
패키지 / 케이스: ATPAK (2 leads+tab)

재고 있음7,128

ATP103-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 55A ATPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 55A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2430pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 50W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: ATPAK
패키지 / 케이스: ATPAK (2 leads+tab)

재고 있음6,714

ATP104-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 75A ATPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 76nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3950pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 60W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: ATPAK
패키지 / 케이스: ATPAK (2 leads+tab)

재고 있음5,292

ATP104-TL-HX

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 75A ATPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 76nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3950pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 60W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: ATPAK
패키지 / 케이스: ATPAK (2 leads+tab)

재고 있음2,628

ATP106-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 40V 30A ATPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1380pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 40W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: ATPAK
패키지 / 케이스: ATPAK (2 leads+tab)

재고 있음7,704

ATP107-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 40V 50A ATPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 50W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: ATPAK
패키지 / 케이스: ATPAK (2 leads+tab)

재고 있음6,804

ATP108-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 40V 70A ATPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 79.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3850pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 60W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: ATPAK
패키지 / 케이스: ATPAK (2 leads+tab)

재고 있음51,816

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