트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
NTMFS4C08NT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 52A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 52A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1113pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 760mW (Ta), 25.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음7,362
NTMFS4C09NAT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 52A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1252pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 760mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음3,204
NTMFS4C09NBT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1252pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 760mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음8,694
NTMFS4C09NBT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1252pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 760mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음8,496
NTMFS4C09NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.9nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1252pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 760mW (Ta), 25.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음7,488
NTMFS4C09NT1G-001 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 52A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1252pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 760mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음4,590
NTMFS4C09NT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 52A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.9nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1252pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 760mW (Ta), 25.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음6,408
NTMFS4C10NAT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 8.2A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음3,726
NTMFS4C10NAT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 16.4A 46A 5DFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.4A (Ta), 46A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 987pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.51W (Ta), 23.6W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음2,952
NTMFS4C10NBT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 16.4A 46A 5DFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.4A (Ta), 46A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 987pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.51W (Ta), 23.6W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음4,968
NTMFS4C10NBT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 16.4A 46A 5DFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.4A (Ta), 46A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 987pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.51W (Ta), 23.6W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음4,896
NTMFS4C10NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 8.2A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 987pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 750mW (Ta), 23.6W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음2,862
NTMFS4C10NT1G-001 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 8.2A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.2A (Ta), 46A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 987pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 750mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,582
NTMFS4C10NT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 30V 46A 5DFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 46A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 987pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 750mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음7,758
NTMFS4C13NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 38A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A (Ta), 38A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 770pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 750mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음12,624
NTMFS4C13NT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 38A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A (Ta), 38A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 770pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 750mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음7,146
NTMFS4C250NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 69A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1683pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 770mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음5,292
NTMFS4C290NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 8.2A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.2A (Ta), 46A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 987pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 750mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음5,562
NTMFS4C302NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 NFET SO8FL 30V 1.15MO 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 41A (Ta), 230A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 82nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5780pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.13W (Ta), 96W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads	재고 있음5,346
NTMFS4C35NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 80A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 780mW (Ta), 33W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음17,730
NTMFS4C35NT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 80A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 780mW (Ta), 33W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음5,382
NTMFS4C50NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 46A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음4,194
NTMFS4C50NT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 46A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,348
NTMFS4C53NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 38A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음2,988
NTMFS4C53NT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 38A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음7,272
NTMFS4C55NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 78A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.9A (Ta), 78A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1972pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 770mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음2,970
NTMFS4C55NT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 78A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.9A (Ta), 78A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1972pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음8,352
NTMFS4C56NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 69A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음7,344
NTMFS4C56NT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 69A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음4,086
NTMFS4C58NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 52A SO8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음6,516

NTMFS4C08NT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 52A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 52A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1113pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 760mW (Ta), 25.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음7,362

NTMFS4C09NAT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 52A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1252pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 760mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음3,204

NTMFS4C09NBT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1252pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 760mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음8,694

NTMFS4C09NBT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1252pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 760mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음8,496

NTMFS4C09NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.9nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1252pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 760mW (Ta), 25.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음7,488

NTMFS4C09NT1G-001

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 52A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1252pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 760mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음4,590

NTMFS4C09NT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 52A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.9nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1252pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 760mW (Ta), 25.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음6,408

NTMFS4C10NAT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8.2A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음3,726

NTMFS4C10NAT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 16.4A 46A 5DFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.4A (Ta), 46A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 987pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.51W (Ta), 23.6W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음2,952

NTMFS4C10NBT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 16.4A 46A 5DFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.4A (Ta), 46A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 987pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.51W (Ta), 23.6W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음4,968

NTMFS4C10NBT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 16.4A 46A 5DFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.4A (Ta), 46A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 987pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.51W (Ta), 23.6W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음4,896

NTMFS4C10NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8.2A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 987pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 750mW (Ta), 23.6W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음2,862

NTMFS4C10NT1G-001

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8.2A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.2A (Ta), 46A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 987pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 750mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,582

NTMFS4C10NT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 30V 46A 5DFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 46A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 987pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 750mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음7,758

NTMFS4C13NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 38A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A (Ta), 38A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 770pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 750mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음12,624

NTMFS4C13NT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 38A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A (Ta), 38A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 770pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 750mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음7,146

NTMFS4C250NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 69A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1683pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 770mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음5,292

NTMFS4C290NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8.2A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.2A (Ta), 46A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 987pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 750mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음5,562

NTMFS4C302NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

NFET SO8FL 30V 1.15MO

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 41A (Ta), 230A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 82nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5780pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.13W (Ta), 96W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN, 5 Leads

재고 있음5,346

NTMFS4C35NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 80A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 780mW (Ta), 33W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음17,730

NTMFS4C35NT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 80A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 780mW (Ta), 33W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음5,382

NTMFS4C50NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 46A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음4,194

NTMFS4C50NT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 46A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,348

NTMFS4C53NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 38A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음2,988

NTMFS4C53NT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 38A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음7,272

NTMFS4C55NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 78A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.9A (Ta), 78A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1972pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 770mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음2,970

NTMFS4C55NT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 78A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.9A (Ta), 78A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1972pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음8,352

NTMFS4C56NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 69A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음7,344

NTMFS4C56NT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 69A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음4,086

NTMFS4C58NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 52A SO8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음6,516

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