트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
PMN25ENEX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 PMN25ENE/SOT457/SC-74 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (최대): 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 597pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 560mW (Ta), 6.25mW (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음3,762
PMN25UN,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 470pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 530mW (Ta), 6.25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457	재고 있음8,946
PMN27UN,135 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 740pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.75W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457	재고 있음6,948
PMN27UP,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2340pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 540mW (Ta), 6.25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457	재고 있음2,286
PMN27UPH Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2340pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 540mW (Ta), 6.25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457	재고 있음3,762
PMN27XPE,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1770pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 530mW (Ta), 8.33W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457	재고 있음5,346
PMN27XPEAX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1770pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 530mW (Ta), 8.33W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457	재고 있음4,410
PMN28UN,135 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 12V 5.7A 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.1nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 740pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.75W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457	재고 있음2,988
PMN28UN,165 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 12V 5.7A 6TSOP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.1nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 740pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.75W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457	재고 있음3,078
PMN28UNEX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 PMN28UNE/SOT457/SC-74 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 490pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 570mW (Ta), 6.25W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음2,844
PMN30UNEX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 4.8A 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 558pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 530mW (Ta), 4.46W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457	재고 있음4,266
PMN30UNX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 4.5A 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 635pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 530mW (Ta), 4.46W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457	재고 있음92,676
PMN30XPX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 5.2A 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1575pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 550mW (Ta), 6.25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457	재고 있음86,700
PMN34LN,135 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.1nC @ 10V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.75W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457	재고 있음5,454
PMN34UN,135 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 4.9A 6TSOP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.9nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 790pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.75W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457	재고 있음4,950
PMN34UP,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1950pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 540mW (Ta), 6.25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457	재고 있음3,744
PMN35EN,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 334pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457	재고 있음4,734
PMN35EN,125 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 334pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457	재고 있음6,354
PMN38EN,135 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 495pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.75W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457	재고 있음2,970
PMN38EN,165 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 495pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.75W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457	재고 있음7,524
PMN40ENEX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 5.7A 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 294pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 530mW (Ta), 4.46W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457	재고 있음4,806
PMN40LN,135 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.8nC @ 10V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 555pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.75W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457	재고 있음3,960
PMN40UPE,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1820pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta), 8.33W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457	재고 있음3,600
PMN40UPEAX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1820pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta), 8.33W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457	재고 있음6,912
PMN42XPE,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 4A 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.3nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1410pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta), 8.33W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457	재고 있음3,078
PMN42XPEAH Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.3nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1410pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta), 8.33W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457	재고 있음113,802
PMN42XPEAX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 4A 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.3nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1410pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta), 8.33W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457	재고 있음2,232
PMN45EN,135 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 5.2A 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V Vgs (최대): 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 495pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.75W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457	재고 있음4,194
PMN45EN,165 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 5.2A 6TSOP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V Vgs (최대): 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 495pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.75W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457	재고 있음6,876
PMN48XP,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 530mW (Ta), 6.25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457	재고 있음2,124

PMN25ENEX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

PMN25ENE/SOT457/SC-74

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs (최대): 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 597pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 560mW (Ta), 6.25mW (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음3,762

PMN25UN,115

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 470pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 530mW (Ta), 6.25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457

재고 있음8,946

PMN27UN,135

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 740pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.75W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457

재고 있음6,948

PMN27UP,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2340pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 540mW (Ta), 6.25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457

재고 있음2,286

PMN27UPH

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2340pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 540mW (Ta), 6.25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457

재고 있음3,762

PMN27XPE,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1770pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 530mW (Ta), 8.33W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457

재고 있음5,346

PMN27XPEAX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1770pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 530mW (Ta), 8.33W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457

재고 있음4,410

PMN28UN,135

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 12V 5.7A 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.1nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 740pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.75W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457

재고 있음2,988

PMN28UN,165

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 12V 5.7A 6TSOP

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.1nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 740pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.75W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457

재고 있음3,078

PMN28UNEX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

PMN28UNE/SOT457/SC-74

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 490pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 570mW (Ta), 6.25W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음2,844

PMN30UNEX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 4.8A 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 558pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 530mW (Ta), 4.46W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457

재고 있음4,266

PMN30UNX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 4.5A 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 635pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 530mW (Ta), 4.46W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457

재고 있음92,676

PMN30XPX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 5.2A 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1575pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 550mW (Ta), 6.25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457

재고 있음86,700

PMN34LN,135

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.1nC @ 10V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.75W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457

재고 있음5,454

PMN34UN,135

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 4.9A 6TSOP

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.9nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 790pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.75W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457

재고 있음4,950

PMN34UP,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1950pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 540mW (Ta), 6.25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457

재고 있음3,744

PMN35EN,115

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 334pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457

재고 있음4,734

PMN35EN,125

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 334pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457

재고 있음6,354

PMN38EN,135

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 495pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.75W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457

재고 있음2,970

PMN38EN,165

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 495pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.75W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457

재고 있음7,524

PMN40ENEX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 5.7A 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 294pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 530mW (Ta), 4.46W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457

재고 있음4,806

PMN40LN,135

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 555pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.75W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457

재고 있음3,960

PMN40UPE,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1820pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta), 8.33W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457

재고 있음3,600

PMN40UPEAX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1820pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta), 8.33W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457

재고 있음6,912

PMN42XPE,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 4A 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.3nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1410pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta), 8.33W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457

재고 있음3,078

PMN42XPEAH

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.3nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1410pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta), 8.33W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457

재고 있음113,802

PMN42XPEAX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 4A 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.3nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1410pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta), 8.33W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457

재고 있음2,232

PMN45EN,135

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 5.2A 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V
Vgs (최대): 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 495pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.75W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457

재고 있음4,194

PMN45EN,165

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 5.2A 6TSOP

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V
Vgs (최대): 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 495pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.75W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457

재고 있음6,876

PMN48XP,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 530mW (Ta), 6.25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457

재고 있음2,124

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