트랜지스터

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IXFX180N25T IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 180A PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: GigaMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 345nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1390W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음3,330
IXFX200N10P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, PolarP2™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 235nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 830W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음2,034
IXFX20N120 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1200V 20A ISOPLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 160nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 780W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음6,264
IXFX20N120P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, PolarP2™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 193nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11100pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 780W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음5,004
IXFX20N80Q IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 20A PLUS247-3 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 200nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5100pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 360W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음3,454
IXFX210N17T IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 170V 210A PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: GigaMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 170V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 210A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 285nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1150W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음5,022
IXFX210N30X3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 300V/210A ULTRA JUNCTION X3-CLAS 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 210A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 105A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 375nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 24.2nF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1250W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음3,490
IXFX21N100F IXYS-RF	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS247-3 제조업체: IXYS-RF 시리즈: HiPerRF™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 10.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 160nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음7,344
IXFX21N100Q IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS 247 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 10.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6900pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음7,650
IXFX220N17T2 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 170V 220A PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 170V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 500nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 31000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1250W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음4,338
IXFX230N20T IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 230A PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: GigaMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 378nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1670W (Tc) 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음18,504
IXFX240N15T2 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 240A PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: GigaMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 460nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 32000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1250W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음7,650
IXFX240N25X3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 240A PLUS247-3 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 120A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 345nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 23800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1250W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음13,074
IXFX24N100 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS 247 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 267nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8700pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 560W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음7,740
IXFX24N100F IXYS-RF	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247-3 제조업체: IXYS-RF 시리즈: HiPerRF™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 195nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 560W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음6,894
IXFX24N100Q3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1000W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음4,374
IXFX24N90Q IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 24A PLUS 247 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5900pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음5,634
IXFX250N10P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 250A PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, PolarP2™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 205nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1250W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음8,154
IXFX25N90 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 25A PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 240nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 560W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음3,526
IXFX260N17T IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 170V 260A PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: GigaMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 170V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 260A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 400nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 24000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1670W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음6,444
IXFX26N100P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 26A PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, PolarP2™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 197nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11900pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 780W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음3,472
IXFX26N120P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1200V 26A PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, PolarP2™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 225nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 960W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음3,726
IXFX26N60Q IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 26A PLUS 247 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 200nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5100pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 360W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음3,654
IXFX26N90 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 26A PLUS 247 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 240nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 560W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음2,088
IXFX27N80Q IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 27A PLUS 247 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음2,124
IXFX300N20X3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 200V/300A ULTRA JUNCTION X3-CLAS 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 150A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 375nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 23800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1250W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음2,880
IXFX30N100Q2 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 186nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 735W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음6,138
IXFX30N110P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, PolarP2™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 235nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 960W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음8,190
IXFX30N50 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음7,740
IXFX30N50Q IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 30A PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3950pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 416W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음3,978

IXFX180N25T

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 180A PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: GigaMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 345nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1390W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음3,330

IXFX200N10P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, PolarP2™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 235nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 830W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음2,034

IXFX20N120

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1200V 20A ISOPLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 160nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 780W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음6,264

IXFX20N120P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, PolarP2™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 193nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11100pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 780W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음5,004

IXFX20N80Q

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 20A PLUS247-3

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 200nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5100pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 360W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음3,454

IXFX210N17T

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 170V 210A PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: GigaMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 170V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 210A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 285nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1150W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음5,022

IXFX210N30X3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

300V/210A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 300V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 210A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 105A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 375nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 24.2nF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1250W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음3,490

IXFX21N100F

IXYS-RF

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS247-3

제조업체: IXYS-RF
시리즈: HiPerRF™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 160nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음7,344

IXFX21N100Q

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS 247

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6900pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음7,650

IXFX220N17T2

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 170V 220A PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 170V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 500nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 31000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1250W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음4,338

IXFX230N20T

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 230A PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: GigaMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 378nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1670W (Tc)
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음18,504

IXFX240N15T2

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 240A PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: GigaMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 460nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 32000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1250W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음7,650

IXFX240N25X3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 240A PLUS247-3

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 120A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 345nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 23800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1250W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음13,074

IXFX24N100

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS 247

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 267nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8700pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 560W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음7,740

IXFX24N100F

IXYS-RF

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247-3

제조업체: IXYS-RF
시리즈: HiPerRF™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 195nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 560W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음6,894

IXFX24N100Q3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1000W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음4,374

IXFX24N90Q

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 24A PLUS 247

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5900pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음5,634

IXFX250N10P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 250A PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, PolarP2™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 205nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1250W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음8,154

IXFX25N90

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 25A PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 240nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 560W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음3,526

IXFX260N17T

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 170V 260A PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: GigaMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 170V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 260A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 400nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 24000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1670W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음6,444

IXFX26N100P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 26A PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, PolarP2™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 197nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11900pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 780W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음3,472

IXFX26N120P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1200V 26A PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, PolarP2™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 225nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 960W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음3,726

IXFX26N60Q

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 26A PLUS 247

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 200nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5100pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 360W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음3,654

IXFX26N90

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 26A PLUS 247

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 240nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 560W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음2,088

IXFX27N80Q

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 27A PLUS 247

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음2,124

IXFX300N20X3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

200V/300A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 150A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 375nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 23800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1250W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음2,880

IXFX30N100Q2

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 186nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 735W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음6,138

IXFX30N110P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, PolarP2™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 235nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 960W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음8,190

IXFX30N50

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음7,740

IXFX30N50Q

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 30A PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3950pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 416W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음3,978

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