트랜지스터

PMZ290UNYL

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET 3DFN

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DFN1006-3
• 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883

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PMZ320UPEYL

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V SOT883

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 122pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DFN1006-3
• 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883

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PMZ350UPEYL

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 1A

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 127pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta), 3.125W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DFN1006-3
• 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883

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PMZ350XN,315

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 1.87A SOT883

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.87A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 200mA, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.65nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 37pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DFN1006-3
• 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883

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PMZ370UNEYL

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 0.9A

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 900mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.05V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.16nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 78pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DFN1006-3
• 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883

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PMZ390UN,315

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 1.78A SOT883

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.78A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 43pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DFN1006-3
• 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883

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PMZ390UNEYL

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 0.9A XQFN3

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 900mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 900mA, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.3nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 41pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DFN1006-3
• 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883

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PMZ420UNYL

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 공급자 장치 패키지: -
• 패키지 / 케이스: -

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PMZ550UNEYL

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V SOT883

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 590mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30.3pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DFN1006-3
• 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883

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PMZ600UNELYL

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

20 V, N-CHANNEL TRENCH MOSFET

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600mA (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 21.3pF @ 10V
• FET 기능: Standard
• 전력 손실 (최대): 2.7W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DFN1006-3
• 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883

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PMZ600UNEYL

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 0.6A

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 21.3pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DFN1006-3
• 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883

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PMZ760SN,315

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 1.22A SOT883

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.22A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 300mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.05nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 23pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DFN1006-3
• 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883

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PMZ950UPELYL

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

20 V, P-CHANNEL TRENCH MOSFET

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 43pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DFN1006-3
• 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883

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PMZ950UPEYL

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 0.5A

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 43pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DFN1006-3
• 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883

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PMZB1200UPEYL

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V SOT883

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 410mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 43.2pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DFN1006B-3
• 패키지 / 케이스: 3-XFDFN

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PMZB150UNEYL

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V SOT883

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 93pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DFN1006B-3
• 패키지 / 케이스: 3-XFDFN

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

PMZB200UNEYL

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V SOT883

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.7nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 89pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DFN1006B-3
• 패키지 / 케이스: 3-XFDFN

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

PMZB290UN,315

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 83pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DFN1006B-3
• 패키지 / 케이스: 3-XFDFN

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PMZB290UNE2YL

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 1.2A XQFN3

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.2A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 46pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DFN1006B-3
• 패키지 / 케이스: 3-XFDFN

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

PMZB290UNE,315

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 83pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DFN1006B-3
• 패키지 / 케이스: 3-XFDFN

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

PMZB300XN,315

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 200mA, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.94nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 51pF @ 20V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DFN1006B-3
• 패키지 / 케이스: 3-XFDFN

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Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V SOT883

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 122pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DFN1006B-3
• 패키지 / 케이스: 3-XFDFN

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PMZB350UPE,315

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 1A 3DFN

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 127pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta), 3.125W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DFN1006B-3
• 패키지 / 케이스: 3-XFDFN

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PMZB370UNE,315

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 0.9A DFN1006B-3

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 900mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.05V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.16nC @ 15V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 78pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DFN1006B-3
• 패키지 / 케이스: 3-XFDFN

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PMZB380XN,315

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 930mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.87nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 56pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DFN1006B-3
• 패키지 / 케이스: 3-XFDFN

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PMZB390UNEYL

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V SGL XQFN3

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 900mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 900mA, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.3nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 41pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DFN1006B-3
• 패키지 / 케이스: 3-XFDFN

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PMZB420UN,315

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 900mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 200mA, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.98nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 65pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DFN1006B-3
• 패키지 / 케이스: 3-XFDFN

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

PMZB550UNEYL

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V SOT883

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 590mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30.3pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DFN1006B-3
• 패키지 / 케이스: 3-XFDFN

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PMZB600UNELYL

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN1006B

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 21.3pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DFN1006B-3
• 패키지 / 케이스: 3-XFDFN

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

PMZB600UNEYL

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 3QFN

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 21.3pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DFN1006B-3
• 패키지 / 케이스: 3-XFDFN

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