트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
RU1E002SPTCL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 0.25A UMT3F 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 200mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: UMT3F 패키지 / 케이스: SC-85	재고 있음22,962
RU1J002YNTCL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0.9V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 26pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: UMT3F 패키지 / 케이스: SC-85	재고 있음349,686
RU1L002SNTL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 N-CHANNEL MOSFET, 2.5V. MOSFETS 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음3,222
RUC002N05HZGT116 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 1.2V DRIVE NCH MOSFET 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 350mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SST3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음29,466
RUC002N05T116 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 50V 0.2A SST3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 200mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SST3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음22,878
RUE002N02TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V .2A EMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 2.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: EMT3 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416	재고 있음143,856
RUE002N05TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 50V 0.2A EMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: EMT3 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416	재고 있음8,712
RUE003N02TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: EMT3 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416	재고 있음76,560
RUF015N02TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 110pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 800mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TUMT3 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads	재고 있음151,056
RUF020N02TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 180pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 320mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TUMT3 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads	재고 있음95,508
RUF025N02FRATL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 NCH 20V 2.5A MIDDLE POWER MOSFET 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 370pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 800mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TUMT3 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads	재고 있음24,258
RUF025N02TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 370pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 320mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TUMT3 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads	재고 있음4,644
RUL035N02FRATR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 NCH 20V 3.5A POWER MOSFET 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 460pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TUMT6 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads	재고 있음8,820
RUL035N02TR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 3.5A TUMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 460pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 320mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TUMT6 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads	재고 있음3,636
RUM001L02T2CL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 0.1A VMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7.1pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: VMT3 패키지 / 케이스: SOT-723	재고 있음1,557,306
RUM002N02T2L Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 0.2A VMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 2.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: VMT3 패키지 / 케이스: SOT-723	재고 있음4,644
RUM002N05T2L Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 50V 0.2A 3VMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: VMT3 패키지 / 케이스: SOT-723	재고 있음204,588
RUM003N02T2L Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: VMT3 패키지 / 케이스: SOT-723	재고 있음303,792
RUQ050N02TR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.25W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95) 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음6,480
RUR020N02TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 180pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 540mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT3 패키지 / 케이스: SC-96	재고 있음26,076
RUR040N02TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 680pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT3 패키지 / 케이스: SC-96	재고 있음3,060
RUS100N02TB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2250pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음2,736
RUU002N05T106 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 200mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: UMT3 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음6,318
RV1C001ZPT2L Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 0.1A VML0806 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: VML0806 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead	재고 있음5,580
RV1C002UNT2CL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 0.15A VML0806 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: VML0806 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead	재고 있음1,530,240
RV2C001ZPT2L Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 0.1A VML1006 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DFN1006-3 (VML1006) 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883	재고 있음8,784
RV2C002UNT2L Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 0.18A VML1006 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DFN1006-3 (VML1006) 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883	재고 있음76,134
RV2C010UNT2L Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 1A VML1006 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 400mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DFN1006-3 (VML1006) 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883	재고 있음6,282
RV2C014BCT2CL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 700MA DFN1006 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 700mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 400mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DFN1006-3 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음2,088
RV3C002UNT2CL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 NCH 20V 150MA SM SIG MOSFET, VML 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: VML0604 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음6,894

RU1E002SPTCL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 0.25A UMT3F

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 200mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: UMT3F
패키지 / 케이스: SC-85

재고 있음22,962

RU1J002YNTCL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0.9V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 26pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: UMT3F
패키지 / 케이스: SC-85

재고 있음349,686

RU1L002SNTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

N-CHANNEL MOSFET, 2.5V. MOSFETS

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음3,222

RUC002N05HZGT116

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

1.2V DRIVE NCH MOSFET

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 350mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SST3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음29,466

RUC002N05T116

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 0.2A SST3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 200mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SST3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음22,878

RUE002N02TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V .2A EMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 2.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: EMT3
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416

재고 있음143,856

RUE002N05TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 0.2A EMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: EMT3
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416

재고 있음8,712

RUE003N02TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: EMT3
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416

재고 있음76,560

RUF015N02TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 110pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 800mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TUMT3
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads

재고 있음151,056

RUF020N02TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 180pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 320mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TUMT3
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads

재고 있음95,508

RUF025N02FRATL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

NCH 20V 2.5A MIDDLE POWER MOSFET

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 370pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 800mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TUMT3
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads

재고 있음24,258

RUF025N02TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 370pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 320mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TUMT3
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads

재고 있음4,644

RUL035N02FRATR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

NCH 20V 3.5A POWER MOSFET

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 460pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TUMT6
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads

재고 있음8,820

RUL035N02TR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 3.5A TUMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 460pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 320mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TUMT6
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads

재고 있음3,636

RUM001L02T2CL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 0.1A VMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7.1pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: VMT3
패키지 / 케이스: SOT-723

재고 있음1,557,306

RUM002N02T2L

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 0.2A VMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 2.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: VMT3
패키지 / 케이스: SOT-723

재고 있음4,644

RUM002N05T2L

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 0.2A 3VMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: VMT3
패키지 / 케이스: SOT-723

재고 있음204,588

RUM003N02T2L

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: VMT3
패키지 / 케이스: SOT-723

재고 있음303,792

RUQ050N02TR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.25W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95)
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음6,480

RUR020N02TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 180pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 540mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT3
패키지 / 케이스: SC-96

재고 있음26,076

RUR040N02TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 680pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT3
패키지 / 케이스: SC-96

재고 있음3,060

RUS100N02TB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2250pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음2,736

RUU002N05T106

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 200mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: UMT3
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음6,318

RV1C001ZPT2L

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 0.1A VML0806

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: VML0806
패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead

재고 있음5,580

RV1C002UNT2CL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 0.15A VML0806

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: VML0806
패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead

재고 있음1,530,240

RV2C001ZPT2L

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 0.1A VML1006

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DFN1006-3 (VML1006)
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883

재고 있음8,784

RV2C002UNT2L

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 0.18A VML1006

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DFN1006-3 (VML1006)
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883

재고 있음76,134

RV2C010UNT2L

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 1A VML1006

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 400mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DFN1006-3 (VML1006)
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883

재고 있음6,282

RV2C014BCT2CL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 700MA DFN1006

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 700mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 400mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DFN1006-3
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음2,088

RV3C002UNT2CL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

NCH 20V 150MA SM SIG MOSFET, VML

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: VML0604
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음6,894

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