트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
PSMN3R5-40YSDX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 PSMN3R5-40YSD/SOT669/LFPAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.6V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3245pF @ 20V FET 기능: Schottky Diode (Body) 전력 손실 (최대): 115W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음16,524
PSMN3R5-80ES,127 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 139nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9800pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 338W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I2PAK 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음2,610
PSMN3R5-80PS,127 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 139nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9961pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 338W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음55,818
PSMN3R7-100BSEJ Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 PSMN3R7-100BSE/SOT404/D2PAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.95mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 246nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16370pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 405W (Ta) 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음5,544
PSMN3R7-25YLC,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 97A LFPAK 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 97A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.95V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1585pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 64W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음3,418
PSMN3R7-30YLC,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.95mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.95V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1848pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 79W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음2,250
PSMN3R8-100BS,118 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9900pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 306W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음15,630
PSMN3R8-30LL,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V QFN3333 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.15V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2085pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 69W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN3333 (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad	재고 있음5,562
PSMN3R9-25MLC,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.15mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.15V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1524pF @ 12.5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 69W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK33 패키지 / 케이스: SOT-1210, 8-LFPAK33	재고 있음5,490
PSMN3R9-60PSQ Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V SOT78 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 103nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 263W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음6,606
PSMN3R9-60XSQ NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 75A TO-220F 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 103nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5494pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 55W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220F 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	재고 있음5,634
PSMN4R0-25YLC,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 84A LFPAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 84A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.95V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1407pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 61W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음5,688
PSMN4R0-30YL,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.15V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2090pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 69W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음78,456
PSMN4R0-30YLDX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 95A LFPAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 95A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1272pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 64W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음92,106
PSMN4R0-40YS,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2410pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 106W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음1,116,426
PSMN4R0-60YS,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 74A LFPAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 74A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3501pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 130W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음27,762
PSMN4R1-30YLC,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 90A LFPAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 92A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.35mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.95V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1502pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 67W (Tc) 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음4,284
PSMN4R1-60YLX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 103nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7853pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 238W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음7,758
PSMN4R2-30MLDX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1795pF @ 15V FET 기능: Schottky Diode (Body) 전력 손실 (최대): 65W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK33 패키지 / 케이스: SOT-1210, 8-LFPAK33	재고 있음15,906
PSMN4R2-60PLQ Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 130A TO-220 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 151nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8533pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 263W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음31,554
PSMN4R3-100ES,127 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9900pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 338W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I2PAK 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음6,246
PSMN4R3-100PS,127 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9900pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 338W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음8,874
PSMN4R3-30BL,118 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.15V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 103W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음86,274
PSMN4R3-30PL,127 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.15V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 103W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음37,140
PSMN4R3-80ES,127 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 111nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8161pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 306W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I2PAK 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음5,670
PSMN4R3-80PS,127 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 111nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8161pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 306W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음25,140
PSMN4R4-30MLC,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.65mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.15V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1515pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 69W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK33 패키지 / 케이스: SOT-1210, 8-LFPAK33	재고 있음2,610
PSMN4R4-80BS,118 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 125nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8400pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 306W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음33,006
PSMN4R4-80PS,127 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 125nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8400pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 306W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음21,774
PSMN4R5-30YLC,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 84A LFPAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 84A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.95V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1324pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 61W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음2,700

PSMN3R5-40YSDX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

PSMN3R5-40YSD/SOT669/LFPAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.6V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3245pF @ 20V
FET 기능: Schottky Diode (Body)
전력 손실 (최대): 115W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음16,524

PSMN3R5-80ES,127

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 139nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9800pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 338W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I2PAK
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음2,610

PSMN3R5-80PS,127

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 139nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9961pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 338W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음55,818

PSMN3R7-100BSEJ

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

PSMN3R7-100BSE/SOT404/D2PAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.95mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 246nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16370pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 405W (Ta)
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음5,544

PSMN3R7-25YLC,115

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 97A LFPAK

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 97A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.95V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1585pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 64W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음3,418

PSMN3R7-30YLC,115

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.95mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.95V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1848pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 79W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음2,250

PSMN3R8-100BS,118

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9900pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 306W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음15,630

PSMN3R8-30LL,115

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V QFN3333

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.15V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2085pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 69W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN3333 (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad

재고 있음5,562

PSMN3R9-25MLC,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.15mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.15V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1524pF @ 12.5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 69W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK33
패키지 / 케이스: SOT-1210, 8-LFPAK33

재고 있음5,490

PSMN3R9-60PSQ

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V SOT78

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 103nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 263W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음6,606

PSMN3R9-60XSQ

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 75A TO-220F

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 103nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5494pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 55W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220F
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

재고 있음5,634

PSMN4R0-25YLC,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 84A LFPAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 84A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.95V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1407pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 61W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음5,688

PSMN4R0-30YL,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.15V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2090pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 69W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음78,456

PSMN4R0-30YLDX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 95A LFPAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 95A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1272pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 64W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음92,106

PSMN4R0-40YS,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2410pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 106W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음1,116,426

PSMN4R0-60YS,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 74A LFPAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 74A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3501pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 130W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음27,762

PSMN4R1-30YLC,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 90A LFPAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 92A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.35mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.95V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1502pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 67W (Tc)
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음4,284

PSMN4R1-60YLX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 103nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7853pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 238W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음7,758

PSMN4R2-30MLDX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1795pF @ 15V
FET 기능: Schottky Diode (Body)
전력 손실 (최대): 65W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK33
패키지 / 케이스: SOT-1210, 8-LFPAK33

재고 있음15,906

PSMN4R2-60PLQ

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 130A TO-220

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 151nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8533pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 263W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음31,554

PSMN4R3-100ES,127

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9900pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 338W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I2PAK
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음6,246

PSMN4R3-100PS,127

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9900pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 338W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음8,874

PSMN4R3-30BL,118

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.15V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 103W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음86,274

PSMN4R3-30PL,127

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.15V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 103W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음37,140

PSMN4R3-80ES,127

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 111nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8161pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 306W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I2PAK
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음5,670

PSMN4R3-80PS,127

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 111nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8161pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 306W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음25,140

PSMN4R4-30MLC,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.65mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.15V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1515pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 69W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK33
패키지 / 케이스: SOT-1210, 8-LFPAK33

재고 있음2,610

PSMN4R4-80BS,118

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 125nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8400pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 306W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음33,006

PSMN4R4-80PS,127

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 125nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8400pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 306W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음21,774

PSMN4R5-30YLC,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 84A LFPAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 84A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.95V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1324pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 61W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음2,700

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