트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
RJK0603DPN-E0#T2 Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 80A TO220 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4150pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음4,500
RJK0629DPE-00#J3 Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 85A LDPAK 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 85A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 43A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 85nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4100pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-LDPAK 패키지 / 케이스: SC-83	재고 있음6,624
RJK0651DPB-00#J5 Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 25A LFPAK 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2030pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 45W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음305,700
RJK0652DPB-00#J5 Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4100pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 55W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음3,960
RJK0653DPB-00#J5 Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 45A LFPAK 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 22.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6100pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 65W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음2,502
RJK0654DPB-00#J5 Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V LFPAK 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 55W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음3,546
RJK0655DPB-00#J5 Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2550pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 60W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음4,266
RJK0656DPB-00#J5 Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 40A LFPAK 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3000pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 65W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음7,812
RJK0658DPA-00#J5A Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 25A WPAK 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1580pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 50W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WPAK 패키지 / 케이스: 8-WFDFN Exposed Pad	재고 있음8,352
RJK0659DPA-00#J5A Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 30A WPAK 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 55W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WPAK 패키지 / 케이스: 8-WFDFN Exposed Pad	재고 있음6,246
RJK0660DPA-00#J5A Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 40A WPAK 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3600pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 65W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WPAK 패키지 / 케이스: 8-WFDFN Exposed Pad	재고 있음3,618
RJK0703DPN-E0#T2 Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 70A TO220 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4150pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음5,598
RJK0703DPP-E0#T2 Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 70A TO220 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4150pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 25W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음4,968
RJK0851DPB-00#J5 Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 20A LFPAK 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2050pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 45W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음8,388
RJK0852DPB-00#J5 Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4150pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 55W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음4,842
RJK0853DPB-00#J5 Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 40A LFPAK 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6170pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 65W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음4,932
RJK0854DPB-00#J5 Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V LFPAK 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 55W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음2,952
RJK0855DPB-00#J5 Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2550pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 60W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음4,374
RJK0856DPB-00#J5 Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 35A LFPAK 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3000pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 65W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음2,682
RJK1001DPP-E0#T2 Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 80A TO220 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 147nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10000pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 30W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음3,042
RJK1002DPN-E0#T2 Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 70A TO220 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 94nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6450pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음4,374
RJK1002DPP-E0#T2 Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 70A TO220 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 94nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6450pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 30W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음8,784
RJK1003DPN-E0#T2 Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 50A TO220 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 59nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4150pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음2,970
RJK1003DPP-E0#T2 Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 50A TO220 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 59nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4150pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 25W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음6,120
RJK1051DPB-00#J5 Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2060pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 45W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음8,154
RJK1052DPB-00#J5 Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4160pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 55W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음6,012
RJK1053DPB-00#J5 Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6160pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 65W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음7,362
RJK1054DPB-00#J5 Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V LFPAK 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 55W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음8,532
RJK1055DPB-00#J5 Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2550pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 60W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음6,264
RJK1056DPB-00#J5 Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3000pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 65W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: LFPAK 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669	재고 있음4,176

RJK0603DPN-E0#T2

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 80A TO220

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4150pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음4,500

RJK0629DPE-00#J3

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 85A LDPAK

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 85A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 43A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 85nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4100pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-LDPAK
패키지 / 케이스: SC-83

재고 있음6,624

RJK0651DPB-00#J5

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 25A LFPAK

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2030pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 45W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음305,700

RJK0652DPB-00#J5

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4100pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 55W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음3,960

RJK0653DPB-00#J5

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 45A LFPAK

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6100pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 65W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음2,502

RJK0654DPB-00#J5

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V LFPAK

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 55W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음3,546

RJK0655DPB-00#J5

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2550pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 60W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음4,266

RJK0656DPB-00#J5

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 40A LFPAK

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3000pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 65W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음7,812

RJK0658DPA-00#J5A

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 25A WPAK

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1580pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 50W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WPAK
패키지 / 케이스: 8-WFDFN Exposed Pad

재고 있음8,352

RJK0659DPA-00#J5A

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 30A WPAK

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 55W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WPAK
패키지 / 케이스: 8-WFDFN Exposed Pad

재고 있음6,246

RJK0660DPA-00#J5A

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 40A WPAK

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3600pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 65W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WPAK
패키지 / 케이스: 8-WFDFN Exposed Pad

재고 있음3,618

RJK0703DPN-E0#T2

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 70A TO220

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4150pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음5,598

RJK0703DPP-E0#T2

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 70A TO220

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4150pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 25W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음4,968

RJK0851DPB-00#J5

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 20A LFPAK

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2050pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 45W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음8,388

RJK0852DPB-00#J5

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4150pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 55W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음4,842

RJK0853DPB-00#J5

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 40A LFPAK

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6170pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 65W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음4,932

RJK0854DPB-00#J5

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V LFPAK

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 55W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음2,952

RJK0855DPB-00#J5

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2550pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 60W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음4,374

RJK0856DPB-00#J5

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 35A LFPAK

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3000pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 65W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음2,682

RJK1001DPP-E0#T2

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 80A TO220

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 147nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10000pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 30W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음3,042

RJK1002DPN-E0#T2

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 70A TO220

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 94nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6450pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음4,374

RJK1002DPP-E0#T2

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 70A TO220

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 94nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6450pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 30W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음8,784

RJK1003DPN-E0#T2

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 50A TO220

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 59nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4150pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음2,970

RJK1003DPP-E0#T2

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 50A TO220

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 59nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4150pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 25W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음6,120

RJK1051DPB-00#J5

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2060pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 45W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음8,154

RJK1052DPB-00#J5

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4160pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 55W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음6,012

RJK1053DPB-00#J5

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6160pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 65W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음7,362

RJK1054DPB-00#J5

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V LFPAK

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 55W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음8,532

RJK1055DPB-00#J5

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2550pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 60W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음6,264

RJK1056DPB-00#J5

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3000pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 65W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: LFPAK
패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

재고 있음4,176

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message