트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
NTMFS4839NHT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A (Ta), 64A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43.5nC @ 11.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2354pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 870mW (Ta), 42.4W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음8,082
NTMFS4839NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A (Ta), 64A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1588pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 870mW (Ta), 41.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음3,474
NTMFS4839NT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A (Ta), 64A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1588pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 870mW (Ta), 41.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음5,076
NTMFS4841NHT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 8.6A SO-8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.6A (Ta), 59A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 11.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2113pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 870mW (Ta), 41.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음5,256
NTMFS4841NHT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 8.6A SO-8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.6A (Ta), 59A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 11.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2113pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 870mW (Ta), 41.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음2,538
NTMFS4841NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 8.3A SO-8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.3A (Ta), 57A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1436pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 870mW (Ta), 41.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음231,540
NTMFS4841NT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 8.3A SO-8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.3A (Ta), 57A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1436pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 870mW (Ta), 41.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음3,384
NTMFS4845NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 13.7A SO-8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.7A (Ta), 115A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 11.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3720pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 890mW (Ta), 62.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음12,234
NTMFS4845NT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 13.7A SO-8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.7A (Ta), 115A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 11.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3720pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 890mW (Ta), 62.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음3,798
NTMFS4846NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 12.7A SO-8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.7A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53nC @ 11.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3250pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 890mW (Ta), 55.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음8,730
NTMFS4846NT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 12.7A SO-8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.7A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53nC @ 11.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3250pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 890mW (Ta), 55.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음3,654
NTMFS4847NAT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 11.5A SO-8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A (Ta), 85A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2614pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 880mW (Ta), 48.4W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음4,698
NTMFS4847NAT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 11.5A SO-8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A (Ta), 85A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2614pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 880mW (Ta), 48.4W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음7,704
NTMFS4847NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 11.5A SO-8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A (Ta), 85A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2614pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 880mW (Ta), 48.4W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음8,694
NTMFS4847NT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 11.5A SO-8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A (Ta), 85A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2614pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 880mW (Ta), 48.4W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음8,568
NTMFS4849NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 10.2A SO-8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.2A (Ta), 71A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2040pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 870mW (Ta), 42.4W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음3,618
NTMFS4849NT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 10.2A SO-8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.2A (Ta), 71A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2040pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 870mW (Ta), 42.4W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음3,132
NTMFS4851NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A (Ta), 66A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1850pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 870mW (Ta), 41.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음2,070
NTMFS4851NT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A (Ta), 66A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1850pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 870mW (Ta), 41.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음4,428
NTMFS4852NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 16A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 155A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 71.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4970pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 900mW (Ta), 86.2W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음7,956
NTMFS4852NT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 16A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 155A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 71.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4970pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 900mW (Ta), 86.2W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음2,916
NTMFS4854NST1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 15.2A SO-8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SENSEFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.2A (Ta), 149A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3.2V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 85nC @ 11.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4830pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 900mW (Ta), 86.2W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SO-8FL 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음8,244
NTMFS4854NST3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 15.2A SO-8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SENSEFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.2A (Ta), 149A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3.2V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 85nC @ 11.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4830pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 900mW (Ta), 86.2W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SO-8FL 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음6,120
NTMFS4897NFT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V SO-8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta), 171A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 83.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5660pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 950mW (Ta), 96.2W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음24,786
NTMFS4897NFT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V SO-8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta), 171A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 83.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5660pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 950mW (Ta), 96.2W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음7,272
NTMFS4898NFT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V SO-8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.2A (Ta), 117A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3233pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 930mW (Ta), 73.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음3,726
NTMFS4898NFT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V SO-8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.2A (Ta), 117A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3233pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 930mW (Ta), 73.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음4,608
NTMFS4899NFT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V SO-8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.4A (Ta), 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 920mW (Ta), 48W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음6,174
NTMFS4921NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 8.8A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.8A (Ta), 58.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 11.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 870mW (Ta), 38.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음5,004
NTMFS4921NT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 8.8A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.8A (Ta), 58.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 11.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 870mW (Ta), 38.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음3,834

NTMFS4839NHT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A (Ta), 64A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43.5nC @ 11.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2354pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 870mW (Ta), 42.4W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음8,082

NTMFS4839NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A (Ta), 64A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1588pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 870mW (Ta), 41.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음3,474

NTMFS4839NT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A (Ta), 64A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1588pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 870mW (Ta), 41.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음5,076

NTMFS4841NHT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8.6A SO-8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.6A (Ta), 59A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 11.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2113pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 870mW (Ta), 41.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음5,256

NTMFS4841NHT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8.6A SO-8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.6A (Ta), 59A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 11.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2113pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 870mW (Ta), 41.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음2,538

NTMFS4841NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8.3A SO-8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.3A (Ta), 57A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1436pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 870mW (Ta), 41.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음231,540

NTMFS4841NT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8.3A SO-8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.3A (Ta), 57A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1436pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 870mW (Ta), 41.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음3,384

NTMFS4845NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 13.7A SO-8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.7A (Ta), 115A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 11.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3720pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 890mW (Ta), 62.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음12,234

NTMFS4845NT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 13.7A SO-8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.7A (Ta), 115A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 11.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3720pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 890mW (Ta), 62.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음3,798

NTMFS4846NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 12.7A SO-8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.7A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53nC @ 11.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3250pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 890mW (Ta), 55.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음8,730

NTMFS4846NT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 12.7A SO-8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.7A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53nC @ 11.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3250pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 890mW (Ta), 55.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음3,654

NTMFS4847NAT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 11.5A SO-8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A (Ta), 85A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2614pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 880mW (Ta), 48.4W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음4,698

NTMFS4847NAT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 11.5A SO-8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A (Ta), 85A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2614pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 880mW (Ta), 48.4W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음7,704

NTMFS4847NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 11.5A SO-8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A (Ta), 85A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2614pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 880mW (Ta), 48.4W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음8,694

NTMFS4847NT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 11.5A SO-8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A (Ta), 85A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2614pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 880mW (Ta), 48.4W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음8,568

NTMFS4849NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 10.2A SO-8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.2A (Ta), 71A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2040pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 870mW (Ta), 42.4W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음3,618

NTMFS4849NT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 10.2A SO-8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.2A (Ta), 71A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2040pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 870mW (Ta), 42.4W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음3,132

NTMFS4851NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A (Ta), 66A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1850pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 870mW (Ta), 41.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음2,070

NTMFS4851NT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A (Ta), 66A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1850pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 870mW (Ta), 41.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음4,428

NTMFS4852NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 16A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 155A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 71.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4970pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 900mW (Ta), 86.2W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음7,956

NTMFS4852NT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 16A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 155A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 71.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4970pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 900mW (Ta), 86.2W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음2,916

NTMFS4854NST1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 15.2A SO-8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SENSEFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.2A (Ta), 149A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3.2V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 85nC @ 11.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4830pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 900mW (Ta), 86.2W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SO-8FL
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음8,244

NTMFS4854NST3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 15.2A SO-8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SENSEFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.2A (Ta), 149A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3.2V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 85nC @ 11.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4830pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 900mW (Ta), 86.2W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SO-8FL
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음6,120

NTMFS4897NFT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V SO-8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta), 171A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 83.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5660pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 950mW (Ta), 96.2W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음24,786

NTMFS4897NFT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V SO-8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta), 171A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 83.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5660pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 950mW (Ta), 96.2W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음7,272

NTMFS4898NFT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V SO-8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.2A (Ta), 117A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3233pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 930mW (Ta), 73.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음3,726

NTMFS4898NFT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V SO-8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.2A (Ta), 117A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3233pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 930mW (Ta), 73.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음4,608

NTMFS4899NFT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V SO-8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.4A (Ta), 75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 920mW (Ta), 48W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음6,174

NTMFS4921NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8.8A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.8A (Ta), 58.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 11.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 870mW (Ta), 38.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음5,004

NTMFS4921NT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8.8A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.8A (Ta), 58.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 11.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 870mW (Ta), 38.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

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