트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
SD1433 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 16V M122 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7dB 전력-최대: 58W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스: M122 공급자 장치 패키지: M122	재고 있음8,550
SD1444 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 16V 512MHZ TO39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V 주파수-전환: 450MHz ~ 512MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8dB 전력-최대: 5W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39	재고 있음2,862
SD1446 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 18V M113 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 18V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 10dB 전력-최대: 183W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 12A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: M113 공급자 장치 패키지: M113	재고 있음7,056
SD1477 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 18V M111 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 18V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 6dB 전력-최대: 270W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: M111 공급자 장치 패키지: M111	재고 있음8,496
SD1488 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 16V M111 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 5.8dB 전력-최대: 117W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: M111 공급자 장치 패키지: M111	재고 있음7,002
SD1526-01 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 45V 1.215GHZ M115 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V 주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 9.5dB 전력-최대: 21.9W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M115 공급자 장치 패키지: M115	재고 있음7,308
SD1536-01 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,714
SD1536-03 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M115 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8.4dB 전력-최대: 292W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 100mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M115 공급자 장치 패키지: M115	재고 있음4,770
SD1536-08 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M105 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8.4dB 전력-최대: 292W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 100mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M105 공급자 장치 패키지: M105	재고 있음3,996
SD1726 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 55V M174 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 14dB 전력-최대: 318W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 18 @ 1.4A, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: M174 공급자 장치 패키지: M174	재고 있음7,146
SD1727 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 55V M164 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 14dB 전력-최대: 233W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 18 @ 1.4A, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스: M164 공급자 장치 패키지: M164	재고 있음8,154
SD1728 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 55V M177 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 15dB ~ 17dB 전력-최대: 330W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 23 @ 10A, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: M177 공급자 장치 패키지: M177	재고 있음3,456
SD1731 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 55V M174 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 13dB 전력-최대: 233W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: M174 공급자 장치 패키지: M174	재고 있음2,178
SD1853-02H Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,928
SD8002-01H Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,502
SD8253-02H Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,556
SD8268-21H Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,388
SMMBTH10-4LT3G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V 주파수-전환: 800MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 225mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 4mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음2,106
SRF4427 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 18V 1.3GHZ 8SO 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 18V 주파수-전환: 1.3GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 17dB ~ 18dB 전력-최대: 1.5W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 150mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음3,528
SS9018FBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1.1GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 400mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 54 @ 1mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,600
SS9018GBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1.1GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 400mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 72 @ 1mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음55,386
SS9018HBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1.1GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 400mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 97 @ 1mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음22,800
START405TR STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4.5V SOT343 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.5V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz 이득: 19dB 전력-최대: 45mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 4V 전류-수집기 (Ic) (최대): 10mA 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,538
START499D STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4.5V SOT89 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.5V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 13dB ~ 14dB 전력-최대: 1.7W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 160mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89	재고 있음5,904
START499ETR STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4.5V 1.9GHZ SOT343 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.5V 주파수-전환: 1.9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.3dB @ 1.8GHz 이득: 15dB 전력-최대: 600mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 160mA, 4V 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: SOT-343	재고 있음3,580
TAN15 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 50V 1.215GHZ 55LT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7dB ~ 8dB 전력-최대: 175W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55LT 공급자 장치 패키지: 55LT	재고 있음4,698
TAN150 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V 주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7dB 전력-최대: 583W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55AT 공급자 장치 패키지: 55AT	재고 있음7,272
TAN250A Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 60V 1.215GHZ 55AW 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V 주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 6.2db ~ 7dB 전력-최대: 575W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55AW 공급자 장치 패키지: 55AW	재고 있음3,526
TAN300 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ 55KT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 6.6dB 전력-최대: 1166W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 1mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55KT 공급자 장치 패키지: 55KT	재고 있음8,532
TAN350 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ 55ST 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7dB ~ 7.5dB 전력-최대: 1450W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 작동 온도: 230°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55ST 공급자 장치 패키지: 55ST	재고 있음6,066

SD1433

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 16V M122

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7dB
전력-최대: 58W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스: M122
공급자 장치 패키지: M122

재고 있음8,550

SD1444

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 16V 512MHZ TO39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V
주파수-전환: 450MHz ~ 512MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8dB
전력-최대: 5W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39

재고 있음2,862

SD1446

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 18V M113

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 18V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 10dB
전력-최대: 183W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 12A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: M113
공급자 장치 패키지: M113

재고 있음7,056

SD1477

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 18V M111

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 18V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 6dB
전력-최대: 270W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: M111
공급자 장치 패키지: M111

재고 있음8,496

SD1488

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 16V M111

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 5.8dB
전력-최대: 117W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: M111
공급자 장치 패키지: M111

재고 있음7,002

SD1526-01

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 45V 1.215GHZ M115

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 9.5dB
전력-최대: 21.9W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M115
공급자 장치 패키지: M115

재고 있음7,308

SD1536-01

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,714

SD1536-03

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M115

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8.4dB
전력-최대: 292W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 100mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M115
공급자 장치 패키지: M115

재고 있음4,770

SD1536-08

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M105

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8.4dB
전력-최대: 292W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 100mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M105
공급자 장치 패키지: M105

재고 있음3,996

SD1726

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 55V M174

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 14dB
전력-최대: 318W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 18 @ 1.4A, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: M174
공급자 장치 패키지: M174

재고 있음7,146

SD1727

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 55V M164

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 14dB
전력-최대: 233W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 18 @ 1.4A, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스: M164
공급자 장치 패키지: M164

재고 있음8,154

SD1728

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 55V M177

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 15dB ~ 17dB
전력-최대: 330W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 23 @ 10A, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: M177
공급자 장치 패키지: M177

재고 있음3,456

SD1731

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 55V M174

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 13dB
전력-최대: 233W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: M174
공급자 장치 패키지: M174

재고 있음2,178

SD1853-02H

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,928

SD8002-01H

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,502

SD8253-02H

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,556

SD8268-21H

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,388

SMMBTH10-4LT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
주파수-전환: 800MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 225mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 4mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음2,106

SRF4427

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 18V 1.3GHZ 8SO

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 18V
주파수-전환: 1.3GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 17dB ~ 18dB
전력-최대: 1.5W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 150mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음3,528

SS9018FBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1.1GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 400mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 54 @ 1mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,600

SS9018GBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1.1GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 400mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 72 @ 1mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음55,386

SS9018HBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1.1GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 400mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 97 @ 1mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음22,800

START405TR

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4.5V SOT343

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.5V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
이득: 19dB
전력-최대: 45mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 4V
전류-수집기 (Ic) (최대): 10mA
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,538

START499D

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4.5V SOT89

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.5V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 13dB ~ 14dB
전력-최대: 1.7W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 160mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89

재고 있음5,904

START499ETR

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4.5V 1.9GHZ SOT343

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.5V
주파수-전환: 1.9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.3dB @ 1.8GHz
이득: 15dB
전력-최대: 600mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 160mA, 4V
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: SOT-343

재고 있음3,580

TAN15

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 50V 1.215GHZ 55LT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7dB ~ 8dB
전력-최대: 175W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55LT
공급자 장치 패키지: 55LT

재고 있음4,698

TAN150

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V
주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7dB
전력-최대: 583W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55AT
공급자 장치 패키지: 55AT

재고 있음7,272

TAN250A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 60V 1.215GHZ 55AW

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 6.2db ~ 7dB
전력-최대: 575W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55AW
공급자 장치 패키지: 55AW

재고 있음3,526

TAN300

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ 55KT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 6.6dB
전력-최대: 1166W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 1mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55KT
공급자 장치 패키지: 55KT

재고 있음8,532

TAN350

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ 55ST

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7dB ~ 7.5dB
전력-최대: 1450W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
작동 온도: 230°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55ST
공급자 장치 패키지: 55ST

재고 있음6,066

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