트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
S200-50 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 110V 30MHZ 55HX 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 110V 주파수-전환: 1.5MHz ~ 30MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 12dB ~ 14.5dB 전력-최대: 320W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55HX 공급자 장치 패키지: 55HX	재고 있음7,164
S200-50A Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,022
SD1013 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 35V 150MHZ M135 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 35V 주파수-전환: 150MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 10dB 전력-최대: 13W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 200mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M135 공급자 장치 패키지: M135	재고 있음3,562
SD1013-03 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 35V 150MHZ M113 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 35V 주파수-전환: 150MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 10dB 전력-최대: 13W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 200mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M113 공급자 장치 패키지: M113	재고 있음7,848
SD1013-20H Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,786
SD1015 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 18V 150MHZ M135 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 18V 주파수-전환: 150MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 10dB 전력-최대: 10W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 200mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 작동 온도: 200°C 장착 유형: Stud Mount 패키지 / 케이스: M135 공급자 장치 패키지: M135	재고 있음8,154
SD1019 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 35V 136MHZ M130 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 35V 주파수-전환: 136MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 4.5dB 전력-최대: 117W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 500mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 9A 작동 온도: 200°C 장착 유형: Stud Mount 패키지 / 케이스: M130 공급자 장치 패키지: M130	재고 있음6,048
SD1019-02 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,094
SD1057-01H Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,118
SD1127 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 18V 175MHZ TO39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 18V 주파수-전환: 175MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 12dB 전력-최대: 8W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 640mA 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39	재고 있음3,096
SD1143-01 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 18V 175MHZ M113 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 18V 주파수-전환: 175MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 10dB 전력-최대: 20W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 250mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 작동 온도: 200°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M113 공급자 장치 패키지: M113	재고 있음8,712
SD1224 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 35V 175MHZ M135 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 35V 주파수-전환: 175MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7.6dB 전력-최대: 60W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M135 공급자 장치 패키지: M135	재고 있음8,388
SD1224-02 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 35V 175MHZ M113 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 35V 주파수-전환: 175MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7.6dB 전력-최대: 60W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M113 공급자 장치 패키지: M113	재고 있음8,838
SD1244-09H Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,136
SD1244-12H Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,178
SD1274 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 16V M135 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 10dB 전력-최대: 70W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 250mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: M135 공급자 장치 패키지: M135	재고 있음5,184
SD1274-01 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 16V M113 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 10dB 전력-최대: 70W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 250mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: M113 공급자 장치 패키지: M113	재고 있음8,982
SD1275 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 16V M135 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 9dB 전력-최대: 70W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 250mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스: M135 공급자 장치 패키지: M135	재고 있음5,166
SD1275-01 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 16V M113 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 9dB 전력-최대: 70W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 250mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: M113 공급자 장치 패키지: M113	재고 있음6,624
SD1309-01H Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,938
SD1330-05H Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,094
SD1330-06H Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,544
SD1332-05C Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ M150 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2.5dB @ 1GHz 이득: 17dB 전력-최대: 180W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 14mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 작동 온도: 200°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: M150 공급자 장치 패키지: M150	재고 있음2,448
SD1332-05H Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ M150 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2.5dB @ 1GHz 이득: 17dB 전력-최대: 180W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 14mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 작동 온도: 200°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: M150 공급자 장치 패키지: M150	재고 있음3,168
SD1372-01H Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,832
SD1372-03H Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,806
SD1372-06H Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,426
SD1400-03 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,894
SD1405 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 18V M174 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 18V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 13dB 전력-최대: 270W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: M174 공급자 장치 패키지: M174	재고 있음7,614
SD1419-06H Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,874

S200-50

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 110V 30MHZ 55HX

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 110V
주파수-전환: 1.5MHz ~ 30MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 12dB ~ 14.5dB
전력-최대: 320W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55HX
공급자 장치 패키지: 55HX

재고 있음7,164

S200-50A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,022

SD1013

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 35V 150MHZ M135

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 35V
주파수-전환: 150MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 10dB
전력-최대: 13W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 200mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M135
공급자 장치 패키지: M135

재고 있음3,562

SD1013-03

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 35V 150MHZ M113

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 35V
주파수-전환: 150MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 10dB
전력-최대: 13W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 200mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M113
공급자 장치 패키지: M113

재고 있음7,848

SD1013-20H

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,786

SD1015

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 18V 150MHZ M135

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 18V
주파수-전환: 150MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 10dB
전력-최대: 10W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 200mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
작동 온도: 200°C
장착 유형: Stud Mount
패키지 / 케이스: M135
공급자 장치 패키지: M135

재고 있음8,154

SD1019

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 35V 136MHZ M130

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 35V
주파수-전환: 136MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 4.5dB
전력-최대: 117W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 500mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 9A
작동 온도: 200°C
장착 유형: Stud Mount
패키지 / 케이스: M130
공급자 장치 패키지: M130

재고 있음6,048

SD1019-02

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,094

SD1057-01H

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,118

SD1127

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 18V 175MHZ TO39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 18V
주파수-전환: 175MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 12dB
전력-최대: 8W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 640mA
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39

재고 있음3,096

SD1143-01

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 18V 175MHZ M113

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 18V
주파수-전환: 175MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 10dB
전력-최대: 20W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 250mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
작동 온도: 200°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M113
공급자 장치 패키지: M113

재고 있음8,712

SD1224

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 35V 175MHZ M135

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 35V
주파수-전환: 175MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7.6dB
전력-최대: 60W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M135
공급자 장치 패키지: M135

재고 있음8,388

SD1224-02

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 35V 175MHZ M113

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 35V
주파수-전환: 175MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7.6dB
전력-최대: 60W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M113
공급자 장치 패키지: M113

재고 있음8,838

SD1244-09H

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,136

SD1244-12H

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,178

SD1274

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 16V M135

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 10dB
전력-최대: 70W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 250mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: M135
공급자 장치 패키지: M135

재고 있음5,184

SD1274-01

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 16V M113

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 10dB
전력-최대: 70W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 250mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: M113
공급자 장치 패키지: M113

재고 있음8,982

SD1275

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 16V M135

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 9dB
전력-최대: 70W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 250mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스: M135
공급자 장치 패키지: M135

재고 있음5,166

SD1275-01

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 16V M113

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 9dB
전력-최대: 70W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 250mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: M113
공급자 장치 패키지: M113

재고 있음6,624

SD1309-01H

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,938

SD1330-05H

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,094

SD1330-06H

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,544

SD1332-05C

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ M150

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2.5dB @ 1GHz
이득: 17dB
전력-최대: 180W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 14mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
작동 온도: 200°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: M150
공급자 장치 패키지: M150

재고 있음2,448

SD1332-05H

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ M150

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2.5dB @ 1GHz
이득: 17dB
전력-최대: 180W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 14mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
작동 온도: 200°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: M150
공급자 장치 패키지: M150

재고 있음3,168

SD1372-01H

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,832

SD1372-03H

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,806

SD1372-06H

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,426

SD1400-03

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,894

SD1405

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 18V M174

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 18V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 13dB
전력-최대: 270W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: M174
공급자 장치 패키지: M174

재고 있음7,614

SD1419-06H

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,874

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