트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
AT-64000-GP4 Broadcom	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V BIPOLAR CHIP 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 3W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 110mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,092
AT-64020 Broadcom	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 200SMD 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 3W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 110mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD (200 mil BeO) 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,214
AT-64023 Broadcom	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 230 MIL BE0 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 3W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 110mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD (230 mil BeO) 공급자 장치 패키지: 230 mil Be0	재고 있음7,416
BF199 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 25V 1.1GHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V 주파수-전환: 1.1GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 38 @ 7mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,060
BF199_D74Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 25V 1.1GHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V 주파수-전환: 1.1GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 38 @ 7mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,258
BF199_J35Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 25V 1.1GHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V 주파수-전환: 1.1GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 38 @ 7mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,380
BF240 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 40V 1.1GHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V 주파수-전환: 1.1GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,243
BF240,112 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 40V 150MHZ TO92-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V 주파수-전환: 150MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 67 @ 1mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,652
BF240_D74Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 40V 1.1GHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V 주파수-전환: 1.1GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,592
BF240_J35Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 40V 1.1GHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V 주파수-전환: 1.1GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,400
BF240_ND74Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 40V 1.1GHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V 주파수-전환: 1.1GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,694
BF494 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 67 @ 1mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,266
BF494_D27Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 67 @ 1mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,160
BF494_D74Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 67 @ 1mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,106
BF 770A E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT23-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 6GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 9.5dB ~ 14.5dB 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 90mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음5,328
BF771E6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 10dB ~ 15dB 전력-최대: 580mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음5,724
BF 775 E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 10.5dB ~ 16dB 전력-최대: 280mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 45mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음3,294
BF776E6327FTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT343-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.7V 주파수-전환: 46GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz 이득: 24dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 30mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4	재고 있음7,992
BF776H6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT343-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.7V 주파수-전환: 46GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz 이득: 24dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 30mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4	재고 있음24,888
BF799E6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 800MHZ SOT23-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 800MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz 이득: - 전력-최대: 280mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음8,964
BF799WE6327BTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 800MHZ SOT323-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 800MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz 이득: - 전력-최대: 280mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3	재고 있음2,538
BF799WH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 800MHZ SOT323-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 800MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz 이득: - 전력-최대: 280mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3	재고 있음3,348
BF959 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 700MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz 이득: - 전력-최대: 625mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,650
BF959G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 700MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz 이득: - 전력-최대: 625mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,896
BF959RL1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 700MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz 이득: - 전력-최대: 625mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,544
BF959RL1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 700MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz 이득: - 전력-최대: 625mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,124
BF959ZL1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 700MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz 이득: - 전력-최대: 625mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,434
BF959ZL1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 700MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz 이득: - 전력-최대: 625mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,650
BFG10,215 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 8V 1.9GHZ SOT143B 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 8V 주파수-전환: 1.9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7dB 전력-최대: 400mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 250mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음7,434
BFG10W/X,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 1.9GHZ 4SO 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 1.9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 400mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 250mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-343 Reverse Pinning 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음4,788

AT-64000-GP4

Broadcom

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V BIPOLAR CHIP

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 3W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 110mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,092

AT-64020

Broadcom

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 200SMD

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 3W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 110mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD (200 mil BeO)
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,214

AT-64023

Broadcom

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 230 MIL BE0

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 3W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 110mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD (230 mil BeO)
공급자 장치 패키지: 230 mil Be0

재고 있음7,416

BF199

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 25V 1.1GHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
주파수-전환: 1.1GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 38 @ 7mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,060

BF199_D74Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 25V 1.1GHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
주파수-전환: 1.1GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 38 @ 7mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,258

BF199_J35Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 25V 1.1GHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
주파수-전환: 1.1GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 38 @ 7mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,380

BF240

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 40V 1.1GHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
주파수-전환: 1.1GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,243

BF240,112

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 40V 150MHZ TO92-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
주파수-전환: 150MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 67 @ 1mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,652

BF240_D74Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 40V 1.1GHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
주파수-전환: 1.1GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,592

BF240_J35Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 40V 1.1GHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
주파수-전환: 1.1GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,400

BF240_ND74Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 40V 1.1GHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
주파수-전환: 1.1GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,694

BF494

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 67 @ 1mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,266

BF494_D27Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 67 @ 1mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,160

BF494_D74Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 67 @ 1mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,106

BF 770A E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT23-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 6GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 9.5dB ~ 14.5dB
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 90mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음5,328

BF771E6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 10dB ~ 15dB
전력-최대: 580mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음5,724

BF 775 E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 10.5dB ~ 16dB
전력-최대: 280mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 45mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음3,294

BF776E6327FTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT343-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.7V
주파수-전환: 46GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
이득: 24dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 30mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4

재고 있음7,992

BF776H6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT343-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.7V
주파수-전환: 46GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
이득: 24dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 30mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4

재고 있음24,888

BF799E6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 800MHZ SOT23-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 800MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz
이득: -
전력-최대: 280mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음8,964

BF799WE6327BTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 800MHZ SOT323-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 800MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz
이득: -
전력-최대: 280mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3

재고 있음2,538

BF799WH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 800MHZ SOT323-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 800MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz
이득: -
전력-최대: 280mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3

재고 있음3,348

BF959

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 700MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz
이득: -
전력-최대: 625mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,650

BF959G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 700MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz
이득: -
전력-최대: 625mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,896

BF959RL1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 700MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz
이득: -
전력-최대: 625mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,544

BF959RL1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 700MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz
이득: -
전력-최대: 625mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,124

BF959ZL1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 700MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz
이득: -
전력-최대: 625mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,434

BF959ZL1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 700MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz
이득: -
전력-최대: 625mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,650

BFG10,215

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 8V 1.9GHZ SOT143B

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 8V
주파수-전환: 1.9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7dB
전력-최대: 400mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 250mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143B

재고 있음7,434

BFG10W/X,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 1.9GHZ 4SO

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 1.9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 400mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 250mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-343 Reverse Pinning
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음4,788

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message