트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
PSMN1R6-60CLJ Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V D2PAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음2,052
PSMN1R7-25YLC,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.95V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 59nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3735pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 164W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음7,254
PSMN1R7-25YLDX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 PSMN1R7-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46.7nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3415pF @ 12V FET 기능: Schottky Diode (Body) 전력 손실 (최대): 135W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음15,936
PSMN1R7-30YL,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.15V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 77.9nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5057pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 109W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음3,996
PSMN1R7-60BS,118 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 137nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9997pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 306W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음21,816
PSMN1R8-30BL,118 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.15V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10180pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 270W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음5,958
PSMN1R8-30PL,127 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V TO220AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.15V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10180pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 270W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음26,436
PSMN1R8-40YLC,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.95V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 96nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6680pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 272W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음659,514
PSMN1R9-25YLC,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.95V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3504pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 141W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음4,698
PSMN1R9-40PLQ Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 150A SOT78 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 120nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 349W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음37,320
PSMN2R0-25MLDX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 PSMN2R0-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.27mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2490pF @ 12V FET 기능: Schottky Diode (Body) 전력 손실 (최대): 74W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK33 패키지 / 케이스: SOT-1210, 8-LFPAK33	재고 있음8,982
PSMN2R0-25YLDX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 PSMN2R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.09mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34.1nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2485pF @ 12V FET 기능: Schottky Diode (Body) 전력 손실 (최대): 115W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음25,530
PSMN2R0-30BL,118 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.15V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 117nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6810pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 211W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음6,912
PSMN2R0-30PL,127 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.15V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 117nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6810pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 211W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음27,864
PSMN2R0-30YL,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.15V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3980pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 97W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음273,366
PSMN2R0-30YLDX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2969pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 142W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음15,696
PSMN2R0-30YLE,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V LFPAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.15V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 87nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5217pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 272W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음38,994
PSMN2R0-60ES,127 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 137nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9997pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 338W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I2PAK 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음45,990
PSMN2R0-60PS,127 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 137nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9997pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 338W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음51,690
PSMN2R0-60PSRQ Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V TO220AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 192nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13500pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 338W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음8,154
PSMN2R1-40PLQ Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 150A TO-220 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 87.8nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9584pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 293W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음5,148
PSMN2R1-60CSJ Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V D2PAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음5,202
PSMN2R2-25YLC,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.95V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2542pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 106W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음56,340
PSMN2R2-30YLC,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.95V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3310pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 141W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음272,274
PSMN2R2-40BS,118 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8423pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 306W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음3,960
PSMN2R2-40PS,127 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8423pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 306W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음54,036
PSMN2R4-30MLDX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3264pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 91W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK33 패키지 / 케이스: SOT-1210, 8-LFPAK33	재고 있음81,138
PSMN2R4-30YLDX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2256pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 106W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음34,260
PSMN2R5-30YL,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.15V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3468pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 88W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음3,888
PSMN2R5-60PLQ Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 1.5A TO-220 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 223nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 349W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음4,590

PSMN1R6-60CLJ

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V D2PAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음2,052

PSMN1R7-25YLC,115

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.95V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 59nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3735pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 164W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음7,254

PSMN1R7-25YLDX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

PSMN1R7-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3415pF @ 12V
FET 기능: Schottky Diode (Body)
전력 손실 (최대): 135W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음15,936

PSMN1R7-30YL,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.15V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 77.9nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5057pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 109W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음3,996

PSMN1R7-60BS,118

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 137nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9997pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 306W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음21,816

PSMN1R8-30BL,118

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.15V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10180pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 270W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음5,958

PSMN1R8-30PL,127

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V TO220AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.15V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10180pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 270W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음26,436

PSMN1R8-40YLC,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.95V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 96nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6680pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 272W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음659,514

PSMN1R9-25YLC,115

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.95V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3504pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 141W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음4,698

PSMN1R9-40PLQ

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 150A SOT78

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 120nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 349W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음37,320

PSMN2R0-25MLDX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

PSMN2R0-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.27mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2490pF @ 12V
FET 기능: Schottky Diode (Body)
전력 손실 (최대): 74W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK33
패키지 / 케이스: SOT-1210, 8-LFPAK33

재고 있음8,982

PSMN2R0-25YLDX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

PSMN2R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.09mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34.1nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2485pF @ 12V
FET 기능: Schottky Diode (Body)
전력 손실 (최대): 115W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음25,530

PSMN2R0-30BL,118

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.15V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 117nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6810pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 211W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음6,912

PSMN2R0-30PL,127

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.15V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 117nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6810pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 211W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음27,864

PSMN2R0-30YL,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.15V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3980pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 97W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음273,366

PSMN2R0-30YLDX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2969pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 142W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음15,696

PSMN2R0-30YLE,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V LFPAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.15V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 87nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5217pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 272W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음38,994

PSMN2R0-60ES,127

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 137nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9997pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 338W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I2PAK
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음45,990

PSMN2R0-60PS,127

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 137nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9997pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 338W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음51,690

PSMN2R0-60PSRQ

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V TO220AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 192nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13500pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 338W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음8,154

PSMN2R1-40PLQ

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 150A TO-220

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 87.8nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9584pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 293W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음5,148

PSMN2R1-60CSJ

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V D2PAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음5,202

PSMN2R2-25YLC,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.95V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2542pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 106W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음56,340

PSMN2R2-30YLC,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.95V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3310pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 141W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음272,274

PSMN2R2-40BS,118

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8423pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 306W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음3,960

PSMN2R2-40PS,127

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8423pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 306W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음54,036

PSMN2R4-30MLDX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3264pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 91W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK33
패키지 / 케이스: SOT-1210, 8-LFPAK33

재고 있음81,138

PSMN2R4-30YLDX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2256pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 106W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음34,260

PSMN2R5-30YL,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.15V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3468pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 88W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음3,888

PSMN2R5-60PLQ

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 1.5A TO-220

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 223nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 349W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음4,590

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message