트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
RSD100N10TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 10A CPT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 700pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 20W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: CPT3 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음6,408
RSD130P10TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 100V 13A SOT428 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 20W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: CPT3 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음5,274
RSD131P10TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 100V 13A CPT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 850mW (Ta), 20W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: CPT3 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음8,784
RSD140P06TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 14A CPT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 20W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: CPT3 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음3,996
RSD150N06TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 15A CPT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 930pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 20W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: CPT3 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음7,920
RSD160P05TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 45V 16A CPT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 45V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 20W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: CPT3 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음77,460
RSD175N10TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 17.5A CPT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 8.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 20W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: CPT3 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음8,064
RSD200N05TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 45V 20A CPT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 45V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 20W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: CPT3 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음19,590
RSD200N10TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 20A CPT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 20W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: CPT3 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음7,344
RSD201N10TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 20A CPT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2100pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 850mW (Ta), 20W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: CPT3 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음53,844
RSD220N06TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 22A SOT428 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 20W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: CPT3 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음19,050
RSD221N06TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 22A CPT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 850mW (Ta), 20W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: CPT3 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음7,182
RSE002N06TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 0.25A EMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: EMT3 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416	재고 있음95,076
RSE002P03TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 200MA SOT416 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: EMT3 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416	재고 있음2,412
RSF010P03TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 1A TUMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.9nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 120pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 800mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TUMT3 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads	재고 있음8,478
RSF010P05TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 45V 1A TUMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 45V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.3nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 160pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 800mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TUMT3 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads	재고 있음8,208
RSF014N03TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2nC @ 5V Vgs (최대): 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 70pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 800mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TUMT3 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads	재고 있음5,760
RSF015N06FRATL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 NCH 60V 1.5A POWER MOSFET 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 110pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 800mW (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TUMT3 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads	재고 있음5,436
RSF015N06TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 1.5A TUMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2nC @ 5V Vgs (최대): 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 110pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 800mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TUMT3 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads	재고 있음8,298
RSH065N03TB1 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 6.5A SOP8 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.6nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 430pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음21,168
RSH065N06GZETB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 4V DRIVE NCH MOSFET. POWER MOSFE 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 5V Vgs (최대): 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음21,414
RSH065N06TB1 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 6.5A SOP8 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 5V Vgs (최대): 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음3,438
RSH070N05GZETB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 45V 7A SOP8 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 45V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.8nC @ 5V Vgs (최대): 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음3,490
RSH070N05TB1 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 45V 7A SOP8 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 45V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.8nC @ 5V Vgs (최대): 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음6,570
RSH070P05GZETB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 45V 7A SOP8 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 45V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47.6nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4100pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음5,886
RSH070P05TB1 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 45V 7A SOP8 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 45V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47.6nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4100pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음26,856
RSH090N03TB1 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 9A SOP8 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 810pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음6,948
RSH100N03TB1 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 10A SOP8 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1070pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음3,798
RSH110N03TB1 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 5V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음3,294
RSH125N03TB1 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 12.5A SOP8 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1670pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음8,100

RSD100N10TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 10A CPT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 700pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 20W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: CPT3
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음6,408

RSD130P10TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 100V 13A SOT428

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 20W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: CPT3
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음5,274

RSD131P10TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 100V 13A CPT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 850mW (Ta), 20W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: CPT3
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음8,784

RSD140P06TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 14A CPT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 20W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: CPT3
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음3,996

RSD150N06TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 15A CPT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 930pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 20W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: CPT3
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음7,920

RSD160P05TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 45V 16A CPT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 45V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 20W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: CPT3
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음77,460

RSD175N10TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 17.5A CPT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 20W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: CPT3
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음8,064

RSD200N05TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 45V 20A CPT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 45V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 20W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: CPT3
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음19,590

RSD200N10TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 20A CPT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 20W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: CPT3
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음7,344

RSD201N10TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 20A CPT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2100pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 850mW (Ta), 20W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: CPT3
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음53,844

RSD220N06TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 22A SOT428

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 20W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: CPT3
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음19,050

RSD221N06TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 22A CPT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 850mW (Ta), 20W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: CPT3
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음7,182

RSE002N06TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 0.25A EMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: EMT3
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416

재고 있음95,076

RSE002P03TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 200MA SOT416

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: EMT3
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416

재고 있음2,412

RSF010P03TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 1A TUMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.9nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 120pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 800mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TUMT3
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads

재고 있음8,478

RSF010P05TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 45V 1A TUMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 45V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.3nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 160pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 800mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TUMT3
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads

재고 있음8,208

RSF014N03TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2nC @ 5V
Vgs (최대): 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 70pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 800mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TUMT3
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads

재고 있음5,760

RSF015N06FRATL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

NCH 60V 1.5A POWER MOSFET

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 110pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 800mW (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TUMT3
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads

재고 있음5,436

RSF015N06TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 1.5A TUMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2nC @ 5V
Vgs (최대): 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 110pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 800mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TUMT3
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads

재고 있음8,298

RSH065N03TB1

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 6.5A SOP8

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.6nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 430pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음21,168

RSH065N06GZETB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

4V DRIVE NCH MOSFET. POWER MOSFE

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 5V
Vgs (최대): 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음21,414

RSH065N06TB1

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 6.5A SOP8

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 5V
Vgs (최대): 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음3,438

RSH070N05GZETB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 45V 7A SOP8

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 45V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.8nC @ 5V
Vgs (최대): 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음3,490

RSH070N05TB1

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 45V 7A SOP8

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 45V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.8nC @ 5V
Vgs (최대): 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음6,570

RSH070P05GZETB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 45V 7A SOP8

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 45V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47.6nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4100pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음5,886

RSH070P05TB1

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 45V 7A SOP8

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 45V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47.6nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4100pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음26,856

RSH090N03TB1

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 9A SOP8

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 810pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음6,948

RSH100N03TB1

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 10A SOP8

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1070pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음3,798

RSH110N03TB1

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 11A SOP8

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 5V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음3,294

RSH125N03TB1

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 12.5A SOP8

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1670pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음8,100

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