트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
PMN48XP,125 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 530mW (Ta), 6.25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457	재고 있음8,190
PMN48XPAX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 530mW (Ta), 6.25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457	재고 있음3,276
PMN49EN,135 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.75W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457	재고 있음6,624
PMN49EN,165 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.75W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457	재고 있음4,392
PMN50EPEX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 PMN50EPE/SOT457/SC-74 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 793pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 560mW (Ta), 6.25mW (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음4,590
PMN50UPE,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.7nC @ 10V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 24pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 510mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457	재고 있음2,862
PMN50XP,165 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 4.8A 6TSOP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1020pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.2W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457	재고 있음4,338
PMN52XPX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 3.7A 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 763pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 530mW (Ta), 4.46W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457	재고 있음29,694
PMN55ENEH Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 PMN55ENE/SOT457/SC-74 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 646pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 560mW (Ta), 6.25mW (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457	재고 있음47,430
PMN55ENEX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 4.5A 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 646pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 560mW (Ta), 6.25mW (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457	재고 있음4,698
PMN55LN,135 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 4.1A 6TSOP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.1A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.1nC @ 10V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.75W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457	재고 있음8,082
PMN70EPEX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 4.4A 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 370pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 570mW (Ta), 6.25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457	재고 있음5,256
PMN70XPE,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 602pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta), 6.25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457	재고 있음3,258
PMN70XPEAX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 602pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta), 6.25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457	재고 있음7,236
PMN70XPX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 3.1A 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 550pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 530mW (Ta), 4.46W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457	재고 있음5,616
PMN80XP,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 2.5A 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 550pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 385mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457	재고 있음8,316
PMPB100ENEAX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 PMPB100ENEA/SOT1220/SOT1220 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DFN2020MD-6 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad	재고 있음5,922
PMPB100ENEX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 PMPB100ENE/SOT1220/SOT1220 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DFN2020MD-6 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad	재고 있음8,370
PMPB100XPEAX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DFN2020MD 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Vgs (최대): +8V, -10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 388pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 550mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-DFN2020MD (2x2) 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad	재고 있음2,538
PMPB10XNE,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2175pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DFN2020MD-6 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad	재고 있음6,984
PMPB10XNEAX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 PMPB10XNEA/SOT1220/SOT1220 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 0.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.175nF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DFN2020MD-6 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad	재고 있음8,280
PMPB10XNEZ Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V SOT1220 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2175pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DFN2020MD-6 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad	재고 있음95,628
PMPB11EN,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 9A 6DFN 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DFN2020MD-6 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad	재고 있음140,760
PMPB12UN,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 886pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-DFN2020MD (2x2) 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad	재고 있음7,848
PMPB12UNEAX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 PMPB12UNEA/SOT1220/SOT1220 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 0.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1.22nF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta), 12.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DFN2020MD-6 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad	재고 있음5,238
PMPB12UNEX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 11.4A 6DFN2020MD 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1220pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 470mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DFN2020MD-6 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad	재고 있음29,712
PMPB13XNE,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 8A 6DFN 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2195pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DFN2020MD-6 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad	재고 있음3,168
PMPB14XPX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 PMPB14XP/SOT1220/SOT1220 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DFN2020MD-6 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad	재고 있음192,906
PMPB15XN,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 7.3A 6DFN 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.2nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1240pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DFN2020MD-6 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad	재고 있음3,618
PMPB15XP,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 8.2A 6DFN 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2875pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DFN2020MD-6 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad	재고 있음28,266

PMN48XP,125

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 530mW (Ta), 6.25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457

재고 있음8,190

PMN48XPAX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 530mW (Ta), 6.25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457

재고 있음3,276

PMN49EN,135

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.75W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457

재고 있음6,624

PMN49EN,165

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.75W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457

재고 있음4,392

PMN50EPEX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

PMN50EPE/SOT457/SC-74

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 793pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 560mW (Ta), 6.25mW (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음4,590

PMN50UPE,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 24pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 510mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457

재고 있음2,862

PMN50XP,165

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 4.8A 6TSOP

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1020pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.2W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457

재고 있음4,338

PMN52XPX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3.7A 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 763pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 530mW (Ta), 4.46W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457

재고 있음29,694

PMN55ENEH

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

PMN55ENE/SOT457/SC-74

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 646pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 560mW (Ta), 6.25mW (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457

재고 있음47,430

PMN55ENEX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 4.5A 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 646pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 560mW (Ta), 6.25mW (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457

재고 있음4,698

PMN55LN,135

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 4.1A 6TSOP

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.1A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.1nC @ 10V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.75W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457

재고 있음8,082

PMN70EPEX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 4.4A 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 370pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 570mW (Ta), 6.25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457

재고 있음5,256

PMN70XPE,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 602pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta), 6.25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457

재고 있음3,258

PMN70XPEAX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 602pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta), 6.25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457

재고 있음7,236

PMN70XPX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3.1A 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 550pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 530mW (Ta), 4.46W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457

재고 있음5,616

PMN80XP,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 2.5A 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 550pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 385mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457

재고 있음8,316

PMPB100ENEAX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

PMPB100ENEA/SOT1220/SOT1220

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DFN2020MD-6
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad

재고 있음5,922

PMPB100ENEX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

PMPB100ENE/SOT1220/SOT1220

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DFN2020MD-6
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad

재고 있음8,370

PMPB100XPEAX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DFN2020MD

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs (최대): +8V, -10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 388pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 550mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-DFN2020MD (2x2)
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad

재고 있음2,538

PMPB10XNE,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2175pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DFN2020MD-6
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad

재고 있음6,984

PMPB10XNEAX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

PMPB10XNEA/SOT1220/SOT1220

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 0.9V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.175nF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DFN2020MD-6
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad

재고 있음8,280

PMPB10XNEZ

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V SOT1220

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2175pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DFN2020MD-6
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad

재고 있음95,628

PMPB11EN,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 9A 6DFN

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DFN2020MD-6
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad

재고 있음140,760

PMPB12UN,115

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 886pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-DFN2020MD (2x2)
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad

재고 있음7,848

PMPB12UNEAX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

PMPB12UNEA/SOT1220/SOT1220

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 0.9V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1.22nF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.6W (Ta), 12.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DFN2020MD-6
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad

재고 있음5,238

PMPB12UNEX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 11.4A 6DFN2020MD

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1220pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 470mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DFN2020MD-6
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad

재고 있음29,712

PMPB13XNE,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8A 6DFN

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2195pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DFN2020MD-6
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad

재고 있음3,168

PMPB14XPX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

PMPB14XP/SOT1220/SOT1220

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DFN2020MD-6
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad

재고 있음192,906

PMPB15XN,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 7.3A 6DFN

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1240pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DFN2020MD-6
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad

재고 있음3,618

PMPB15XP,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 8.2A 6DFN

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2875pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DFN2020MD-6
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad

재고 있음28,266

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