트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
FJ3303010L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 100MA SSSMINI3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 3V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SSSMini3-F2-B 패키지 / 케이스: SOT-723	재고 있음8,514
FJ3P02100L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P CH 20V 4.4A PMCP 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 3.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.05V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3000pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-PMCP 패키지 / 케이스: 3-SMD, Non-Standard	재고 있음3,544
FJ4B01100L1 Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 CSP SINGLE P-CHANNEL MOSFET 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1.2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 459pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 360mW (Ta) 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: XLGA004-W-0808-RA01 패키지 / 케이스: 4-XFLGA, CSP	재고 있음22,362
FJ4B01110L1 Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 CSP SINGLE P-CHANNEL MOSFET 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 153mOhm @ 700mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 598µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.3nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 226pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 340mW (Ta) 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: ALGA004-W-0606-RA01 패키지 / 케이스: 4-XFLGA, CSP	재고 있음8,064
FJ4B01120L1 Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 CSP SINGLE P-CHANNEL MOSFET 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 814pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 370mW (Ta) 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: ULGA004-W-1010-RA01 패키지 / 케이스: 4-XFLGA, CSP	재고 있음14,874
FJ6K01010L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: WSMini6-F1-B 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads	재고 있음3,996
FK3303010L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 100MA SSSMINI3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 3V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SSSMini3-F2-B 패키지 / 케이스: SOT-723	재고 있음234,954
FK3306010L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 100MA SSSMINI3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 3V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SSSMini3-F2-B 패키지 / 케이스: SOT-723	재고 있음501,090
FK3503010L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 100MA SMINI3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 3V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SMini3-F2-B 패키지 / 케이스: SC-85	재고 있음126,738
FK3506010L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 100MA SMINI3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 3V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SMini3-F2-B 패키지 / 케이스: SC-85	재고 있음28,812
FK3906010L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 100MA SSMINI3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 3V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SSMini3-F3-B 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490	재고 있음8,118
FK3P02110L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 24V 3A PMCP 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 3A, 2.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-PMCP 패키지 / 케이스: 3-SMD, Non-Standard	재고 있음8,478
FK4B01100L1 Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 CSP SINGLE N-CHANNEL MOSFET 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 236µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.8nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 275pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 360mW (Ta) 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: XLGA004-W-0808-RA01 패키지 / 케이스: 4-XFLGA, CSP	재고 있음13,188
FK4B01110L1 Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 CSP SINGLE N-CHANNEL MOSFET 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 118µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.55nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 274pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 340mW (Ta) 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: ALGA004-W-0606-RA01 패키지 / 케이스: 4-XFLGA, CSP	재고 있음3,528
FK4B01120L1 Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 CSP SINGLE N-CHANNEL MOSFET 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 394µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 490pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 370mW (Ta) 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: ULGA004-W-1010-RA01 패키지 / 케이스: 4-XFLGA, CSP	재고 있음3,708
FK6K02010L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 4.5A WSMINI6 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1730pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: WSMini6-F1-B 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads	재고 있음2,322
FK8V03020L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 33V 14A WMINI8 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 33V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 2.2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: WMini8-F1 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead	재고 있음4,122
FK8V03030L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 33V 12A WMINI8 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 33V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1.73mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.2nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: WMini8-F1 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead	재고 있음4,194
FK8V03040L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 33V 10A WMINI8-F1 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 33V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1.12mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.2nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: WMini8-F1 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead	재고 있음4,248
FK8V03050L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 33V 8A WMINI8-F1 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 33V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 730µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.1nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 520pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: WMini8-F1 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead	재고 있음5,490
FK8V03060L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 33V 6.5A WMINI8 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 33V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 0.48mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 360pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: WMini8-F1 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead	재고 있음8,514
FKI06051 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 69A TO-220F 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 69A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6210pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 42W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220F 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음5,544
FKI06075 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 52A TO-220F 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 52A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 39A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3810pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 40W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220F 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음4,932
FKI06108 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 39A TO-220F 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 39A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 28.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 650µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2520pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 38W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220F 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음6,642
FKI06190 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 30A TO-220F 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 19.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 350µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23.7nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1510pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 32W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220F 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음3,564
FKI06269 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 24A TO-220F 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 15.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1050pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 29W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220F 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음8,532
FKI07076 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 55A TO-220F 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 55A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 91.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6340pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 42W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220F 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음5,148
FKI07117 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 42A TO-220F 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 42A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 31.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 54nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4040pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 40W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220F 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음3,600
FKI07174 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 31A TO-220F 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 22.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 650µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2520pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 38W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220F 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음2,700
FKI10126 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 41A TO-220F 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 41A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 33A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 88.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6420pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 42W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220F 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음8,856

FJ3303010L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 100MA SSSMINI3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 3V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SSSMini3-F2-B
패키지 / 케이스: SOT-723

재고 있음8,514

FJ3P02100L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P CH 20V 4.4A PMCP

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.05V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3000pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-PMCP
패키지 / 케이스: 3-SMD, Non-Standard

재고 있음3,544

FJ4B01100L1

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

CSP SINGLE P-CHANNEL MOSFET

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1.2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 459pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: XLGA004-W-0808-RA01
패키지 / 케이스: 4-XFLGA, CSP

재고 있음22,362

FJ4B01110L1

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

CSP SINGLE P-CHANNEL MOSFET

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 153mOhm @ 700mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 598µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.3nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 226pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 340mW (Ta)
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: ALGA004-W-0606-RA01
패키지 / 케이스: 4-XFLGA, CSP

재고 있음8,064

FJ4B01120L1

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

CSP SINGLE P-CHANNEL MOSFET

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 814pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 370mW (Ta)
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: ULGA004-W-1010-RA01
패키지 / 케이스: 4-XFLGA, CSP

재고 있음14,874

FJ6K01010L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: WSMini6-F1-B
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads

재고 있음3,996

FK3303010L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100MA SSSMINI3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 3V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SSSMini3-F2-B
패키지 / 케이스: SOT-723

재고 있음234,954

FK3306010L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 100MA SSSMINI3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 3V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SSSMini3-F2-B
패키지 / 케이스: SOT-723

재고 있음501,090

FK3503010L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100MA SMINI3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 3V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SMini3-F2-B
패키지 / 케이스: SC-85

재고 있음126,738

FK3506010L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 100MA SMINI3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 3V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SMini3-F2-B
패키지 / 케이스: SC-85

재고 있음28,812

FK3906010L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 100MA SSMINI3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 3V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SSMini3-F3-B
패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490

재고 있음8,118

FK3P02110L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 24V 3A PMCP

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 24V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 3A, 2.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-PMCP
패키지 / 케이스: 3-SMD, Non-Standard

재고 있음8,478

FK4B01100L1

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

CSP SINGLE N-CHANNEL MOSFET

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 236µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.8nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 275pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: XLGA004-W-0808-RA01
패키지 / 케이스: 4-XFLGA, CSP

재고 있음13,188

FK4B01110L1

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

CSP SINGLE N-CHANNEL MOSFET

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 118µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.55nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 274pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 340mW (Ta)
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: ALGA004-W-0606-RA01
패키지 / 케이스: 4-XFLGA, CSP

재고 있음3,528

FK4B01120L1

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

CSP SINGLE N-CHANNEL MOSFET

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 394µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 490pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 370mW (Ta)
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: ULGA004-W-1010-RA01
패키지 / 케이스: 4-XFLGA, CSP

재고 있음3,708

FK6K02010L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 4.5A WSMINI6

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1730pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: WSMini6-F1-B
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads

재고 있음2,322

FK8V03020L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 33V 14A WMINI8

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 33V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 2.2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: WMini8-F1
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead

재고 있음4,122

FK8V03030L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 33V 12A WMINI8

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 33V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1.73mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: WMini8-F1
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead

재고 있음4,194

FK8V03040L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 33V 10A WMINI8-F1

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 33V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1.12mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: WMini8-F1
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead

재고 있음4,248

FK8V03050L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 33V 8A WMINI8-F1

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 33V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 730µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.1nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 520pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: WMini8-F1
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead

재고 있음5,490

FK8V03060L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 33V 6.5A WMINI8

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 33V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 0.48mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 360pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: WMini8-F1
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead

재고 있음8,514

FKI06051

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 69A TO-220F

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 69A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6210pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 42W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220F
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음5,544

FKI06075

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 52A TO-220F

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 52A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 39A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3810pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 40W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220F
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음4,932

FKI06108

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 39A TO-220F

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 39A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 28.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 650µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2520pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 38W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220F
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음6,642

FKI06190

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 30A TO-220F

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 19.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 350µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1510pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 32W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220F
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음3,564

FKI06269

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 24A TO-220F

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 15.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1050pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 29W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220F
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음8,532

FKI07076

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 55A TO-220F

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 55A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 91.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6340pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 42W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220F
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음5,148

FKI07117

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 42A TO-220F

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 42A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 31.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 54nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4040pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 40W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220F
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음3,600

FKI07174

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 31A TO-220F

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 22.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 650µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2520pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 38W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220F
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음2,700

FKI10126

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 41A TO-220F

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 41A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 88.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6420pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 42W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220F
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음8,856

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