트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
2N3501 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 150V 0.3A TO-39 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39	재고 있음8,262
2N3501 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 150V 0.3A TO-39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음5,742
2N3501L Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 150V 0.3A TO-5 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-5	재고 있음3,276
2N3501UB Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 150V 0.3A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/366 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: UB	재고 있음6,426
2N3506A Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN POWER SILICON TRANSISTORS 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,412
2N3506AL Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN POWER SILICON TRANSISTORS 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,616
2N3506L Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN POWER SILICON TRANSISTORS 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,978
2N3507 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN POWER SILICON TRANSISTORS 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,166
2N3507AL Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN POWER SILICON TRANSISTORS 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,508
2N3507AU4 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/349 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A 전류-수집기 차단 (최대): 1μA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 1.5A, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: U4	재고 있음6,264
2N3507L Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN POWER SILICON TRANSISTORS 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,660
2N3507U4 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN POWER SILICON TRANSISTORS 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,048
2N3563 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR NPN TO-106 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 8mA, 10V 전력-최대: - 주파수-전환: 600MHz 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-106-3 Domed 공급자 장치 패키지: TO-106	재고 있음7,740
2N3564 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR NPN TO-106 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 15mA, 10V 전력-최대: - 주파수-전환: 400MHz 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-106-3 Domed 공급자 장치 패키지: TO-106	재고 있음7,542
2N3565 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR NPN TO-106 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,058
2N3583 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 175V 1A TO-66 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 175V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 10V 전력-최대: 35W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2 공급자 장치 패키지: TO-66	재고 있음16,404
2N3584 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN POWER SILICON TRANSISTORS 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,950
2N3584 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 250V 2A TO-66 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 10V 전력-최대: 35W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2 공급자 장치 패키지: TO-66	재고 있음8,220
2N3585 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN POWER SILICON TRANSISTORS 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,344
2N3585 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 2A TO-66 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 10V 전력-최대: 35W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2 공급자 장치 패키지: TO-66	재고 있음8,874
2N3634 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN POWER SILICON TRANSISTORS 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,398
2N3634L Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 140V 1A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-5	재고 있음6,732
2N3634UB Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 140V 1A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: 3-SMD	재고 있음4,446
2N3635 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 140V 1A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39	재고 있음4,842
2N3635L Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 140V 1A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-5	재고 있음2,700
2N3635UB Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 140V 1A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: 3-SMD	재고 있음6,804
2N3636 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 175V 1A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 175V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39	재고 있음4,698
2N3636L Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 175V 1A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 175V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-5	재고 있음8,784
2N3636UB Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 175V 1A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 175V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: 3-SMD	재고 있음6,516
2N3637 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN POWER SILICON TRANSISTORS 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,834

2N3501

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 150V 0.3A TO-39

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39

재고 있음8,262

2N3501

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 150V 0.3A TO-39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음5,742

2N3501L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 150V 0.3A TO-5

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-5

재고 있음3,276

2N3501UB

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 150V 0.3A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/366
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: UB

재고 있음6,426

2N3506A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,412

2N3506AL

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,616

2N3506L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,978

2N3507

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,166

2N3507AL

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,508

2N3507AU4

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/349
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
전류-수집기 차단 (최대): 1μA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 1.5A, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: U4

재고 있음6,264

2N3507L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,660

2N3507U4

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,048

2N3563

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR NPN TO-106

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 8mA, 10V
전력-최대: -
주파수-전환: 600MHz
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-106-3 Domed
공급자 장치 패키지: TO-106

재고 있음7,740

2N3564

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR NPN TO-106

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 15mA, 10V
전력-최대: -
주파수-전환: 400MHz
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-106-3 Domed
공급자 장치 패키지: TO-106

재고 있음7,542

2N3565

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR NPN TO-106

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,058

2N3583

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 175V 1A TO-66

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 175V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 10V
전력-최대: 35W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2
공급자 장치 패키지: TO-66

재고 있음16,404

2N3584

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,950

2N3584

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 250V 2A TO-66

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 10V
전력-최대: 35W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2
공급자 장치 패키지: TO-66

재고 있음8,220

2N3585

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,344

2N3585

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 2A TO-66

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 10V
전력-최대: 35W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2
공급자 장치 패키지: TO-66

재고 있음8,874

2N3634

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,398

2N3634L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 140V 1A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-5

재고 있음6,732

2N3634UB

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 140V 1A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: 3-SMD

재고 있음4,446

2N3635

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 140V 1A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39

재고 있음4,842

2N3635L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 140V 1A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-5

재고 있음2,700

2N3635UB

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 140V 1A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: 3-SMD

재고 있음6,804

2N3636

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 175V 1A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 175V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39

재고 있음4,698

2N3636L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 175V 1A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 175V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-5

재고 있음8,784

2N3636UB

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 175V 1A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 175V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: 3-SMD

재고 있음6,516

2N3637

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,834

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