트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
RFP30N06LE ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 30A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 10V Vgs (최대): +10V, -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1350pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 96W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음5,418
RFP30P05 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 50V 30A TO-220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 20V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음3,816
RFP30P06 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 30A TO-220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 20V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음8,388
RFP40N10 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 40A TO-220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 300nC @ 20V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 160W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음5,454
RFP45N06 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 45A TO-220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 20V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2050pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 131W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음4,662
RFP4N100 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1KV 4.3A TO-220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 120nC @ 20V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음6,012
RFP50N05L ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 50V 50A TO-220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 110W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음6,588
RFP50N06 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 20V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2020pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 131W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음13,824
RFP70N03 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 70A TO-220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 260nC @ 20V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3300pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음8,784
RFP70N06 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 70A TO-220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 70A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 156nC @ 20V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2250pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음46,662
RFP8P05 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 50V 8A TO-220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 20V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음7,020
RHK003N06FRAT146 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 4V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101 QU 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 33pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 200mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SMT3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음28,956
RHK003N06T146 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-346 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 33pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 200mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SMT3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음6,156
RHK005N03FRAT146 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 4V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101 QU 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 200mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SMT3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음2,700
RHK005N03T146 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-346 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 200mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SMT3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음22,884
RHP020N06T100 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 140pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: MPT3 패키지 / 케이스: TO-243AA	재고 있음23,796
RHP030N03T100 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 3A SOT-89 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 160pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: MPT3 패키지 / 케이스: TO-243AA	재고 있음21,294
RHU002N06FRAT106 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 4V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101 QU 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 200mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: UMT3 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음24,744
RHU002N06T106 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 200mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: UMT3 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음69,120
RHU003N03FRAT106 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 4V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPONDS 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 300mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 200mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: UMT3 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음3,240
RHU003N03T106 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 300mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 200mW (Ta) 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: UMT3 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음4,968
RJ1G08CGNTLL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 RJ1G08CGN IS A POWER MOSFET WITH 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 500µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31.1nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2410pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 78W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LPTL 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음6,552
RJ1G12BGNTLL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 RJ1G12BGN IS A POWER MOSFET WITH 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.86mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 165nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12500pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 178W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LPTL 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음6,264
RJ1L08CGNTLL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 RJ1G08CGN IS A POWER MOSFET WITH 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2600pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 96W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LPTL 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음5,562
RJ1P12BBDTLL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 RJ1P12BBD IS A POWER MOSFET WITH 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4170pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 178W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LPTL 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음13,524
RJ1U330AAFRGTL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 NCH 250V/33A POWER MOSFET 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 16.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 211W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LPTS 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음3,510
RJJ0318DSP-WS#J5 Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 8SOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음2,556
RJK005N03FRAT146 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 2.5V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 4V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 200mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SMT3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음25,092
RJK005N03T146 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-346 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 4V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 200mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SMT3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음5,346
RJK0301DPB-02#J0 Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 60A 5-LFPAK 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 4.5V Vgs (최대): +16V, -12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5000pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 65W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-LFPAK 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음2,934

RFP30N06LE

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 30A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 10V
Vgs (최대): +10V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1350pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 96W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음5,418

RFP30P05

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 50V 30A TO-220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 20V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음3,816

RFP30P06

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 30A TO-220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 20V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음8,388

RFP40N10

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 40A TO-220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 300nC @ 20V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 160W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음5,454

RFP45N06

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 45A TO-220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 20V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2050pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 131W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음4,662

RFP4N100

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1KV 4.3A TO-220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 120nC @ 20V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음6,012

RFP50N05L

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 50A TO-220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 110W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음6,588

RFP50N06

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 20V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2020pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 131W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음13,824

RFP70N03

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 70A TO-220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 260nC @ 20V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3300pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음8,784

RFP70N06

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 70A TO-220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 70A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 156nC @ 20V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2250pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음46,662

RFP8P05

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 50V 8A TO-220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 20V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음7,020

RHK003N06FRAT146

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

4V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101 QU

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 33pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 200mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SMT3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음28,956

RHK003N06T146

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-346

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 33pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 200mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SMT3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음6,156

RHK005N03FRAT146

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

4V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101 QU

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 200mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SMT3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음2,700

RHK005N03T146

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-346

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 200mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SMT3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음22,884

RHP020N06T100

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 140pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: MPT3
패키지 / 케이스: TO-243AA

재고 있음23,796

RHP030N03T100

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 3A SOT-89

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 160pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: MPT3
패키지 / 케이스: TO-243AA

재고 있음21,294

RHU002N06FRAT106

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

4V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101 QU

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 200mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: UMT3
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음24,744

RHU002N06T106

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 200mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: UMT3
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음69,120

RHU003N03FRAT106

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

4V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPONDS

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 300mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 200mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: UMT3
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음3,240

RHU003N03T106

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 300mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 200mW (Ta)
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: UMT3
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음4,968

RJ1G08CGNTLL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

RJ1G08CGN IS A POWER MOSFET WITH

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 500µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31.1nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2410pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 78W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LPTL
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음6,552

RJ1G12BGNTLL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

RJ1G12BGN IS A POWER MOSFET WITH

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.86mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 165nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12500pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 178W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LPTL
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음6,264

RJ1L08CGNTLL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

RJ1G08CGN IS A POWER MOSFET WITH

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2600pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 96W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LPTL
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음5,562

RJ1P12BBDTLL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

RJ1P12BBD IS A POWER MOSFET WITH

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4170pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 178W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LPTL
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음13,524

RJ1U330AAFRGTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

NCH 250V/33A POWER MOSFET

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 211W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LPTS
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음3,510

RJJ0318DSP-WS#J5

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 8SOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음2,556

RJK005N03FRAT146

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

2.5V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 4V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 200mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SMT3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음25,092

RJK005N03T146

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-346

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 4V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 200mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SMT3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음5,346

RJK0301DPB-02#J0

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 60A 5-LFPAK

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 4.5V
Vgs (최대): +16V, -12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5000pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 65W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-LFPAK
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음2,934

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