트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
APTM10SKM02G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 495A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 495A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 200A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1360nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1250W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP6 패키지 / 케이스: SP6	재고 있음5,364
APTM10SKM05TG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 278A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 278A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 125A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 700nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 780W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP4 패키지 / 케이스: SP4	재고 있음8,334
APTM10UM01FAG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 860A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 860A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 275A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 12mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2100nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2500W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP6 패키지 / 케이스: SP6	재고 있음177
APTM10UM02FAG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 570A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 570A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 200A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1360nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1660W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP6 패키지 / 케이스: SP6	재고 있음7,254
APTM120DA15G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1200V 60A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 748nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1250W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP6 패키지 / 케이스: SP6	재고 있음6,372
APTM120DA29TG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1200V 34A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 348mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 374nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10300pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 780W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP4 패키지 / 케이스: SP4	재고 있음7,344
APTM120DA30CT1G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1200V 31A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 8™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 560nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14560pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 657W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP1 패키지 / 케이스: SP1	재고 있음4,338
APTM120DA30T1G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1200V 31A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 560nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14560pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 657W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP1 패키지 / 케이스: SP1	재고 있음7,470
APTM120DA56T1G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1200V 18A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 672mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7736pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 390W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP1 패키지 / 케이스: SP1	재고 있음3,186
APTM120DA68T1G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1200V 15A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 816mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 260nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6696pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 357W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP1 패키지 / 케이스: SP1	재고 있음7,722
APTM120SK15G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1200V 60A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 748nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1250W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP6 패키지 / 케이스: SP6	재고 있음2,214
APTM120SK29TG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1200V 34A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 348mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 374nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10300pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 780W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP4 패키지 / 케이스: SP4	재고 있음4,482
APTM120SK56T1G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1200V 18A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 672mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7736pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 390W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP1 패키지 / 케이스: SP1	재고 있음8,838
APTM120SK68T1G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1200V 15A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 816mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 260nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6696pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 357W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP1 패키지 / 케이스: SP1	재고 있음7,668
APTM120U10DAG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 58A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 20mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1100nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28900pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3290W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP6 패키지 / 케이스: SP6	재고 있음6,696
APTM120U10SAG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 116A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 58A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 20mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1100nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28900pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3290W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP6 패키지 / 케이스: SP6	재고 있음5,796
APTM120U10SCAVG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 116A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 58A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 20mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1100nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28900pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3290W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP6 패키지 / 케이스: SP6	재고 있음7,686
APTM120UM70DAG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1200V 171A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 171A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 85.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 30mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1650nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 43500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 5000W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP6 패키지 / 케이스: SP6	재고 있음7,092
APTM120UM70FAG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1200V 171A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 171A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 85.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 30mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1650nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 43500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 5000W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP6 패키지 / 케이스: SP6	재고 있음3,006
APTM120UM95FAG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1200V 103A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 103A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 51.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 15mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1122nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30900pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2272W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP6 패키지 / 케이스: SP6	재고 있음6,642
APTM20DAM04G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 372A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 372A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 186A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 560nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28900pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1250W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP6 패키지 / 케이스: SP6	재고 있음4,968
APTM20DAM05G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 317A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 317A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 158.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 448nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 27400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1136W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP6 패키지 / 케이스: SP6	재고 있음6,840
APTM20DAM08TG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 208A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 208A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 104A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 280nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 781W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP4 패키지 / 케이스: SP4	재고 있음3,114
APTM20DAM10TG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 175A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 175A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 87.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 224nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13700pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 694W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP4 패키지 / 케이스: SP4	재고 있음2,628
APTM20SKM04G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 372A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 372A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 186A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 560nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28900pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1250W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP6 패키지 / 케이스: SP6	재고 있음3,492
APTM20SKM05G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 317A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 317A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 158.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 448nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 27400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1136W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP6 패키지 / 케이스: SP6	재고 있음2,808
APTM20SKM08TG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 208A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 208A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 104A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 280nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 781W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP4 패키지 / 케이스: SP4	재고 있음8,550
APTM20SKM10TG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 175A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 175A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 87.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 224nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13700pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 694W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP4 패키지 / 케이스: SP4	재고 있음8,766
APTM20UM03FAG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 580A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 580A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 290A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 15mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 840nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 43300pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2270W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP6 패키지 / 케이스: SP6	재고 있음7,128
APTM20UM04SAG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 417A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 417A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 208.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 560nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1560W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP6 패키지 / 케이스: SP6	재고 있음3,006

APTM10SKM02G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 495A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 495A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 200A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1360nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1250W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP6
패키지 / 케이스: SP6

재고 있음5,364

APTM10SKM05TG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 278A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 278A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 125A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 700nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 780W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP4
패키지 / 케이스: SP4

재고 있음8,334

APTM10UM01FAG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 860A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 860A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 275A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 12mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2100nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2500W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP6
패키지 / 케이스: SP6

재고 있음177

APTM10UM02FAG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 570A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 570A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 200A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1360nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1660W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP6
패키지 / 케이스: SP6

재고 있음7,254

APTM120DA15G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1200V 60A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 748nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1250W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP6
패키지 / 케이스: SP6

재고 있음6,372

APTM120DA29TG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1200V 34A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 348mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 374nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10300pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 780W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP4
패키지 / 케이스: SP4

재고 있음7,344

APTM120DA30CT1G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1200V 31A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 8™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 560nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14560pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 657W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP1
패키지 / 케이스: SP1

재고 있음4,338

APTM120DA30T1G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1200V 31A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 560nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14560pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 657W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP1
패키지 / 케이스: SP1

재고 있음7,470

APTM120DA56T1G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1200V 18A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 672mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7736pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 390W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP1
패키지 / 케이스: SP1

재고 있음3,186

APTM120DA68T1G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1200V 15A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 816mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 260nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6696pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 357W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP1
패키지 / 케이스: SP1

재고 있음7,722

APTM120SK15G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1200V 60A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 748nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1250W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP6
패키지 / 케이스: SP6

재고 있음2,214

APTM120SK29TG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1200V 34A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 348mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 374nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10300pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 780W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP4
패키지 / 케이스: SP4

재고 있음4,482

APTM120SK56T1G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1200V 18A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 672mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7736pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 390W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP1
패키지 / 케이스: SP1

재고 있음8,838

APTM120SK68T1G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1200V 15A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 816mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 260nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6696pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 357W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP1
패키지 / 케이스: SP1

재고 있음7,668

APTM120U10DAG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1200V 116A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 58A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 20mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1100nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28900pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3290W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP6
패키지 / 케이스: SP6

재고 있음6,696

APTM120U10SAG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1200V 116A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 116A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 58A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 20mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1100nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28900pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3290W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP6
패키지 / 케이스: SP6

재고 있음5,796

APTM120U10SCAVG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1200V 116A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 116A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 58A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 20mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1100nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28900pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3290W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP6
패키지 / 케이스: SP6

재고 있음7,686

APTM120UM70DAG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1200V 171A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 171A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 85.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 30mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1650nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 43500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 5000W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP6
패키지 / 케이스: SP6

재고 있음7,092

APTM120UM70FAG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1200V 171A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 171A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 85.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 30mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1650nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 43500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 5000W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP6
패키지 / 케이스: SP6

재고 있음3,006

APTM120UM95FAG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1200V 103A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 103A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 51.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 15mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1122nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30900pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2272W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP6
패키지 / 케이스: SP6

재고 있음6,642

APTM20DAM04G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 372A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 372A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 186A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 560nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28900pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1250W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP6
패키지 / 케이스: SP6

재고 있음4,968

APTM20DAM05G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 317A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 317A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 158.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 448nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 27400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1136W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP6
패키지 / 케이스: SP6

재고 있음6,840

APTM20DAM08TG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 208A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 208A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 104A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 280nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 781W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP4
패키지 / 케이스: SP4

재고 있음3,114

APTM20DAM10TG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 175A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 175A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 87.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 224nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13700pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 694W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP4
패키지 / 케이스: SP4

재고 있음2,628

APTM20SKM04G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 372A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 372A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 186A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 560nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28900pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1250W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP6
패키지 / 케이스: SP6

재고 있음3,492

APTM20SKM05G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 317A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 317A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 158.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 448nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 27400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1136W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP6
패키지 / 케이스: SP6

재고 있음2,808

APTM20SKM08TG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 208A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 208A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 104A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 280nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 781W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP4
패키지 / 케이스: SP4

재고 있음8,550

APTM20SKM10TG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 175A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 175A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 87.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 224nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13700pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 694W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP4
패키지 / 케이스: SP4

재고 있음8,766

APTM20UM03FAG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 580A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 580A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 290A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 15mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 840nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 43300pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2270W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP6
패키지 / 케이스: SP6

재고 있음7,128

APTM20UM04SAG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 417A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 417A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 208.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 560nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1560W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP6
패키지 / 케이스: SP6

재고 있음3,006

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