트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IPL60R385CPAUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 340µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 790pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 83W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-VSON-4 패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN	재고 있음5,922
IPL60R650P6SATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 8THINPAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ P6 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 200µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 557pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 56.8W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-ThinPak (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음44,700
IPL65R070C7AUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 4VSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ C7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 850µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3020pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 169W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-VSON-4 패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN	재고 있음3,472
IPL65R099C7AUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 4VSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ C7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 5.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 590µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2140pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 128W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-VSON-4 패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN	재고 있음2,286
IPL65R130C7AUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ C7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 440µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1670pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 102W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-VSON-4 패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN	재고 있음29,676
IPL65R165CFDAUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 4VSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21.3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 900µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 86nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2340pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 195W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-VSON-4 패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN	재고 있음6,696
IPL65R165CFDAUMA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 HIGH POWER_LEGACY 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ CFD2 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21.3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 900µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 86nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2340pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 195W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-VSON-4 패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN	재고 있음4,716
IPL65R190E6AUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 4VSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ E6 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 700µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 73nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1620pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 151W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-VSON-4 패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN	재고 있음8,586
IPL65R195C7AUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 4VSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ C7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 290µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1150pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 75W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-VSON-4 패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN	재고 있음7,272
IPL65R1K0C6SATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 8TSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ C6 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 328pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 34.7W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Thin-PAK (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,798
IPL65R1K5C6SATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 8TSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ C6 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 225pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 26.6W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Thin-PAK (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음6,138
IPL65R210CFDAUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 4VSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 700µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1850pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 151W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-VSON-4 패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN	재고 있음2,304
IPL65R210CFDAUMA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 LOW POWER_LEGACY 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ CFD2 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 700µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1850pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 151W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-VSON-4 패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN	재고 있음7,290
IPL65R230C7AUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ C7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 240µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 996pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 67W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-VSON-4 패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN	재고 있음7,092
IPL65R310E6AUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 4VSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ E6 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.1A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 400µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 104W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Thin-Pak (8x8) 패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN	재고 있음8,820
IPL65R340CFDAUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 4VSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 4.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 400µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 104.2W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Thin-Pak (8x8) 패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN	재고 있음2,214
IPL65R340CFDAUMA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 LOW POWER_LEGACY 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ CFD2 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 4.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 400µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 104.2W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-VSON-4 패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN	재고 있음2,376
IPL65R420E6AUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 4VSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ E6 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.1A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 300µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 710pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 83W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Thin-Pak (8x8) 패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN	재고 있음4,176
IPL65R460CFDAUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 4VSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 300µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 870pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 83.3W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Thin-Pak (8x8) 패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN	재고 있음3,672
IPL65R650C6SATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 8TSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ C6 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 210µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 56.8W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Thin-PAK (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음6,840
IPL65R660E6AUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 4VSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ E6 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 200µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 63W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Thin-Pak (8x8) 패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN	재고 있음5,202
IPL65R725CFDAUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 4VSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 725mOhm @ 2.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 200µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 615pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 62.5W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Thin-Pak (8x8) 패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN	재고 있음4,194
IPL70R2K1CESATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET COOLMOS 700V 8TSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음6,984
IPLU250N04S41R7XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 8HSOF 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 80µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7900pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 188W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-1 패키지 / 케이스: 8-PowerSFN	재고 있음2,934
IPLU300N04S41R1XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 8HSOF 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 125µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 151nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12090pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-1 패키지 / 케이스: 8-PowerSFN	재고 있음19,656
IPLU300N04S4R7XTMA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 8HSOF 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.76mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 230µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 287nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 22945pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 429W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-1 패키지 / 케이스: 8-PowerSFN	재고 있음5,940
IPLU300N04S4R8XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.77mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 230µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 287nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 22945pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 429W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-1 패키지 / 케이스: 8-PowerSFN	재고 있음88,614
IPN50R1K4CEATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 CONSUMER 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ CE FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 70µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 178pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 5W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223 패키지 / 케이스: SOT-223-3	재고 있음5,652
IPN50R2K0CEATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 CONSUMER 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ CE FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 124pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 5W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223 패키지 / 케이스: SOT-223-3	재고 있음5,382
IPN50R3K0CEATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 CONSUMER 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ CE FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 30µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 84pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 5W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223 패키지 / 케이스: SOT-223-3	재고 있음8,028

IPL60R385CPAUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 340µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 790pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 83W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-VSON-4
패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN

재고 있음5,922

IPL60R650P6SATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 8THINPAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ P6
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 200µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 557pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 56.8W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-ThinPak (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음44,700

IPL65R070C7AUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 4VSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ C7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 850µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3020pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 169W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-VSON-4
패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN

재고 있음3,472

IPL65R099C7AUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 4VSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ C7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 590µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2140pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 128W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-VSON-4
패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN

재고 있음2,286

IPL65R130C7AUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ C7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 440µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1670pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 102W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-VSON-4
패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN

재고 있음29,676

IPL65R165CFDAUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 4VSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 900µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 86nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2340pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 195W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-VSON-4
패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN

재고 있음6,696

IPL65R165CFDAUMA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

HIGH POWER_LEGACY

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ CFD2
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 900µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 86nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2340pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 195W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-VSON-4
패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN

재고 있음4,716

IPL65R190E6AUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 4VSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ E6
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 700µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 73nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1620pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 151W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-VSON-4
패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN

재고 있음8,586

IPL65R195C7AUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 4VSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ C7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 290µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1150pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 75W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-VSON-4
패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN

재고 있음7,272

IPL65R1K0C6SATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 8TSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ C6
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 328pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 34.7W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Thin-PAK (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,798

IPL65R1K5C6SATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 8TSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ C6
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 225pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 26.6W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Thin-PAK (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음6,138

IPL65R210CFDAUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 4VSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 700µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1850pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 151W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-VSON-4
패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN

재고 있음2,304

IPL65R210CFDAUMA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

LOW POWER_LEGACY

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ CFD2
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 700µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1850pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 151W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-VSON-4
패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN

재고 있음7,290

IPL65R230C7AUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ C7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 240µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 996pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 67W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-VSON-4
패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN

재고 있음7,092

IPL65R310E6AUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 4VSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ E6
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.1A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 400µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 104W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Thin-Pak (8x8)
패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN

재고 있음8,820

IPL65R340CFDAUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 4VSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 400µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 104.2W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Thin-Pak (8x8)
패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN

재고 있음2,214

IPL65R340CFDAUMA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

LOW POWER_LEGACY

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ CFD2
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 400µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 104.2W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-VSON-4
패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN

재고 있음2,376

IPL65R420E6AUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 4VSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ E6
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.1A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 300µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 710pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 83W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Thin-Pak (8x8)
패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN

재고 있음4,176

IPL65R460CFDAUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 4VSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 300µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 870pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 83.3W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Thin-Pak (8x8)
패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN

재고 있음3,672

IPL65R650C6SATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 8TSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ C6
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 210µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 56.8W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Thin-PAK (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음6,840

IPL65R660E6AUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 4VSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ E6
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 200µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 63W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Thin-Pak (8x8)
패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN

재고 있음5,202

IPL65R725CFDAUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 4VSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 725mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 200µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 615pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 62.5W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Thin-Pak (8x8)
패키지 / 케이스: 4-PowerTSFN

재고 있음4,194

IPL70R2K1CESATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET COOLMOS 700V 8TSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음6,984

IPLU250N04S41R7XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 8HSOF

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 80µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7900pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 188W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-1
패키지 / 케이스: 8-PowerSFN

재고 있음2,934

IPLU300N04S41R1XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 8HSOF

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 125µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 151nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12090pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-1
패키지 / 케이스: 8-PowerSFN

재고 있음19,656

IPLU300N04S4R7XTMA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 8HSOF

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.76mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 230µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 287nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 22945pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 429W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-1
패키지 / 케이스: 8-PowerSFN

재고 있음5,940

IPLU300N04S4R8XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.77mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 230µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 287nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 22945pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 429W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-1
패키지 / 케이스: 8-PowerSFN

재고 있음88,614

IPN50R1K4CEATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

CONSUMER

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ CE
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 70µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 178pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 5W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223
패키지 / 케이스: SOT-223-3

재고 있음5,652

IPN50R2K0CEATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

CONSUMER

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ CE
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 124pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 5W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223
패키지 / 케이스: SOT-223-3

재고 있음5,382

IPN50R3K0CEATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

CONSUMER

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ CE
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 30µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 84pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 5W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223
패키지 / 케이스: SOT-223-3

재고 있음8,028

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