트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
NTMFS4C022NT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 30A 136A 5DFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 136A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3071pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 64W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음8,514
NTMFS4C024NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 21.7A 78A 5DFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21.7A (Ta), 78A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1972pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.57W (Ta), 33W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음5,112
NTMFS4C024NT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 21.7A 78A 5DFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21.7A (Ta), 78A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1972pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.57W (Ta), 33W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음8,136
NTMFS4C025NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 20A 69A 5DFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta), 69A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.41mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1683pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.55W (Ta), 30.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음3,096
NTMFS4C025NT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 20A 69A 5DFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta), 69A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.41mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1683pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.55W (Ta), 30.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음2,844
NTMFS4C027NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 16.4A 52A 5DFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.4A (Ta), 52A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1670pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.51W (Ta), 25.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음5,814
NTMFS4C027NT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 16.4A 52A 5DFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.4A (Ta), 52A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1670pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.51W (Ta), 25.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음6,534
NTMFS4C028NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 16.4A 52A 5DFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.4A (Ta), 52A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.73mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1252pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.51W (Ta), 25.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음8,910
NTMFS4C028NT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 16.4A 52A 5DFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.4A (Ta), 52A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.73mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1252pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.51W (Ta), 25.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음5,778
NTMFS4C029NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 15A 46A 5DFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 46A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.88mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 987pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.49W (Ta), 23.6W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음88,330
NTMFS4C029NT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 15A 46A 5DFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 46A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.88mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 987pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.49W (Ta), 23.6W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음6,858
NTMFS4C032NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 13A 38A 5DFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta), 38A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.35mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 770pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.46W (Ta), 21.6W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음14,412
NTMFS4C032NT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 13A 38A 5DFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta), 38A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.35mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 770pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.46W (Ta), 21.6W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음5,076
NTMFS4C03NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 30A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 136A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3071pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 64W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음11,075
NTMFS4C03NT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 30A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 136A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3071pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 64W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음2,952
NTMFS4C054NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 22.5A 80A 5DFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22.5A (Ta), 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.54mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.59W (Ta), 33W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음5,706
NTMFS4C054NT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 22.5A 80A 5DFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22.5A (Ta), 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.54mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.59W (Ta), 33W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음8,082
NTMFS4C05NAT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 21.7A 78A 5DFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21.7A (Ta), 78A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1972pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.57W (Ta), 33W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음3,186
NTMFS4C05NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 11.9A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1972pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 770mW (Ta), 33W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,852
NTMFS4C05NT1G-001 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 11.9A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.9A (Ta), 78A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1972pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 770mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음5,256
NTMFS4C05NT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 11.9A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1972pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 770mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음7,182
NTMFS4C06NAT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음8,424
NTMFS4C06NBT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 20A 69A 5DFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta), 69A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1683pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.55W (Ta), 30.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음5,778
NTMFS4C06NBT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 20A 69A 5DFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta), 69A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1683pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.55W (Ta), 30.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음5,040
NTMFS4C06NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 69A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1683pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 770mW (Ta), 30.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음7,632
NTMFS4C06NT1G-001 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 69A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1683pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 770mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음8,424
NTMFS4C06NT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 69A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 69A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1683pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 770mW (Ta), 30.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음7,182
NTMFS4C08NAT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 16.4A 52A 5DFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.4A (Ta), 52A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1670pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.51W (Ta), 25.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음3,186
NTMFS4C08NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 52A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 52A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1113pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 760mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음24,462
NTMFS4C08NT1G-001 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 52A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1670pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 760mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음6,606

NTMFS4C022NT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 30A 136A 5DFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 136A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3071pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 64W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음8,514

NTMFS4C024NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 21.7A 78A 5DFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21.7A (Ta), 78A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1972pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.57W (Ta), 33W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음5,112

NTMFS4C024NT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 21.7A 78A 5DFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21.7A (Ta), 78A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1972pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.57W (Ta), 33W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음8,136

NTMFS4C025NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 20A 69A 5DFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta), 69A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.41mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1683pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.55W (Ta), 30.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음3,096

NTMFS4C025NT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 20A 69A 5DFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta), 69A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.41mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1683pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.55W (Ta), 30.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음2,844

NTMFS4C027NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 16.4A 52A 5DFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.4A (Ta), 52A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1670pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.51W (Ta), 25.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음5,814

NTMFS4C027NT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 16.4A 52A 5DFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.4A (Ta), 52A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1670pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.51W (Ta), 25.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음6,534

NTMFS4C028NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 16.4A 52A 5DFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.4A (Ta), 52A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.73mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1252pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.51W (Ta), 25.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음8,910

NTMFS4C028NT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 16.4A 52A 5DFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.4A (Ta), 52A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.73mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1252pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.51W (Ta), 25.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음5,778

NTMFS4C029NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 15A 46A 5DFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 46A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.88mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 987pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.49W (Ta), 23.6W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음88,330

NTMFS4C029NT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 15A 46A 5DFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 46A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.88mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 987pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.49W (Ta), 23.6W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음6,858

NTMFS4C032NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 13A 38A 5DFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta), 38A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.35mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 770pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.46W (Ta), 21.6W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음14,412

NTMFS4C032NT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 13A 38A 5DFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta), 38A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.35mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 770pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.46W (Ta), 21.6W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음5,076

NTMFS4C03NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 30A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 136A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3071pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 64W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음11,075

NTMFS4C03NT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 30A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 136A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3071pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 64W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음2,952

NTMFS4C054NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 22.5A 80A 5DFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22.5A (Ta), 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.54mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.59W (Ta), 33W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음5,706

NTMFS4C054NT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 22.5A 80A 5DFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22.5A (Ta), 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.54mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.59W (Ta), 33W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음8,082

NTMFS4C05NAT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 21.7A 78A 5DFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21.7A (Ta), 78A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1972pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.57W (Ta), 33W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음3,186

NTMFS4C05NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 11.9A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1972pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 770mW (Ta), 33W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,852

NTMFS4C05NT1G-001

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 11.9A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.9A (Ta), 78A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1972pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 770mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음5,256

NTMFS4C05NT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 11.9A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1972pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 770mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음7,182

NTMFS4C06NAT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음8,424

NTMFS4C06NBT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 20A 69A 5DFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta), 69A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1683pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.55W (Ta), 30.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음5,778

NTMFS4C06NBT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 20A 69A 5DFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta), 69A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1683pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.55W (Ta), 30.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음5,040

NTMFS4C06NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 69A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1683pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 770mW (Ta), 30.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음7,632

NTMFS4C06NT1G-001

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 69A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1683pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 770mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음8,424

NTMFS4C06NT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 69A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 69A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1683pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 770mW (Ta), 30.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음7,182

NTMFS4C08NAT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 16.4A 52A 5DFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.4A (Ta), 52A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1670pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.51W (Ta), 25.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음3,186

NTMFS4C08NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 52A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 52A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1113pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 760mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음24,462

NTMFS4C08NT1G-001

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 52A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1670pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 760mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음6,606

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