트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
FDY302NZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V SC-89-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 625mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-89-3 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490	재고 있음157,584
FDZ191P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.9W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-WLCSP (1.0x1.5) 패키지 / 케이스: 6-UFBGA, WLCSP	재고 있음235,818
FDZ191P_P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.9W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-WLCSP (1.0x1.5) 패키지 / 케이스: 6-UFBGA, WLCSP	재고 있음6,858
FDZ193P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 3A 8-WLCSP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.7V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.9W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-WLCSP (1.0x1.5) 패키지 / 케이스: 6-UFBGA, WLCSP	재고 있음41,214
FDZ197PZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-WLCSP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1570pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.9W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-WLCSP (1.0x1.5) 패키지 / 케이스: 6-UFBGA, WLCSP	재고 있음4,806
FDZ201N ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 9A BGA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1127pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 12-BGA (2x2.5) 패키지 / 케이스: 12-WFBGA	재고 있음4,248
FDZ202P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 5.5A BGA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 884pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 12-BGA (2x2.5) 패키지 / 케이스: 12-WFBGA	재고 있음2,214
FDZ203N ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 7.5A BGA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1127pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 9-BGA (2x2.1) 패키지 / 케이스: 9-WFBGA	재고 있음7,902
FDZ204P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 4.5A BGA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 884pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 9-BGA (2x2.1) 패키지 / 케이스: 9-WFBGA	재고 있음3,580
FDZ206P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 13A BGA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4280pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 30-BGA (4x3.5) 패키지 / 케이스: 30-WFBGA	재고 있음4,680
FDZ208P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 12.5A BGA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 5V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2409pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 30-BGA (4x3.5) 패키지 / 케이스: 30-WFBGA	재고 있음4,194
FDZ209N ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 4A 12-BGA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 657pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 12-BGA (2x2.5) 패키지 / 케이스: 12-WFBGA	재고 있음3,636
FDZ291P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 4.6A BGA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1010pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.7W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 9-BGA (1.5x1.6) 패키지 / 케이스: 9-VFBGA	재고 있음3,546
FDZ293P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 4.6A BGA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 754pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.7W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 9-BGA (1.5x1.6) 패키지 / 케이스: 9-VFBGA	재고 있음6,210
FDZ294N ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 6A 9-BGA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 670pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.7W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 9-BGA (1.5x1.6) 패키지 / 케이스: 9-VFBGA	재고 있음7,218
FDZ298N ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 6A BGA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 680pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.7W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 9-BGA (1.5x1.6) 패키지 / 케이스: 9-WFBGA	재고 있음3,600
FDZ299P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 4.6A BGA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 742pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.7W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 9-BGA (2x2.1) 패키지 / 케이스: 9-WFBGA	재고 있음7,974
FDZ371PZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 3.7A WLCSP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.7W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-WLCSP (1x1) 패키지 / 케이스: 4-XFBGA, WLCSP	재고 있음6,480
FDZ375P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V WLCSP 1X1 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 865pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.7W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-WLCSP (1x1) 패키지 / 케이스: 4-XFBGA, WLCSP	재고 있음6,372
FDZ391P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 3A 6-WLCSP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1065pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.9W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-WLCSP (1.0x1.5) 패키지 / 케이스: 6-XFBGA, WLCSP	재고 있음3,546
FDZ3N513ZT ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V WLCSP 1X1 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 462mOhm @ 300mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1nC @ 4.5V Vgs (최대): +5.5V, -0.3V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 85pF @ 15V FET 기능: Schottky Diode (Body) 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-WLCSP (0.96x0.96) 패키지 / 케이스: 4-UFBGA, WLCSP	재고 있음3,366
FDZ4670 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 25A FLFBGA 3.5X4 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3540pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 20-FLFBGA (3.55x4) 패키지 / 케이스: 20-FLFBGA (30 pos)	재고 있음2,106
FDZ4670S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 25A 20FLFBGA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench®, SyncFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 69nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3845pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 20-FLFBGA (3.55x4) 패키지 / 케이스: 20-FLFBGA (30 pos)	재고 있음5,454
FDZ493P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 4.6A 9-BGA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 754pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.7W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 9-BGA (1.55x1.55) 패키지 / 케이스: 9-WFBGA	재고 있음6,624
FDZ5047N ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 22A BGA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 73nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4993pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 36-BGA (5x5.5) 패키지 / 케이스: 36-VFBGA	재고 있음8,640
FDZ661PZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 2.6A 4-WLCSP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 555pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-WLCSP (0.8x0.8) 패키지 / 케이스: 4-XFBGA, WLCSP	재고 있음4,680
FDZ663P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-WLCSP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.2nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 525pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-WLCSP (0.8x0.8) 패키지 / 케이스: 4-XFBGA, WLCSP	재고 있음5,562
FDZ7064AS ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 13.5A BGA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 13.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1960pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 30-BGA (4x3.5) 패키지 / 케이스: 30-WFBGA	재고 있음5,778
FDZ7064N ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 13.5A BGA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3843pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 30-BGA (4x3.5) 패키지 / 케이스: 30-WFBGA	재고 있음7,974
FDZ7296 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 11A BGA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1520pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 18-BGA (2.5x4) 패키지 / 케이스: 18-WFBGA	재고 있음2,628

FDY302NZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V SC-89-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 625mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-89-3
패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490

재고 있음157,584

FDZ191P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.9W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-WLCSP (1.0x1.5)
패키지 / 케이스: 6-UFBGA, WLCSP

재고 있음235,818

FDZ191P_P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.9W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-WLCSP (1.0x1.5)
패키지 / 케이스: 6-UFBGA, WLCSP

재고 있음6,858

FDZ193P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3A 8-WLCSP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.7V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.9W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-WLCSP (1.0x1.5)
패키지 / 케이스: 6-UFBGA, WLCSP

재고 있음41,214

FDZ197PZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-WLCSP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1570pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.9W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-WLCSP (1.0x1.5)
패키지 / 케이스: 6-UFBGA, WLCSP

재고 있음4,806

FDZ201N

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 9A BGA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1127pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 12-BGA (2x2.5)
패키지 / 케이스: 12-WFBGA

재고 있음4,248

FDZ202P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 5.5A BGA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 884pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 12-BGA (2x2.5)
패키지 / 케이스: 12-WFBGA

재고 있음2,214

FDZ203N

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 7.5A BGA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1127pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 9-BGA (2x2.1)
패키지 / 케이스: 9-WFBGA

재고 있음7,902

FDZ204P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 4.5A BGA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 884pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 9-BGA (2x2.1)
패키지 / 케이스: 9-WFBGA

재고 있음3,580

FDZ206P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 13A BGA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4280pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 30-BGA (4x3.5)
패키지 / 케이스: 30-WFBGA

재고 있음4,680

FDZ208P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 12.5A BGA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 5V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2409pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 30-BGA (4x3.5)
패키지 / 케이스: 30-WFBGA

재고 있음4,194

FDZ209N

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 4A 12-BGA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 657pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 12-BGA (2x2.5)
패키지 / 케이스: 12-WFBGA

재고 있음3,636

FDZ291P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 4.6A BGA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1010pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.7W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 9-BGA (1.5x1.6)
패키지 / 케이스: 9-VFBGA

재고 있음3,546

FDZ293P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 4.6A BGA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 754pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.7W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 9-BGA (1.5x1.6)
패키지 / 케이스: 9-VFBGA

재고 있음6,210

FDZ294N

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 6A 9-BGA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 670pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.7W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 9-BGA (1.5x1.6)
패키지 / 케이스: 9-VFBGA

재고 있음7,218

FDZ298N

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 6A BGA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 680pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.7W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 9-BGA (1.5x1.6)
패키지 / 케이스: 9-WFBGA

재고 있음3,600

FDZ299P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 4.6A BGA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 742pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.7W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 9-BGA (2x2.1)
패키지 / 케이스: 9-WFBGA

재고 있음7,974

FDZ371PZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3.7A WLCSP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.7W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-WLCSP (1x1)
패키지 / 케이스: 4-XFBGA, WLCSP

재고 있음6,480

FDZ375P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V WLCSP 1X1

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 865pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.7W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-WLCSP (1x1)
패키지 / 케이스: 4-XFBGA, WLCSP

재고 있음6,372

FDZ391P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3A 6-WLCSP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1065pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.9W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-WLCSP (1.0x1.5)
패키지 / 케이스: 6-XFBGA, WLCSP

재고 있음3,546

FDZ3N513ZT

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V WLCSP 1X1

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 462mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1nC @ 4.5V
Vgs (최대): +5.5V, -0.3V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 85pF @ 15V
FET 기능: Schottky Diode (Body)
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-WLCSP (0.96x0.96)
패키지 / 케이스: 4-UFBGA, WLCSP

재고 있음3,366

FDZ4670

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 25A FLFBGA 3.5X4

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3540pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 20-FLFBGA (3.55x4)
패키지 / 케이스: 20-FLFBGA (30 pos)

재고 있음2,106

FDZ4670S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 25A 20FLFBGA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®, SyncFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 69nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3845pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 20-FLFBGA (3.55x4)
패키지 / 케이스: 20-FLFBGA (30 pos)

재고 있음5,454

FDZ493P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 4.6A 9-BGA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 754pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.7W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 9-BGA (1.55x1.55)
패키지 / 케이스: 9-WFBGA

재고 있음6,624

FDZ5047N

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 22A BGA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 73nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4993pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 36-BGA (5x5.5)
패키지 / 케이스: 36-VFBGA

재고 있음8,640

FDZ661PZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 2.6A 4-WLCSP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 555pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-WLCSP (0.8x0.8)
패키지 / 케이스: 4-XFBGA, WLCSP

재고 있음4,680

FDZ663P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-WLCSP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 525pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-WLCSP (0.8x0.8)
패키지 / 케이스: 4-XFBGA, WLCSP

재고 있음5,562

FDZ7064AS

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 13.5A BGA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1960pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 30-BGA (4x3.5)
패키지 / 케이스: 30-WFBGA

재고 있음5,778

FDZ7064N

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 13.5A BGA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3843pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 30-BGA (4x3.5)
패키지 / 케이스: 30-WFBGA

재고 있음7,974

FDZ7296

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 11A BGA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1520pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 18-BGA (2.5x4)
패키지 / 케이스: 18-WFBGA

재고 있음2,628

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message