트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
PSMN011-60MSX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V LFPAK33 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 61A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1368pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 91W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK33 패키지 / 케이스: SOT-1210, 8-LFPAK33	재고 있음8,406
PSMN011-80YS,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V LFPAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 67A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 117W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음51,858
PSMN012-100YLX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 85A LFPAK56 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 85A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 118nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7973pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 238W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음5,058
PSMN012-100YS,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3500pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 130W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음219,402
PSMN012-25YLC,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 33A LFPAK 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.95V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 528pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 26W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음2,664
PSMN012-60YS,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 59A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1685pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 89W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음194,316
PSMN012-80BS,118 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 74A D2PAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 74A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2782pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 148W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음30,882
PSMN012-80PS,127 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 74A TO220AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 74A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2782pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 148W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음7,092
PSMN013-100BS,118 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 68A D2PAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 68A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 59nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3195pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 170W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음23,076
PSMN013-100ES,127 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V I2PAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 68A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 59nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3195pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 170W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I2PAK 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음4,536
PSMN013-100PS,127 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 68A TO220AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 68A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 59nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3195pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 170W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음96,402
PSMN013-100XS,127 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 35.2A TO220F 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3195pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 48.4W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220F 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	재고 있음2,664
PSMN013-100YSEX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V LFPAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 82A (Tj) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3775pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 238W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음28,884
PSMN013-30LL,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V QFN3333 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.15V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 768pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 41W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN3333 (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad	재고 있음3,708
PSMN013-30MLC,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 39A LFPAK33 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 39A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.95V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 519pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 38W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK33 패키지 / 케이스: SOT-1210, 8-LFPAK33	재고 있음7,092
PSMN013-30YLC,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 32A LFPAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.95V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 521pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 26W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음38,052
PSMN013-60YLX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V LFPAK56 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 53A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2603pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 95W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음48,564
PSMN013-80YS,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 60A LFPAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2420pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 106W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음76,920
PSMN014-40YS,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V LFPAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 46A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 702pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 56W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음540,222
PSMN014-60LS,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V QFN3333 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1264pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 65W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN3333 (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad	재고 있음6,282
PSMN014-80YLX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V LFPAK56 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 62A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28.9nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4640pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 147W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음17,688
PSMN015-100B,118 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4900pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음31,770
PSMN015-100P,127 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4900pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음53,118
PSMN015-100YLX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V LFPAK56 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 69A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 86.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6139pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 195W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음2,844
PSMN015-110P,127 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 110V 75A TO220AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 110V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4900pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음2,412
PSMN015-60BS,118 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.9nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1220pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 86W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음35,226
PSMN015-60PS,127 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.9nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1220pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 86W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음32,082
PSMN016-100BS,118 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 57A (Tj) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2404pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 148W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음50,184
PSMN016-100PS,127 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V TO220AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 57A (Tj) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2404pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 148W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음19,452
PSMN016-100XS,127 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 32.1A TO-220F 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32.1A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2404pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 46.1W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220F 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	재고 있음4,320

PSMN011-60MSX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V LFPAK33

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 61A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1368pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 91W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK33
패키지 / 케이스: SOT-1210, 8-LFPAK33

재고 있음8,406

PSMN011-80YS,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V LFPAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 67A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 117W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음51,858

PSMN012-100YLX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 85A LFPAK56

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 85A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 118nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7973pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 238W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음5,058

PSMN012-100YS,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3500pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 130W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음219,402

PSMN012-25YLC,115

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 33A LFPAK

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.95V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 528pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 26W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음2,664

PSMN012-60YS,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 59A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1685pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 89W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음194,316

PSMN012-80BS,118

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 74A D2PAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 74A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2782pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 148W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음30,882

PSMN012-80PS,127

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 74A TO220AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 74A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2782pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 148W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음7,092

PSMN013-100BS,118

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 68A D2PAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 68A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 59nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3195pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 170W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음23,076

PSMN013-100ES,127

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V I2PAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 68A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 59nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3195pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 170W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I2PAK
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음4,536

PSMN013-100PS,127

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 68A TO220AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 68A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 59nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3195pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 170W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음96,402

PSMN013-100XS,127

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 35.2A TO220F

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3195pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 48.4W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220F
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

재고 있음2,664

PSMN013-100YSEX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V LFPAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 82A (Tj)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3775pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 238W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음28,884

PSMN013-30LL,115

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V QFN3333

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.15V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 768pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 41W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN3333 (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad

재고 있음3,708

PSMN013-30MLC,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 39A LFPAK33

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 39A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.95V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 519pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 38W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK33
패키지 / 케이스: SOT-1210, 8-LFPAK33

재고 있음7,092

PSMN013-30YLC,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 32A LFPAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.95V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 521pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 26W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음38,052

PSMN013-60YLX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V LFPAK56

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 53A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2603pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 95W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음48,564

PSMN013-80YS,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 60A LFPAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2420pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 106W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음76,920

PSMN014-40YS,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V LFPAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 46A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 702pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 56W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음540,222

PSMN014-60LS,115

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V QFN3333

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1264pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 65W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN3333 (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad

재고 있음6,282

PSMN014-80YLX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V LFPAK56

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 62A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28.9nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4640pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 147W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음17,688

PSMN015-100B,118

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4900pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음31,770

PSMN015-100P,127

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4900pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음53,118

PSMN015-100YLX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V LFPAK56

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 69A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 86.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6139pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 195W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음2,844

PSMN015-110P,127

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 110V 75A TO220AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 110V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4900pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음2,412

PSMN015-60BS,118

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.9nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1220pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 86W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음35,226

PSMN015-60PS,127

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.9nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1220pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 86W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음32,082

PSMN016-100BS,118

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 57A (Tj)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2404pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 148W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음50,184

PSMN016-100PS,127

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V TO220AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 57A (Tj)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2404pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 148W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음19,452

PSMN016-100XS,127

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 32.1A TO-220F

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32.1A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2404pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 46.1W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220F
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

재고 있음4,320

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