트랜지스터

IPD90P03P404ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 253µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10300pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 137W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD90P03P4L04ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 253µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 160nC @ 10V
• Vgs (최대): +5V, -16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11300pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 137W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD90P04P405ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 154nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10300pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 125W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3-313
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD90P04P405AUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 공급자 장치 패키지: -
• 패키지 / 케이스: -

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IPD90P04P4L04ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 90A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 176nC @ 10V
• Vgs (최대): ±16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11570pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 125W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3-313
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD90R1K2C3ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 310µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 710pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 83W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD90R1K2C3BTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 310µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 710pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 83W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD950P06NMSAUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V TO252-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3-313
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD95R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 950V 6A TO252

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ P7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 950V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 140µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 478pF @ 400V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 52W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD95R2K0P7ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 950V 4A TO252

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ P7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 950V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 80µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 400V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 37W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD95R450P7ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 950V 14A TO252

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ P7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 950V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 360µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1053pF @ 400V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 104W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD95R750P7ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 950V 9A TO252

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ P7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 950V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 220µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 712pF @ 400V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 73W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPDD60R050G7XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 650V 135A PG-HDSOP-10

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ G7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15.9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 800µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2670pF @ 400V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 278W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-HDSOP-10-1
• 패키지 / 케이스: 10-PowerSOP Module

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IPDD60R080G7XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 650V 83A PG-HDSOP-10

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ G7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 29A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 9.7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 490µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1640pF @ 400V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 174W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-HDSOP-10-1
• 패키지 / 케이스: 10-PowerSOP Module

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IPDD60R102G7XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 650V 66A PG-HDSOP-10

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ G7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 7.8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 390µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1320pF @ 400V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 139W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-HDSOP-10-1
• 패키지 / 케이스: 10-PowerSOP Module

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IPDD60R125G7XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 650V 54A PG-HDSOP-10

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ G7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 320µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1080pF @ 400V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 120W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-HDSOP-10-1
• 패키지 / 케이스: 10-PowerSOP Module

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IPDD60R150G7XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 650V 45A PG-HDSOP-10

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ G7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5.3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 260µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 902pF @ 400V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 95W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-HDSOP-10-1
• 패키지 / 케이스: 10-PowerSOP Module

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IPDD60R190G7XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 650V 36A PG-HDSOP-10

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ G7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 210µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 718pF @ 400V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 76W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-HDSOP-10-1
• 패키지 / 케이스: 10-PowerSOP Module

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IPDH4N03LAG

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3-11

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 60A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 40µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3200pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 94W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPDH5N03LA G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 35µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2653pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 83W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 30µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2390pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 71W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 30µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5199pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 115W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: P-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 30µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5199pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 115W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: P-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 50µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3110pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 94W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: P-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 40µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2653pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 83W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: P-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 30A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 20µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1642pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 63W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: P-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 30A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 20µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1642pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 63W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: P-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 30A DPAK

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 30A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 20µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1358pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 52W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: P-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 30A DPAK

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 30A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 20µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1358pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 52W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: P-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 30A DPAK

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 20µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.3nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1043pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 46W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: P-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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