트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
RE1C001UNTCL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 0.1A EMT3FM 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7.1pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: EMT3F (SOT-416FL) 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490	재고 있음87,918
RE1C001ZPTL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 0.1A EMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: EMT3F (SOT-416FL) 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490	재고 있음129,414
RE1C002UNTCL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 0.2A EMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 2.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 2.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: EMT3F (SOT-416FL) 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490	재고 있음5,731,692
RE1C002ZPTL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 115pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: EMT3F (SOT-416FL) 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490	재고 있음119,778
RE1E002SPTCL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 0.25A EMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: EMT3F (SOT-416FL) 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490	재고 있음3,006
RE1J002YNTCL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1.2V DRIVE EMT3FM 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0.9V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 26pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: EMT3F (SOT-416FL) 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490	재고 있음45,816
RE1L002SNTL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 250MA EMT3F 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: EMT3F (SOT-416FL) 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490	재고 있음4,194
RF4C050APTR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 10A 8HUML 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 4.5V Vgs (최대): -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5500pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: HUML2020L8 패키지 / 케이스: 8-PowerUDFN	재고 있음5,490
RF4C100BCTCR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 PCH -20V -10A MIDDLE POWER MOSFE 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1660pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: HUML2020L8 패키지 / 케이스: 8-PowerUDFN	재고 있음6,588
RF4E060AJTCR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 RF4E060AJ IS LOW ON-RESISTANCE A 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 450pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: HUML2020L8 패키지 / 케이스: 8-PowerUDFN	재고 있음21,756
RF4E070BNTR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.9nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 410pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: HUML2020L8 패키지 / 케이스: 8-PowerUDFN	재고 있음8,154
RF4E070GNTR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 220pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: HUML2020L8 패키지 / 케이스: 8-PowerUDFN	재고 있음8,964
RF4E075ATTCR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 7.5A 8DFN 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21.7mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: HUML2020L8 패키지 / 케이스: 8-PowerUDFN	재고 있음3,708
RF4E080BNTR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: HUML2020L8 패키지 / 케이스: 8-PowerUDFN	재고 있음5,256
RF4E080GNTR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 295pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: HUML2020L8 패키지 / 케이스: 8-PowerUDFN	재고 있음28,362
RF4E100AJTCR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1460pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: HUML2020L8 패키지 / 케이스: 8-PowerUDFN	재고 있음29,052
RF4E110BNTR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 11A 8-HUML 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: HUML2020L8 패키지 / 케이스: 8-PowerUDFN	재고 있음6,606
RF4E110GNTR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 11A 8-HUML 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 504pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: HUML2020L8 패키지 / 케이스: 8-PowerUDFN	재고 있음4,554
RF4L055GNTCR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 RF4L055GN IS A POWER MOSFET WITH 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: HUML2020L8 패키지 / 케이스: 8-PowerUDFN	재고 있음8,838
RF6C055BCTCR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CHANNEL 20V 5.5A TUMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 5.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.2nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1080pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TUMT6 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads	재고 있음5,526
RF6E045AJTCR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 30V 4.5A TUMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23.7mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TUMT6 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads	재고 있음4,824
RF6E065BNTCR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 RF6E065BN IS LOW ON-RESISTANCE A 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 680pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 910mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TUMT6 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads	재고 있음22,536
RFD10P03LSM ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 10A TO-252AA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 10A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1035pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252-3 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음7,074
RFD12N06RLE ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 18A IPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: UltraFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 485pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 40W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음4,266
RFD12N06RLESM9A ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 18A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: UltraFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 485pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 49W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252AA 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음24,222
RFD14N05 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 20V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 570pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 48W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음6,300
RFD14N05L ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 670pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 48W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음40,170
RFD14N05LSM ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 670pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 48W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252AA 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음18,360
RFD14N05LSM9A ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 670pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 48W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252AA 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음6,714
RFD14N05SM ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 20V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 570pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 48W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252AA 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음3,330

RE1C001UNTCL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 0.1A EMT3FM

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7.1pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: EMT3F (SOT-416FL)
패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490

재고 있음87,918

RE1C001ZPTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 0.1A EMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: EMT3F (SOT-416FL)
패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490

재고 있음129,414

RE1C002UNTCL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 0.2A EMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 2.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 2.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: EMT3F (SOT-416FL)
패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490

재고 있음5,731,692

RE1C002ZPTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 115pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: EMT3F (SOT-416FL)
패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490

재고 있음119,778

RE1E002SPTCL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 0.25A EMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: EMT3F (SOT-416FL)
패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490

재고 있음3,006

RE1J002YNTCL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1.2V DRIVE EMT3FM

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0.9V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 26pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: EMT3F (SOT-416FL)
패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490

재고 있음45,816

RE1L002SNTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 250MA EMT3F

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: EMT3F (SOT-416FL)
패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490

재고 있음4,194

RF4C050APTR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 10A 8HUML

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 4.5V
Vgs (최대): -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5500pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: HUML2020L8
패키지 / 케이스: 8-PowerUDFN

재고 있음5,490

RF4C100BCTCR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

PCH -20V -10A MIDDLE POWER MOSFE

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1660pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: HUML2020L8
패키지 / 케이스: 8-PowerUDFN

재고 있음6,588

RF4E060AJTCR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

RF4E060AJ IS LOW ON-RESISTANCE A

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 450pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: HUML2020L8
패키지 / 케이스: 8-PowerUDFN

재고 있음21,756

RF4E070BNTR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.9nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 410pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: HUML2020L8
패키지 / 케이스: 8-PowerUDFN

재고 있음8,154

RF4E070GNTR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 220pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: HUML2020L8
패키지 / 케이스: 8-PowerUDFN

재고 있음8,964

RF4E075ATTCR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 7.5A 8DFN

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21.7mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: HUML2020L8
패키지 / 케이스: 8-PowerUDFN

재고 있음3,708

RF4E080BNTR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: HUML2020L8
패키지 / 케이스: 8-PowerUDFN

재고 있음5,256

RF4E080GNTR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 295pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: HUML2020L8
패키지 / 케이스: 8-PowerUDFN

재고 있음28,362

RF4E100AJTCR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1460pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: HUML2020L8
패키지 / 케이스: 8-PowerUDFN

재고 있음29,052

RF4E110BNTR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 11A 8-HUML

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: HUML2020L8
패키지 / 케이스: 8-PowerUDFN

재고 있음6,606

RF4E110GNTR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 11A 8-HUML

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 504pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: HUML2020L8
패키지 / 케이스: 8-PowerUDFN

재고 있음4,554

RF4L055GNTCR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

RF4L055GN IS A POWER MOSFET WITH

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: HUML2020L8
패키지 / 케이스: 8-PowerUDFN

재고 있음8,838

RF6C055BCTCR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHANNEL 20V 5.5A TUMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1080pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TUMT6
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads

재고 있음5,526

RF6E045AJTCR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 30V 4.5A TUMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23.7mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TUMT6
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads

재고 있음4,824

RF6E065BNTCR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

RF6E065BN IS LOW ON-RESISTANCE A

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 680pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 910mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TUMT6
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads

재고 있음22,536

RFD10P03LSM

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 10A TO-252AA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 10A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1035pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252-3
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음7,074

RFD12N06RLE

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 18A IPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: UltraFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 485pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 40W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음4,266

RFD12N06RLESM9A

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: UltraFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 485pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 49W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252AA
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음24,222

RFD14N05

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 20V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 570pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 48W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음6,300

RFD14N05L

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 670pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 48W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음40,170

RFD14N05LSM

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 670pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 48W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252AA
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음18,360

RFD14N05LSM9A

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 670pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 48W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252AA
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음6,714

RFD14N05SM

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 20V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 570pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 48W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252AA
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음3,330

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