트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IPFH6N03LA G Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 50A DPAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 30µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2390pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 71W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: P-TO252-3 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음3,870
IPG20N04S409ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL_30/40V 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음7,956
IPI020N06NAKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 29A TO262-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 29A (Ta), 120A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 143µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 106nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7800pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta), 214W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음3,546
IPI023NE7N3 G Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 273µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 206nC @ 10V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14400pF @ 37.5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음5,382
IPI024N06N3GHKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 196µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 275nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 23000pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 250W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음6,660
IPI024N06N3GXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 120A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 196µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 275nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 23000pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 250W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음29,736
IPI028N08N3GHKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 270µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 206nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14200pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음7,488
IPI029N06NAKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 24A TO262-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 75µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4100pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta), 136W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음10,248
IPI030N10N3GHKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 275µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 206nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14800pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음7,002
IPI030N10N3GXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 100A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 275µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 206nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14800pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음6,210
IPI032N06N3 G Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 118µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 165nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13000pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 188W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음2,862
IPI032N06N3GAKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 120A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 118µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 165nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13000pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 188W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음3,546
IPI034NE7N3 G Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 155µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 117nC @ 10V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8130pF @ 37.5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 214W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음5,274
IPI037N06L3GHKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 93µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 79nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13000pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 167W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음8,532
IPI037N08N3GHKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 155µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 117nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8110pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 214W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음7,560
IPI037N08N3GXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 100A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 155µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 117nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8110pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 214W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음4,014
IPI03N03LA Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 80A I2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7027pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음6,786
IPI040N06N3GHKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 90µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 98nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11000pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 188W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음4,122
IPI040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 90A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 90µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 98nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11000pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 188W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음14,844
IPI041N12N3GAKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 120V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 270µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 211nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13800pF @ 60V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음5,580
IPI045N10N3GXK Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ 3 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 137A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 117nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8410pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 214W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음8,730
IPI045N10N3GXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 117nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8410pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 214W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음8,172
IPI04CN10N G Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 210nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13800pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음5,040
IPI04N03LA Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 80A TO-262 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 60µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3877pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 107W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음3,598
IPI051N15N5AKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MV POWER MOS 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음5,868
IPI052NE7N3 G Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 80A TO262-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 91µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4750pF @ 37.5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음6,768
IPI057N08N3 G Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 90µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 69nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4750pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음5,274
IPI05CN10N G Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 181nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12000pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음2,934
IPI05N03LA Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 80A I2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3110pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 94W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음5,868
IPI06CN10N G Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 180µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 139nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9200pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 214W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음8,748

IPFH6N03LA G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 30µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2390pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 71W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: P-TO252-3
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음3,870

IPG20N04S409ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL_30/40V

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음7,956

IPI020N06NAKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 29A TO262-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 29A (Ta), 120A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 143µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 106nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7800pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta), 214W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음3,546

IPI023NE7N3 G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 273µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 206nC @ 10V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14400pF @ 37.5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음5,382

IPI024N06N3GHKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 196µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 275nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 23000pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 250W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음6,660

IPI024N06N3GXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 120A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 196µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 275nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 23000pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 250W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음29,736

IPI028N08N3GHKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 270µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 206nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14200pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음7,488

IPI029N06NAKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 24A TO262-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 75µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4100pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta), 136W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음10,248

IPI030N10N3GHKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 275µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 206nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14800pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음7,002

IPI030N10N3GXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 100A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 275µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 206nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14800pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음6,210

IPI032N06N3 G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 118µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 165nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13000pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 188W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음2,862

IPI032N06N3GAKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 120A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 118µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 165nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13000pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 188W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음3,546

IPI034NE7N3 G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 155µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 117nC @ 10V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8130pF @ 37.5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 214W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음5,274

IPI037N06L3GHKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 93µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 79nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13000pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 167W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음8,532

IPI037N08N3GHKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 155µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 117nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8110pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 214W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음7,560

IPI037N08N3GXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 100A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 155µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 117nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8110pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 214W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음4,014

IPI03N03LA

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 80A I2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7027pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음6,786

IPI040N06N3GHKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 90µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 98nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11000pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 188W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음4,122

IPI040N06N3GXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 90A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 90µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 98nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11000pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 188W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음14,844

IPI041N12N3GAKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 120V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 270µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 211nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13800pF @ 60V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음5,580

IPI045N10N3GXK

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™ 3
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 137A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 117nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8410pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 214W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음8,730

IPI045N10N3GXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 117nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8410pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 214W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음8,172

IPI04CN10N G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 210nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13800pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음5,040

IPI04N03LA

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 80A TO-262

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 60µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3877pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 107W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음3,598

IPI051N15N5AKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MV POWER MOS

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음5,868

IPI052NE7N3 G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 80A TO262-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 91µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4750pF @ 37.5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음6,768

IPI057N08N3 G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 90µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 69nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4750pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음5,274

IPI05CN10N G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 181nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12000pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음2,934

IPI05N03LA

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 80A I2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3110pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 94W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음5,868

IPI06CN10N G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 180µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 139nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9200pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 214W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음8,748

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