트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
RTF025N03FRATL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 2.5V DRIVE NCH MOSFET 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 800mW (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TUMT3 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads	재고 있음75,144
RTF025N03TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 2.5A TUMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V Vgs (최대): 12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 800mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TUMT3 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads	재고 있음8,208
RTL020P02FRATR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 2.5V DRIVE PCH MOSFET (CORRESPON 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.9nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 430pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TUMT6 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads	재고 있음25,314
RTL020P02TR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 2A TUMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.9nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 430pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TUMT6 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads	재고 있음3,400
RTL030P02TR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 3A TUMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TUMT6 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads	재고 있음23,694
RTL035N03FRATR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 2.5V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.4nC @ 4.5V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TUMT6 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads	재고 있음26,400
RTL035N03TR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 3.5A TUMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.4nC @ 4.5V Vgs (최대): 12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TUMT6 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads	재고 있음28,200
RTM002P02T2L Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 0.2A VMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: VMT3 패키지 / 케이스: SOT-723	재고 있음75,234
RTQ020N03TR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.3nC @ 4.5V Vgs (최대): 12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 135pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.25W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95) 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음27,120
RTQ020N05TR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 45V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 150pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 600mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95) 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음5,652
RTQ025P02TR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.4nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 580pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.25W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95) 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음6,318
RTQ030P02TR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 3A TSMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.25W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95) 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음3,402
RTQ035N03TR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.4nC @ 4.5V Vgs (최대): 12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 285pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.25W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95) 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음44,586
RTQ035P02TR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 3.5A TSMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.25W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95) 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음3,418
RTQ040P02TR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 4A TSMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.2nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1350pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.25W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95) 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음4,734
RTQ045N03TR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.7nC @ 4.5V Vgs (최대): 12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.25W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95) 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음24,990
RTR011P02TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 1.1A TSMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT3 패키지 / 케이스: SC-96	재고 있음7,200
RTR020N05TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 45V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT3 패키지 / 케이스: SC-96	재고 있음53,568
RTR020P02TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.9nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 430pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT3 패키지 / 케이스: SC-96	재고 있음114,306
RTR025N03TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V Vgs (최대): 12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 220pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT3 패키지 / 케이스: SC-96	재고 있음777,492
RTR025N05TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 45V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT3 패키지 / 케이스: SC-96	재고 있음29,166
RTR025P02TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 630pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT3 패키지 / 케이스: SC-96	재고 있음28,566
RTR030N05TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 45V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 510pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT3 패키지 / 케이스: SC-96	재고 있음748,014
RTR030P02TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT3 패키지 / 케이스: SC-96	재고 있음45,786
RTR040N03TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 475pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT3 패키지 / 케이스: SC-96	재고 있음811,500
RTU002P02T106 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 0.25A SOT-323 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 250mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 200mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: UMT3 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음7,434
RU1C001UNTCL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 0.1A UMT3F 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7.1pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: UMT3F 패키지 / 케이스: SC-85	재고 있음298,746
RU1C001ZPTL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 0.1A UMT3F 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: UMT3F 패키지 / 케이스: SC-85	재고 있음5,202
RU1C002UNTCL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 0.2A UMT3F 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 2.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: UMT3F 패키지 / 케이스: SC-85	재고 있음4,950
RU1C002ZPTCL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 0.2A UMT3F 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 115pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: UMT3F 패키지 / 케이스: SC-85	재고 있음58,614

RTF025N03FRATL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

2.5V DRIVE NCH MOSFET

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 800mW (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TUMT3
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads

재고 있음75,144

RTF025N03TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 2.5A TUMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): 12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 800mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TUMT3
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads

재고 있음8,208

RTL020P02FRATR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

2.5V DRIVE PCH MOSFET (CORRESPON

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.9nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 430pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TUMT6
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads

재고 있음25,314

RTL020P02TR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 2A TUMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.9nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 430pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TUMT6
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads

재고 있음3,400

RTL030P02TR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3A TUMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TUMT6
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads

재고 있음23,694

RTL035N03FRATR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

2.5V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.4nC @ 4.5V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TUMT6
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads

재고 있음26,400

RTL035N03TR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 3.5A TUMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.4nC @ 4.5V
Vgs (최대): 12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TUMT6
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads

재고 있음28,200

RTM002P02T2L

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 0.2A VMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: VMT3
패키지 / 케이스: SOT-723

재고 있음75,234

RTQ020N03TR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.3nC @ 4.5V
Vgs (최대): 12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 135pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.25W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95)
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음27,120

RTQ020N05TR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 45V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 150pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 600mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95)
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음5,652

RTQ025P02TR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.4nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 580pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.25W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95)
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음6,318

RTQ030P02TR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3A TSMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.25W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95)
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음3,402

RTQ035N03TR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.4nC @ 4.5V
Vgs (최대): 12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 285pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.25W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95)
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음44,586

RTQ035P02TR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3.5A TSMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.25W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95)
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음3,418

RTQ040P02TR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 4A TSMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1350pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.25W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95)
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음4,734

RTQ045N03TR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.7nC @ 4.5V
Vgs (최대): 12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.25W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95)
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음24,990

RTR011P02TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 1.1A TSMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT3
패키지 / 케이스: SC-96

재고 있음7,200

RTR020N05TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 45V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT3
패키지 / 케이스: SC-96

재고 있음53,568

RTR020P02TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.9nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 430pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT3
패키지 / 케이스: SC-96

재고 있음114,306

RTR025N03TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): 12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 220pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT3
패키지 / 케이스: SC-96

재고 있음777,492

RTR025N05TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 45V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT3
패키지 / 케이스: SC-96

재고 있음29,166

RTR025P02TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 630pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT3
패키지 / 케이스: SC-96

재고 있음28,566

RTR030N05TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 45V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 510pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT3
패키지 / 케이스: SC-96

재고 있음748,014

RTR030P02TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT3
패키지 / 케이스: SC-96

재고 있음45,786

RTR040N03TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 475pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT3
패키지 / 케이스: SC-96

재고 있음811,500

RTU002P02T106

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 0.25A SOT-323

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 250mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 200mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: UMT3
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음7,434

RU1C001UNTCL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 0.1A UMT3F

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7.1pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: UMT3F
패키지 / 케이스: SC-85

재고 있음298,746

RU1C001ZPTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 0.1A UMT3F

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: UMT3F
패키지 / 케이스: SC-85

재고 있음5,202

RU1C002UNTCL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 0.2A UMT3F

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 2.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: UMT3F
패키지 / 케이스: SC-85

재고 있음4,950

RU1C002ZPTCL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 0.2A UMT3F

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 115pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: UMT3F
패키지 / 케이스: SC-85

재고 있음58,614

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