트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IPB60R600CPATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 6.1A TO263 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.1A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 220µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 550pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 60W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음8,640
IPB60R600P6ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ P6 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 200µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 557pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 63W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음5,004
IPB60R950C6ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 130µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 37W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음8,514
IPB64N25S320ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 64A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 270µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 89nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음18,468
IPB65R045C7ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ C7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 46A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1.25mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 93nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4340pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 227W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음6,894
IPB65R045C7ATMA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ C7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 46A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1.25mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 93nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4340pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 227W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음8,982
IPB65R065C7ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ P6 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 200µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 557pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 171W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음8,856
IPB65R065C7ATMA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ C7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 200µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3020pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 171W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음5,076
IPB65R095C7ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ C7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 590µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2140pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 128W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음2,106
IPB65R095C7ATMA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ C7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 590µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2140pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 128W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음20,184
IPB65R099C6ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 38A TO263 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 38A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1.2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 127nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2780pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 278W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음2,358
IPB65R110CFDAATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1.3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 118nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3240pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 277.8W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음21,516
IPB65R110CFDATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1.3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 118nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3240pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 277.8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음3,006
IPB65R110CFDATMA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 HIGH POWER_LEGACY 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ CFD2 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1.3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 118nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3240pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 277.8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음7,254
IPB65R125C7ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ C7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 440µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1670pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 101W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음7,596
IPB65R125C7ATMA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ C7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 440µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1670pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 101W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음4,608
IPB65R150CFDAATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 900µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 86nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2340pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 195.3W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음5,868
IPB65R150CFDATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 22.4A TO-263 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 900µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 86nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2340pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 195.3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음4,878
IPB65R150CFDATMA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 HIGH POWER_LEGACY 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ CFD2 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 900µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 86nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2340pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 195.3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음4,374
IPB65R190C6ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 20.2A TO263 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 730µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 73nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1620pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 151W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음2,268
IPB65R190C7ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ C7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 290µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1150pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 72W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음4,608
IPB65R190C7ATMA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ C7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 290µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1150pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 72W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음14,460
IPB65R190CFDAATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 700µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1850pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 151W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음4,662
IPB65R190CFDATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 730µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1850pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 151W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음2,970
IPB65R190CFDATMA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 HIGH POWER_LEGACY 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ CFD2 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 700µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1850pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 151W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음6,966
IPB65R225C7ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 11A TO-263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ C7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 240µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 996pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 63W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음7,974
IPB65R225C7ATMA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 11A TO-263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ C7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 240µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 996pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 63W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음5,778
IPB65R280C6ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 13.8A TO263 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 440µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 104W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음2,826
IPB65R280E6ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ E6 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 440µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 104W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음6,084
IPB65R310CFDAATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 440µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1110pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 104.2W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음4,104

IPB60R600CPATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 6.1A TO263

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.1A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 220µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 550pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 60W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음8,640

IPB60R600P6ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ P6
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 200µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 557pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 63W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음5,004

IPB60R950C6ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 130µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 37W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음8,514

IPB64N25S320ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 64A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 270µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 89nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음18,468

IPB65R045C7ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ C7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 46A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1.25mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 93nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4340pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 227W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음6,894

IPB65R045C7ATMA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ C7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 46A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1.25mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 93nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4340pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 227W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음8,982

IPB65R065C7ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ P6
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 200µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 557pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 171W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음8,856

IPB65R065C7ATMA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ C7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 200µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3020pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 171W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음5,076

IPB65R095C7ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ C7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 590µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2140pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 128W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음2,106

IPB65R095C7ATMA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ C7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 590µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2140pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 128W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음20,184

IPB65R099C6ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 38A TO263

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 38A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 127nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2780pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 278W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음2,358

IPB65R110CFDAATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 118nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3240pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 277.8W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음21,516

IPB65R110CFDATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 118nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3240pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 277.8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음3,006

IPB65R110CFDATMA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

HIGH POWER_LEGACY

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ CFD2
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 118nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3240pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 277.8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음7,254

IPB65R125C7ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ C7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 440µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1670pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 101W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음7,596

IPB65R125C7ATMA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ C7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 440µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1670pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 101W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음4,608

IPB65R150CFDAATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 900µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 86nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2340pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 195.3W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음5,868

IPB65R150CFDATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 22.4A TO-263

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 900µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 86nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2340pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 195.3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음4,878

IPB65R150CFDATMA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

HIGH POWER_LEGACY

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ CFD2
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 900µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 86nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2340pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 195.3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음4,374

IPB65R190C6ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 20.2A TO263

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 730µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 73nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1620pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 151W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음2,268

IPB65R190C7ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ C7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 290µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1150pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 72W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음4,608

IPB65R190C7ATMA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ C7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 290µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1150pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 72W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음14,460

IPB65R190CFDAATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 700µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1850pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 151W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음4,662

IPB65R190CFDATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 730µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1850pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 151W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음2,970

IPB65R190CFDATMA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

HIGH POWER_LEGACY

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ CFD2
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 700µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1850pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 151W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음6,966

IPB65R225C7ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 11A TO-263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ C7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 240µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 996pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 63W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음7,974

IPB65R225C7ATMA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 11A TO-263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ C7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 240µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 996pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 63W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음5,778

IPB65R280C6ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 13.8A TO263

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 440µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 104W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음2,826

IPB65R280E6ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ E6
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 440µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 104W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음6,084

IPB65R310CFDAATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 440µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1110pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 104.2W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음4,104

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