트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
NE85633L-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz 이득: 9dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음6,030
NE85633-R23-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz 이득: 11.5dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음5,994
NE85633-R24-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz 이득: 11.5dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음2,718
NE85633-R25-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz 이득: 11.5dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 125 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음6,516
NE85633-T1B CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz 이득: 9dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음4,482
NE85633-T1B-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz 이득: 11.5dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음5,418
NE85633-T1B-R23-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz 이득: 11.5dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음5,922
NE85633-T1B-R24-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz 이득: 11.5dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음5,814
NE85633-T1B-R25-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz 이득: 11.5dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 125 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음7,722
NE85634-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 6.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz 이득: 9dB 전력-최대: 2W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89	재고 있음4,482
NE85634-T1 CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 6.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz 이득: - 전력-최대: 2W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89	재고 있음4,950
NE85634-T1-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 6.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz 이득: 9dB 전력-최대: 2W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89	재고 있음7,308
NE85634-T1-RE-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 6.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz 이득: 9dB 전력-최대: 1.2W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 125 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89	재고 있음8,172
NE85634-T1-RF-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 6.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz 이득: 9dB 전력-최대: 1.2W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 125 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89	재고 있음2,100
NE85639-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz 이득: 13dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143	재고 있음6,084
NE85639R-T1 CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143R 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz 이득: 13.5dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-143R 공급자 장치 패키지: SOT-143R	재고 있음8,424
NE85639R-T1-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143R 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz 이득: 13.5dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-143R 공급자 장치 패키지: SOT-143R	재고 있음7,902
NE85639-T1-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz 이득: 13dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143	재고 있음6,660
NE85639-T1-R27-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz 이득: 13dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143	재고 있음6,102
NE85639-T1-R28-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz 이득: 13dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143	재고 있음4,590
NE856M02-AZ CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 6.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz 이득: 12dB 전력-최대: 1.2W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89	재고 있음4,644
NE856M02-T1-AZ CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 6.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz 이득: 12dB 전력-최대: 1.2W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89	재고 있음3,330
NE856M03-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ 3MINMOLD 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 4.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2.5dB @ 1GHz 이득: - 전력-최대: 125mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 7mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-623F 공급자 장치 패키지: 3-SuperMiniMold (M03)	재고 있음6,030
NE94430-T1-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 2GHZ SOT323 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 2GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 5mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음3,348
NE94433-T1B CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 2GHZ SOT23 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 2GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음3,544
NE94433-T1B-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 2GHZ SOT23 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 2GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음7,398
NE97733-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS PNP 12V 8.5GHZ SOT23 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB @ 1GHz 이득: 12dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음7,146
NE97733-T1B-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS PNP 12V 8.5GHZ SOT23 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB @ 1GHz 이득: 12dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음3,798
NE97833-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS PNP 12V 5.5GHZ SOT23 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 5.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB @ 1GHz 이득: 10dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 15mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음5,706
NE97833-T1B-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS PNP 12V 5.5GHZ SOT23 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 5.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB @ 1GHz 이득: 10dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 15mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음6,156

NE85633L-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz
이득: 9dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음6,030

NE85633-R23-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
이득: 11.5dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음5,994

NE85633-R24-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
이득: 11.5dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음2,718

NE85633-R25-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
이득: 11.5dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 125 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음6,516

NE85633-T1B

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz
이득: 9dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음4,482

NE85633-T1B-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
이득: 11.5dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음5,418

NE85633-T1B-R23-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
이득: 11.5dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음5,922

NE85633-T1B-R24-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
이득: 11.5dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음5,814

NE85633-T1B-R25-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
이득: 11.5dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 125 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음7,722

NE85634-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 6.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
이득: 9dB
전력-최대: 2W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89

재고 있음4,482

NE85634-T1

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 6.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz
이득: -
전력-최대: 2W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89

재고 있음4,950

NE85634-T1-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 6.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
이득: 9dB
전력-최대: 2W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89

재고 있음7,308

NE85634-T1-RE-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 6.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
이득: 9dB
전력-최대: 1.2W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 125 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89

재고 있음8,172

NE85634-T1-RF-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 6.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
이득: 9dB
전력-최대: 1.2W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 125 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89

재고 있음2,100

NE85639-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
이득: 13dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143

재고 있음6,084

NE85639R-T1

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143R

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz
이득: 13.5dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-143R
공급자 장치 패키지: SOT-143R

재고 있음8,424

NE85639R-T1-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143R

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz
이득: 13.5dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-143R
공급자 장치 패키지: SOT-143R

재고 있음7,902

NE85639-T1-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
이득: 13dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143

재고 있음6,660

NE85639-T1-R27-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
이득: 13dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143

재고 있음6,102

NE85639-T1-R28-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
이득: 13dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143

재고 있음4,590

NE856M02-AZ

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 6.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
이득: 12dB
전력-최대: 1.2W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89

재고 있음4,644

NE856M02-T1-AZ

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 6.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
이득: 12dB
전력-최대: 1.2W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89

재고 있음3,330

NE856M03-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ 3MINMOLD

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 4.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2.5dB @ 1GHz
이득: -
전력-최대: 125mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 7mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-623F
공급자 장치 패키지: 3-SuperMiniMold (M03)

재고 있음6,030

NE94430-T1-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 2GHZ SOT323

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 2GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 5mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음3,348

NE94433-T1B

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 2GHZ SOT23

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 2GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음3,544

NE94433-T1B-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 2GHZ SOT23

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 2GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음7,398

NE97733-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS PNP 12V 8.5GHZ SOT23

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB @ 1GHz
이득: 12dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음7,146

NE97733-T1B-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS PNP 12V 8.5GHZ SOT23

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB @ 1GHz
이득: 12dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음3,798

NE97833-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS PNP 12V 5.5GHZ SOT23

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 5.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB @ 1GHz
이득: 10dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 15mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음5,706

NE97833-T1B-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS PNP 12V 5.5GHZ SOT23

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 5.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB @ 1GHz
이득: 10dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 15mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음6,156

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