트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IPI90R500C3XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 11A TO-262 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 740µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 156W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음4,032
IPI90R500C3XKSA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V TO-262 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음6,120
IPI90R800C3 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 6.9A TO262-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 460µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 104W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음7,974
IPI90R800C3XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-262 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 460µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 104W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음3,996
IPL60R060CFD7AUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 HIGH POWER_NEW 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음3,438
IPL60R065C7AUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET HIGH POWER_NEW 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음7,488
IPL60R065P7AUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 4VSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ P7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 41A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 800µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 67nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2895pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 201W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-VSON-4 패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN	재고 있음2,034
IPL60R075CFD7AUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 4VSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ CFD7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 760µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 67nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2721pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 189W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-VSON-4 패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN	재고 있음2,394
IPL60R085P7AUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 4VSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ P7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 39A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 11.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 590µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2180pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 154W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-VSON-4 패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN	재고 있음5,652
IPL60R095CFD7AUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 HIGH POWER_NEW 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음6,822
IPL60R104C7AUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 20A 4VSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ C7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 9.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 490µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1819pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 122W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-VSON-4 패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN	재고 있음4,122
IPL60R105P7AUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 4VSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ P7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 530µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1952pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 137W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-VSON-4 패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN	재고 있음28,956
IPL60R115CFD7AUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 HIGH POWER_NEW 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음8,190
IPL60R125C7AUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ C7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 390µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 103W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-VSON-4 패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN	재고 있음6,660
IPL60R125P7AUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 4VSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ P7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 410µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1544pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 111W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-VSON-4 패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN	재고 있음5,076
IPL60R140CFD7AUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 HIGH POWER_NEW 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음7,902
IPL60R160CFD7AUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 HIGH POWER_NEW 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음7,596
IPL60R180P6AUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 4VSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ P6 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 750µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2080pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 176W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-VSON-4 패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN	재고 있음4,572
IPL60R185C7AUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ C7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 5.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 260µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1080pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 77W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-VSON-4 패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN	재고 있음3,906
IPL60R185CFD7AUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 4VSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ CFD7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 300µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1199pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 85W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-VSON-4 패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN	재고 있음6,858
IPL60R185P7AUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 19A VSON-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ P7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 5.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 280µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1081pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 81W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-VSON-4 패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN	재고 있음56,532
IPL60R199CPAUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 16.4A 4VSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 660µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1520pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 139W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-VSON-4 패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN	재고 있음8,082
IPL60R1K5C6SATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 8TSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ C6 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 90µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 26.6W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Thin-PAK (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음2,898
IPL60R210P6AUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 4VSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ P6 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 630µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1750pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 151W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-VSON-4 패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN	재고 있음8,244
IPL60R255P6AUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 4VSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ P6 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 255mOhm @ 6.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 530µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1450pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 126W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-VSON-4 패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN	재고 있음4,770
IPL60R285P7AUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 4VSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ P7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 190µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 761pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 59W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-VSON-4 패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN	재고 있음6,588
IPL60R299CPAUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.1A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 440µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 96W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-VSON-4 패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN	재고 있음3,870
IPL60R2K1C6SATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 8TSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ C6 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 60µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.7nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 140pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 21.6W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Thin-PAK (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,132
IPL60R360P6SATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 8THINPAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ P6 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 370µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1010pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 89.3W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-ThinPak (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음5,310
IPL60R365P7AUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 10A VSON-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ P7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 140µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 555pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 46W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-VSON-4 패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN	재고 있음52,950

IPI90R500C3XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 11A TO-262

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 740µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 156W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음4,032

IPI90R500C3XKSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V TO-262

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음6,120

IPI90R800C3

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 6.9A TO262-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 460µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 104W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음7,974

IPI90R800C3XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-262

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 460µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 104W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음3,996

IPL60R060CFD7AUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

HIGH POWER_NEW

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음3,438

IPL60R065C7AUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET HIGH POWER_NEW

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음7,488

IPL60R065P7AUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 4VSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ P7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 41A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 800µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 67nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2895pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 201W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-VSON-4
패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN

재고 있음2,034

IPL60R075CFD7AUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 4VSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ CFD7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 760µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 67nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2721pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 189W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-VSON-4
패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN

재고 있음2,394

IPL60R085P7AUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 4VSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ P7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 39A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 590µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2180pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 154W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-VSON-4
패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN

재고 있음5,652

IPL60R095CFD7AUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

HIGH POWER_NEW

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음6,822

IPL60R104C7AUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 20A 4VSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ C7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 490µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1819pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 122W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-VSON-4
패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN

재고 있음4,122

IPL60R105P7AUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 4VSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ P7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 530µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1952pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 137W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-VSON-4
패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN

재고 있음28,956

IPL60R115CFD7AUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

HIGH POWER_NEW

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음8,190

IPL60R125C7AUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ C7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 390µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 103W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-VSON-4
패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN

재고 있음6,660

IPL60R125P7AUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 4VSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ P7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 410µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1544pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 111W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-VSON-4
패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN

재고 있음5,076

IPL60R140CFD7AUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

HIGH POWER_NEW

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음7,902

IPL60R160CFD7AUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

HIGH POWER_NEW

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음7,596

IPL60R180P6AUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 4VSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ P6
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 750µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2080pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 176W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-VSON-4
패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN

재고 있음4,572

IPL60R185C7AUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ C7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 260µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1080pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 77W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-VSON-4
패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN

재고 있음3,906

IPL60R185CFD7AUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 4VSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ CFD7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 300µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1199pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 85W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-VSON-4
패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN

재고 있음6,858

IPL60R185P7AUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 19A VSON-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ P7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 280µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1081pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 81W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-VSON-4
패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN

재고 있음56,532

IPL60R199CPAUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 16.4A 4VSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 660µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1520pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 139W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-VSON-4
패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN

재고 있음8,082

IPL60R1K5C6SATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 8TSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ C6
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 90µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 26.6W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Thin-PAK (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음2,898

IPL60R210P6AUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 4VSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ P6
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 630µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1750pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 151W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-VSON-4
패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN

재고 있음8,244

IPL60R255P6AUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 4VSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ P6
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 255mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 530µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1450pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 126W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-VSON-4
패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN

재고 있음4,770

IPL60R285P7AUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 4VSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ P7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 190µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 761pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 59W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-VSON-4
패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN

재고 있음6,588

IPL60R299CPAUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.1A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 440µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 96W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-VSON-4
패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN

재고 있음3,870

IPL60R2K1C6SATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 8TSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ C6
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 60µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 140pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 21.6W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Thin-PAK (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,132

IPL60R360P6SATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 8THINPAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ P6
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 370µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1010pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 89.3W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-ThinPak (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음5,310

IPL60R365P7AUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 10A VSON-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ P7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 140µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 555pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 46W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-VSON-4
패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN

재고 있음52,950

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