트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IXFN180N15P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B 제조업체: IXYS 시리즈: PolarHT™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 240nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 680W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음7,866
IXFN180N20 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 660nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 22000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음8,604
IXFN180N25T IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227 제조업체: IXYS 시리즈: GigaMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 168A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 345nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 900W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음3,618
IXFN200N07 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 70V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 480nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 520W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음7,200
IXFN200N10P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B 제조업체: IXYS 시리즈: Polar™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 235nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 680W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음6,246
IXFN20N120 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 160nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 780W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음3,544
IXFN20N120P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B 제조업체: IXYS 시리즈: Polar™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 193nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11100pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 595W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음3,384
IXFN210N20P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 188A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 105A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 255nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1070W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음133
IXFN210N30P3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 300V 192A SOT-227 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, Polar3™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 192A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 105A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 268nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1500W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음4,752
IXFN210N30X3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 FET N-CHANNEL 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 210A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 105A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 375nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 24200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 695W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음3,114
IXFN21N100Q IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5900pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 520W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음7,218
IXFN220N20X3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 200V/160A ULTRA JUNCTION X3-CLAS 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 110A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 204nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 390W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음6,336
IXFN230N10 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 570nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 19000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음18,612
IXFN230N20T IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227 제조업체: IXYS 시리즈: GigaMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 378nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1090W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음7,032
IXFN23N100 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 600W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음5,562
IXFN240N15T2 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 240A SOT227 제조업체: IXYS 시리즈: GigaMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 460nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 32000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 830W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음2,664
IXFN240N25X3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 240A SOT227B 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 120A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 345nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 23800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 695W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음8,586
IXFN24N100 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 267nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8700pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 568W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음7,506
IXFN24N100F IXYS-RF	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B 제조업체: IXYS-RF 시리즈: HiPerRF™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 195nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 600W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음225
IXFN24N90Q IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500W (Tc) 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음8,244
IXFN25N90 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 240nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 600W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음4,914
IXFN260N17T IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227 제조업체: IXYS 시리즈: GigaMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 170V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 245A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 400nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 24000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1090W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음3,258
IXFN26N100P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B 제조업체: IXYS 시리즈: Polar™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 197nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11900pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 595W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음2,016
IXFN26N120P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B 제조업체: IXYS 시리즈: Polar™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 225nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 695W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음2,448
IXFN26N90 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 240nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 600W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음6,456
IXFN27N80 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V, 15V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 13.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 400nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9740pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 520W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음7,398
IXFN27N80Q IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 520W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음2,178
IXFN280N07 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 70V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 120A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 420nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 600W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음5,274
IXFN280N085 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 85V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 580nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 19000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음3,852
IXFN300N10P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227 제조업체: IXYS 시리즈: Polar™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 295A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 279nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 23000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1070W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음5,346

IXFN180N15P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B

제조업체: IXYS
시리즈: PolarHT™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 240nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 680W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음7,866

IXFN180N20

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 660nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 22000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음8,604

IXFN180N25T

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227

제조업체: IXYS
시리즈: GigaMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 168A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 345nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 900W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음3,618

IXFN200N07

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 70V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 480nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 520W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음7,200

IXFN200N10P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B

제조업체: IXYS
시리즈: Polar™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 235nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 680W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음6,246

IXFN20N120

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 160nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 780W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음3,544

IXFN20N120P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B

제조업체: IXYS
시리즈: Polar™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 193nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11100pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 595W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음3,384

IXFN210N20P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 188A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 105A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 255nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1070W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음133

IXFN210N30P3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 300V 192A SOT-227

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, Polar3™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 300V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 192A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 105A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 268nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1500W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음4,752

IXFN210N30X3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

FET N-CHANNEL

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 300V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 210A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 105A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 375nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 24200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 695W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음3,114

IXFN21N100Q

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5900pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 520W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음7,218

IXFN220N20X3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

200V/160A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 110A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 204nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 390W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음6,336

IXFN230N10

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 570nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 19000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음18,612

IXFN230N20T

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227

제조업체: IXYS
시리즈: GigaMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 378nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1090W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음7,032

IXFN23N100

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 600W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음5,562

IXFN240N15T2

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 240A SOT227

제조업체: IXYS
시리즈: GigaMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 460nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 32000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 830W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음2,664

IXFN240N25X3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 240A SOT227B

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 120A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 345nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 23800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 695W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음8,586

IXFN24N100

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 267nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8700pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 568W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음7,506

IXFN24N100F

IXYS-RF

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B

제조업체: IXYS-RF
시리즈: HiPerRF™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 195nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 600W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음225

IXFN24N90Q

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500W (Tc)
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음8,244

IXFN25N90

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 240nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 600W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음4,914

IXFN260N17T

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227

제조업체: IXYS
시리즈: GigaMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 170V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 245A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 400nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 24000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1090W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음3,258

IXFN26N100P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B

제조업체: IXYS
시리즈: Polar™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 197nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11900pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 595W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음2,016

IXFN26N120P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B

제조업체: IXYS
시리즈: Polar™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 225nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 695W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음2,448

IXFN26N90

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 240nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 600W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음6,456

IXFN27N80

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V, 15V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 400nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9740pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 520W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음7,398

IXFN27N80Q

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 520W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음2,178

IXFN280N07

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 70V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 120A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 420nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 600W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음5,274

IXFN280N085

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 85V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 580nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 19000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음3,852

IXFN300N10P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227

제조업체: IXYS
시리즈: Polar™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 295A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 279nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 23000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1070W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음5,346

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