트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IPB80N04S403ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 53µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 66nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5260pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 94W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음43,680
IPB80N04S404ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 35µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3440pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 71W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음6,210
IPB80N04S4L04ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 35µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (최대): +20V, -16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4690pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 71W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음3,564
IPB80N06S205ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5110pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음7,614
IPB80N06S207ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 68A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 180µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 250W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음4,014
IPB80N06S207ATMA4 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 68A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 180µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 250W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음6,570
IPB80N06S208ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 58A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 96nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2860pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 215W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음6,048
IPB80N06S208ATMA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 58A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 96nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2860pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 215W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음5,220
IPB80N06S209ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 125µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2360pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 190W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음6,246
IPB80N06S209ATMA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 125µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2360pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 190W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음6,606
IPB80N06S2H5ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 230µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 155nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음8,784
IPB80N06S2H5ATMA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 230µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 155nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음3,402
IPB80N06S2L05ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 230nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5700pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음3,598
IPB80N06S2L06ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 69A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 180µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 250W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음8,604
IPB80N06S2L06ATMA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 69A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 180µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 250W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음4,068
IPB80N06S2L07ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3160pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 210W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음5,544
IPB80N06S2L07ATMA3 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3160pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 210W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음8,424
IPB80N06S2L09ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 52A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 125µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 105nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2620pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 190W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음7,344
IPB80N06S2L09ATMA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 52A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 125µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 105nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2620pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 190W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음3,996
IPB80N06S2L11ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 93µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2075pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 158W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음4,698
IPB80N06S2L11ATMA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 93µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2075pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 158W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음8,712
IPB80N06S2L-H5 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 190nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음6,372
IPB80N06S2LH5ATMA4 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 190nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음5,526
IPB80N06S3-05 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 63A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 110µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 240nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10760pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 165W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음8,118
IPB80N06S3-07 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 51A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 80µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7768pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 135W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음7,308
IPB80N06S3L-05 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 80A TO-263 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 69A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 115µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 273nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13060pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 165W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음4,554
IPB80N06S3L-06 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 80A TO-263 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 56A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 80µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 196nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9417pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 136W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음5,220
IPB80N06S405ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 60µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 81nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 107W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음4,392
IPB80N06S405ATMA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 60µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 81nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 107W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음5,346
IPB80N06S407ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 40µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 79W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음6,894

IPB80N04S403ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 53µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 66nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5260pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 94W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음43,680

IPB80N04S404ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 35µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3440pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 71W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음6,210

IPB80N04S4L04ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 35µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs (최대): +20V, -16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4690pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 71W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음3,564

IPB80N06S205ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5110pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음7,614

IPB80N06S207ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 68A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 180µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 250W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음4,014

IPB80N06S207ATMA4

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 68A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 180µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 250W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음6,570

IPB80N06S208ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 58A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 96nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2860pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 215W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음6,048

IPB80N06S208ATMA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 58A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 96nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2860pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 215W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음5,220

IPB80N06S209ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 125µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2360pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 190W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음6,246

IPB80N06S209ATMA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 125µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2360pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 190W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음6,606

IPB80N06S2H5ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 230µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 155nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음8,784

IPB80N06S2H5ATMA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 230µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 155nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음3,402

IPB80N06S2L05ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 230nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5700pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음3,598

IPB80N06S2L06ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 69A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 180µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 250W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음8,604

IPB80N06S2L06ATMA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 69A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 180µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 250W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음4,068

IPB80N06S2L07ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3160pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 210W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음5,544

IPB80N06S2L07ATMA3

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3160pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 210W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음8,424

IPB80N06S2L09ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 52A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 125µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 105nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2620pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 190W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음7,344

IPB80N06S2L09ATMA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 52A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 125µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 105nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2620pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 190W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음3,996

IPB80N06S2L11ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 93µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2075pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 158W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음4,698

IPB80N06S2L11ATMA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 93µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2075pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 158W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음8,712

IPB80N06S2L-H5

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 190nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음6,372

IPB80N06S2LH5ATMA4

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 190nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음5,526

IPB80N06S3-05

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 63A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 110µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 240nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10760pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 165W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음8,118

IPB80N06S3-07

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 51A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 80µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7768pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 135W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음7,308

IPB80N06S3L-05

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 80A TO-263

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 69A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 115µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 273nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13060pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 165W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음4,554

IPB80N06S3L-06

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 80A TO-263

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 56A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 80µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 196nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9417pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 136W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음5,220

IPB80N06S405ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 60µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 81nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 107W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음4,392

IPB80N06S405ATMA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 60µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 81nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 107W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음5,346

IPB80N06S407ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 40µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 79W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음6,894

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